本發(fā)明屬于材料化學(xué)領(lǐng)域,涉及一種涂層,具體為一種zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù):
由于切削工具或者機械零件常常在一些極端的環(huán)境下服役,所以要求其表面具有較高的硬度、較低的摩擦系數(shù)、良好的耐腐蝕性以及良好的高溫穩(wěn)定性能。薄膜技術(shù)是改善材料表面性能的重要手段。然而,現(xiàn)代加工制造業(yè)的飛速發(fā)展使得傳統(tǒng)的二元氮化物難以滿足其要求,亟需開發(fā)一系列兼具諸如力學(xué)性能、高溫?zé)岱€(wěn)定性能和摩擦磨損性能等更高優(yōu)異性能的新型材料。zrn因具有高熔點、高硬度、良好的化學(xué)穩(wěn)定性而受到研究者關(guān)注。近年來不少學(xué)者研究了zrcn、zragn、zrwn等體系的力學(xué)性能和摩擦磨損性能,發(fā)現(xiàn)添加第三種元素后,力學(xué)性能及摩擦磨損性能均得到改善,但在高溫下的抗氧化溫度還比較低。因此,與當(dāng)代加工制造業(yè)所要求的寬溫域涂層相比,此類硬質(zhì)涂層的高溫抗氧化性能仍有不足。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
解決的技術(shù)問題:為了克服現(xiàn)有zrn系硬質(zhì)納米結(jié)構(gòu)復(fù)合薄膜及多層膜高溫抗氧化性能不理想的缺點,獲得一種兼具高硬度、優(yōu)異的摩擦磨損性能及高溫抗氧化性能,且可用于高速、干式切削的納米結(jié)構(gòu)硬質(zhì)薄膜,本發(fā)明提供了一種zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜及其制備方法和應(yīng)用。
技術(shù)方案:一種zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜,所述薄膜分子式表示為(zr,mg)n,薄膜以zrn為過渡層,薄膜的厚度為2~3μm。
優(yōu)選的,所述薄膜的顯微硬度為20.937gpa~25.248gpa,顯微硬度隨著mg靶功率的增加先增大后下降,在mg靶功率為50w時,顯微硬度達到最大值25.248gpa。
優(yōu)選的,所述薄膜的彈性模量為239.049gpa~350.316gpa,彈性模量隨著mg靶功率的增加先增大后下降,在mg靶功率為30w時,彈性模量達到最大值350.316gpa。
優(yōu)選的,常溫條件下,隨著mg靶功率的增加,所述薄膜的摩擦系數(shù)先減小后增大,磨損率逐漸減小。
優(yōu)選的,mg靶功率為50w時,干切削實驗中溫度從室溫升高至700℃的條件下,所述涂層的摩擦系數(shù)隨著溫度的升高先增大后減小,700℃時達到最低值,磨損率始終增大。
以上任一所述zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法,所述方法為采用zr靶和mg靶為原材料,以氬氣為起弧,氮氣為反應(yīng)氣體,氬氮氣體流量比為10sccm:2sccm,真空度低于6.0×10-4pa時濺射,在室溫下采用雙靶共焦射頻反應(yīng)磁控濺射法濺射在基體上制備得到。
優(yōu)選的,所述方法包含以下步驟:
(1)將基體表面進行鏡面拋光處理,即分別采用丙酮、無水乙醇超聲清洗,吹干后固定在濺射室可旋轉(zhuǎn)的基片臺上,關(guān)閉樣品擋板;
(2)將純度為99.9%的zr靶和mg靶分別固定在射頻陰極上;
(3)將濺射室的氣壓抽至6.0×10-4pa以下;
(4)通入純度均為99.999%的氬氣和氮氣,工作氣壓保持在0.3pa;
(5)調(diào)節(jié)zr靶濺射10分鐘以清洗靶材表面各種雜質(zhì);
(6)調(diào)節(jié)zr靶,關(guān)閉mg靶,在基體上沉積200nm厚度的zrn作為過渡層;然后調(diào)節(jié)mg靶功率為0w~90w,濺射2小時后自然冷卻至室溫,最終得到zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜。
優(yōu)選的,所述基體為金屬、硬質(zhì)合金或陶瓷。
以上任一所述zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜在刀具涂層材料中的應(yīng)用。
