本發(fā)明提出了一種獲得邊發(fā)射激光器
芯片最優(yōu)老化條件的方法及采用該條件篩選芯片的方法,用以解決通過(guò)點(diǎn)測(cè)試PI曲線的方法得到最大功率下的驅(qū)動(dòng)電流與實(shí)際老化最大功率下驅(qū)動(dòng)電流不相同的問(wèn)題。包括以下步驟:芯片組Ⅰ測(cè)試不同老化溫度Ⅰ下所對(duì)應(yīng)的飽和電流Io;將驅(qū)動(dòng)電流Ⅰ、老化溫度Ⅱ和老化時(shí)間組合成老化條件矩陣,統(tǒng)計(jì)每組芯片的老化失效率;對(duì)完成老化的芯片組Ⅱ進(jìn)行Htol測(cè)試,測(cè)試完成后統(tǒng)計(jì)Htol失效率;對(duì)比Htol失效率為0的芯片組Ⅱ的老化失效率,老化失效率最高的芯片組Ⅱ所對(duì)應(yīng)的老化條件為芯片的最佳老化條件。本方案在飽和電流Io的選擇上更加精準(zhǔn),電流范圍上驗(yàn)證的更加全面,最終得到的老化條件更加具有適用性。
聲明:
“獲得邊發(fā)射激光器芯片最優(yōu)老化條件的方法及采用該條件篩選芯片的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)