1.本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種碳化硅晶片的表面處理方法。

背景技術(shù)：

2.碳化硅具有寬的禁帶寬度，高熱導(dǎo)率以及高的擊穿電壓，使得其在高頻、高功率、抗輻射、極端條件下工作的器件有廣泛應(yīng)用。是一種極具潛力的半導(dǎo)體材料。

3.高質(zhì)量的碳化硅晶片表面對制造高質(zhì)量的外延片至關(guān)重要，進(jìn)而決定半導(dǎo)體器件的性能。碳化硅單晶的莫氏為9.2，自然界中僅次于金剛石，對其進(jìn)行物理加工難度非常高；而且碳化硅具有高的化學(xué)穩(wěn)定性，如耐酸堿、耐氧化能力，這大大增加了化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)和清洗過程中去除表面顆粒和金屬的難度。

4.鑒于碳化硅材料的加工難度，目前常用的碳化硅晶片加工和清洗方法主要是雙面或單面研磨、拋光、化學(xué)機(jī)械拋光和標(biāo)準(zhǔn)rca清洗，存在的主要問題是：加工晶片的翹曲度(warp)、彎曲度(bow)、面型(ttv和ltv)較差，表面顆粒和金屬污染物無法很好的去除；對于前道切割工序產(chǎn)生的較大的變形沒有修復(fù)能力；加工步驟繁瑣，自動化程度低下，晶片表面質(zhì)量和穩(wěn)定性難以保證。晶片表面的上述缺陷會在外延生長和器件制備的過程中放大，導(dǎo)致芯片良率大大降低，是影響芯片良率的首要因素。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

5.有鑒于此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種碳化硅晶片的表面處理方法，本發(fā)明的處理方法處理的碳化硅晶片表面粗糙度低，平整度高，表面翹曲度低。

6.本發(fā)明提供了一種碳化硅晶片的表面處理方法，碳化硅晶片包括a表面和b表面；其表面處理方法包括：

7.a)將碳化硅a表面涂覆樹脂膜，得到平整的a表面的碳化硅；

8.b)將a表面固定，將b表面進(jìn)行打磨；

9.c)去除碳化硅a表面的樹脂膜，固定打磨后的b面，將a面進(jìn)行打磨，得到雙面打磨的碳化硅晶片；

10.d)將雙面打磨的碳化硅晶片拋光，即得。

11.優(yōu)選的，步驟a)所述樹脂膜的硬度為50到70hrd；所述樹脂膜為填充彎曲的或凸凹起伏的碳化硅a表面至平整。

12.優(yōu)選的，步驟b)所述打磨具體為采用樹脂砂輪或金屬結(jié)合劑砂輪中的一種或兩種進(jìn)行打磨；所述砂輪的目數(shù)為500～50000目；

13.步驟c)所述打磨具體為采用樹脂砂輪或金屬結(jié)合劑砂輪中的一種或兩種進(jìn)行打磨；所述砂輪的目數(shù)為500～50000目。

14.優(yōu)選的，步驟b)所述固定具體為采用真空吸附的方法將碳化硅a面固定在吸附裝置上；吸附裝置帶動碳化硅晶片轉(zhuǎn)動，與砂輪相對摩擦去除碳化硅晶片表面損傷層。

15.優(yōu)選的，所述吸附頭轉(zhuǎn)速為200～600rpm；所述砂輪轉(zhuǎn)速為500～3600rpm。

16.優(yōu)選的，步驟c)所述去除碳化硅a表面的樹脂膜的方法具體為：用紫外燈照射或烘烤；所述紫外燈照射的參數(shù)為：使用波長100～350nm范圍內(nèi)的紫外光照射樣品10～120s；所述烘烤的溫度為60～90℃。

17.優(yōu)選的，步驟d)所述拋光具體為采用拋光布在拋光液中進(jìn)行拋光；所述拋光布為含有固結(jié)磨料的拋光布；所述固結(jié)磨料包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈰和氧化鋯中的一種或幾種。