本發(fā)明的原理在于:過渡族金屬氮化物薄膜中的mg能夠在高溫環(huán)境下擴散至表層,與環(huán)境中的氧發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成具有保護作用的雙金屬氧化物(如mgtio3、mgzro4),阻止氧元素滲入薄膜,減緩了薄膜的氧化速率,從而提升薄膜熱穩(wěn)定性能。本發(fā)明的目的是提供一種在寬溫域范圍內(nèi)具有高硬度、潤滑、耐磨損的薄膜材料。zrn陶瓷薄膜具有硬度高的特點,加入mg元素后,由于固溶強化,從而進一步提高硬度;在摩擦實驗過程中,由于磨痕與摩擦副之間的劇烈作用,產(chǎn)生大量的摩擦潛熱,使磨痕表層出現(xiàn)致密的氧化鎂保護層,從而降低了具有高摩擦系數(shù)的氧化鋯摩擦相的出現(xiàn),最終導(dǎo)致薄膜體現(xiàn)出低摩擦系數(shù)與低磨損率。
有益效果:(1)本發(fā)明所述zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜的顯微結(jié)構(gòu)為面心立方結(jié)構(gòu),兼具了高硬度、優(yōu)異的摩擦磨損性能及高溫抗氧化性能;(2)本發(fā)明所述zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法具有工藝流程簡單,生產(chǎn)效率高的優(yōu)點;(3)本發(fā)明所述zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜能夠用于刀具涂層材料中,特別適用于高速、高溫極端服役條件,以及高性能、干式切削方式領(lǐng)域。
附圖說明
圖1是zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜的顯微硬度與mg靶功率的關(guān)系圖;
圖2是常溫條件下,干切削實驗中zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜平均摩擦系數(shù)和平均磨損率與mg靶功率的關(guān)系圖;
圖3是干切削實驗中,zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜平均摩擦系數(shù)和平均磨損率隨溫度變化圖;
圖4是納米結(jié)構(gòu)薄膜高溫摩擦后的xrd圖。
具體實施方式
以下實施例進一步說明本發(fā)明的內(nèi)容,但不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。在不背離本發(fā)明精神和實質(zhì)的情況下,對本發(fā)明方法、步驟或條件所作的修改和替換,均屬于本發(fā)明的范圍。若未特別指明,實施例中所用的技術(shù)手段為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的常規(guī)手段。
實施例1
一種zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜,所述薄膜分子式表示為(zr,mg)n,薄膜以zrn為過渡層,薄膜的厚度為2~3μm。
所述薄膜的顯微硬度為24.573gpa,彈性模量為323.669gpa,干切削實驗下,摩擦系數(shù)為0.71,磨損率為21×10-8mm3·n-1mm-1。
以上任一所述zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法,所述方法為采用zr靶和mg靶為原材料,以氬氣為起弧,氮氣為反應(yīng)氣體,氬氮氣體流量比為10sccm:2sccm,真空度低于6.0×10-4pa時濺射,在室溫下采用雙靶共焦射頻反應(yīng)磁控濺射法濺射在基體上制備得到。
所述方法包含以下步驟:
(1)將基體表面進行鏡面拋光處理,即分別采用丙酮、無水乙醇超聲清洗,吹干后固定在濺射室可旋轉(zhuǎn)的基片臺上,關(guān)閉樣品擋板;
(2)將純度為99.9%的zr靶和mg靶分別固定在射頻陰極上;
(3)將濺射室的氣壓抽至6.0×10-4pa以下;
(4)通入純度均為99.999%的氬氣和氮氣,工作氣壓保持在0.3pa;
