本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種三維存儲器及其制造方法。所述三維存儲器包括:存儲區(qū)域,包括至少一個塊存儲區(qū);標(biāo)識結(jié)構(gòu),包括至少一個標(biāo)識;所述標(biāo)識位于所述存儲區(qū)域或者位于所述存儲區(qū)域的外圍,用于標(biāo)示所述存儲區(qū)域在所述三維存儲器中的地址。本發(fā)明能夠快速定位到目標(biāo)地址,大大提高了工作效率和定位成功率,減少了失效分析的成本。
聲明:
“三維存儲器及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)