(5)調(diào)節(jié)zr靶濺射10分鐘以清洗靶材表面各種雜質(zhì);
(6)調(diào)節(jié)zr靶功率為200w,關(guān)閉mg靶,在基體上沉積200nm厚度的zrn作為過渡層;然后調(diào)節(jié)mg靶功率為0w,濺射2小時后自然冷卻至室溫,最終得到zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜。
所述基體為不銹鋼。
實施例2
與實施例1的區(qū)別在于,步驟(6)中沉積好過渡層后,調(diào)節(jié)mg靶功率為30w;此時薄膜硬度為24.812gpa,彈性模量為350.316gpa,干切削實驗下,摩擦系數(shù)為0.6819,磨損率為12×10-8mm3·n-1mm-1。
實施例3
與實施例1的區(qū)別在于,步驟(6)中沉積好過渡層后,調(diào)節(jié)mg靶功率為50w;此時薄膜硬度為25.248gpa,彈性模量為342.642gpa,干切削實驗下,摩擦系數(shù)為0.659,磨損率為8.2×10-8mm3·n-1mm-1。
實施例4
與實施例1的區(qū)別在于,步驟(6)中沉積好過渡層后,調(diào)節(jié)mg靶功率為70w;此時薄膜硬度為24.062gpa,彈性模量為299.1gpa,干切削實驗下,摩擦系數(shù)為0.7583,磨損率為4.7×10-8mm3·n-1mm-1。
實施例5
與實施例1的區(qū)別在于,步驟(6)中沉積好過渡層后,調(diào)節(jié)mg靶功率為90w;此時薄膜硬度為20.937gpa,彈性模量為239.049gpa,干切削實驗下,摩擦系數(shù)為0.8168,磨損率為4×10-8mm3·n-1mm-1。
實施例6
與實施例3相比,干切削實驗的溫度為25℃,對mg靶功率為50w的zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜進行摩擦實驗,摩擦系數(shù)為0.659,磨損率為8.2×10-8mm3·n-1mm-1。
實施例7
與實施例3相比,干切削實驗的溫度為200℃,對mg靶功率為50w的zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜進行摩擦實驗,摩擦系數(shù)為0.6863,磨損率為22×10-8mm3·n-1mm-1。
實施例8
與實施例3相比,干切削實驗的溫度為300℃,對mg靶功率為50w的zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜進行摩擦實驗,摩擦系數(shù)為0.7071,磨損率為44×10-8mm3·n-1mm-1。
實施例9
與實施例3相比,干切削實驗的溫度為500℃,對mg靶功率為50w的zrmgn納米結(jié)構(gòu)薄膜進行摩擦實驗,摩擦系數(shù)為0.6248,磨損率為60×10-8mm3·n-1mm-1。
技術(shù)特征:
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種ZrMgN納米結(jié)構(gòu)薄膜及其制備方法和應(yīng)用,所述薄膜分子式表示為(Zr,Mg)N,薄膜以ZrN為過渡層,薄膜的厚度為2~3μm。本發(fā)明所述ZrMgN納米結(jié)構(gòu)薄膜的顯微結(jié)構(gòu)為面心立方結(jié)構(gòu),兼具了高硬度以及優(yōu)異的摩擦磨損性能;本發(fā)明所述ZrMgN納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法具有工藝流程簡單,生產(chǎn)效率高的優(yōu)點;本發(fā)明所述ZrMgN納米結(jié)構(gòu)薄膜能夠用于刀具涂層材料中,特別適用于高速、高溫極端服役條件,以及高性能、干式切削方式領(lǐng)域。
技術(shù)研發(fā)人員:喻利花;許俊華;鞠洪博
受保護的技術(shù)使用者:江蘇科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.11.03
技術(shù)公布日:2018.03.27
聲明:
“ZrMgN納米結(jié)構(gòu)薄膜及其制備方法和應(yīng)用與流程” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)