18.優(yōu)選的，所述拋光液包括催化氧化劑絡(luò)合物和ph調(diào)節(jié)劑；所述催化氧化劑絡(luò)合物釩酸或偏釩酸離子和氧化劑的絡(luò)合物，或金屬、螯合劑和氧化劑的絡(luò)合物；所述氧化劑包含雙氧水、高錳酸鉀、高氯酸鹽、高碘酸鹽和高溴酸鹽中的一種或幾種；所述ph調(diào)節(jié)劑包括碳酸鈉、碳酸氫鈉、磷酸二氫鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈉、有機(jī)酸或有機(jī)堿中的一種或幾種。

19.優(yōu)選的，所述拋光時(shí)間為10min～10h；所述釩酸或偏釩酸離子和氧化劑的質(zhì)量比為1:1～1:30；所述金屬、螯合劑和氧化劑質(zhì)量比為1:1:20～1:10:100；所述拋光液的ph值為2～11。

20.本發(fā)明提供了一種碳化硅晶片，由上述技術(shù)方案任意一項(xiàng)所述的表面處理方法處理得到。

21.與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種碳化硅晶片的表面處理方法，碳化硅晶片包括a表面和b表面；其表面處理方法包括：a)將碳化硅a表面涂覆樹脂膜，得到平整的a表面的碳化硅；b)將a表面固定，將b表面進(jìn)行打磨；c)去除碳化硅a表面的樹脂膜，固定打磨后的b面，將a面進(jìn)行打磨，得到雙面打磨的碳化硅晶片；d)將雙面打磨的碳化硅晶片拋光，即得。采用上述方法制備的碳化硅單晶拋光片，表面翹曲度小于20μm,彎曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm。

附圖說明

22.圖1為本發(fā)明其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式所述表面處理方法流程示意圖；

23.圖2(a)為切割片的翹曲度(warp)、彎曲度(bow)、面型(ttv和ltv)圖，圖2(b)是經(jīng)過本發(fā)明其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式加工后的晶片的翹曲度(warp)、彎曲度(bow)、面型(ttv和ltv)圖；

24.圖3為本發(fā)明實(shí)施例3的晶片表面粗糙度結(jié)果圖；

25.圖4為本發(fā)明實(shí)施例1的晶片表面結(jié)果圖；

26.圖5為本發(fā)明對比例1方法加后的晶片的翹曲度(warp)、彎曲度(bow)、面型(ttv和ltv)圖；

27.圖6為本發(fā)明對比例1方法加后的晶片表面粗糙度結(jié)果圖。

具體實(shí)施方式

28.本發(fā)明提供了一種碳化硅晶片的表面處理方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以借鑒本文內(nèi)容，適當(dāng)改進(jìn)工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)。特別需要指出的是，所有類似的替換和改動對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的，它們都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明的方法及應(yīng)用已經(jīng)通過較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述，相關(guān)人員明顯能在不脫離本發(fā)明內(nèi)容、精神和范圍內(nèi)對本文的方法和應(yīng)用進(jìn)行改動或適當(dāng)變更與組合，來實(shí)現(xiàn)和應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)。

29.本發(fā)明提供了一種碳化硅晶片的表面處理方法，碳化硅晶片包括a表面和b表面；其表面處理方法包括：

30.a)將碳化硅a表面涂覆樹脂膜，得到平整的a表面的碳化硅；

31.b)將a表面固定，將b表面進(jìn)行打磨；

32.c)去除碳化硅a表面的樹脂膜，固定打磨后的b面，將a面進(jìn)行打磨，得到雙面打磨的碳化硅晶片；

33.d)將雙面打磨的碳化硅晶片拋光，即得。

34.本發(fā)明提供的碳化硅晶片包括a表面和b表面；上述定義僅僅是為了區(qū)別兩個(gè)表面，對于具體不進(jìn)行限定，也可以上述二者進(jìn)行更換。

35.本發(fā)明提供的碳化硅晶片的表面處理方法首先將碳化硅a表面涂覆樹脂膜，得到平整的a表面的碳化硅。

36.本發(fā)明所述樹脂膜包括但不限于ht-140h-ua40-pc2、sb-145hm-nb-pl2a；本發(fā)明所述樹脂膜的硬度為50-70hrd；所述樹脂膜為填充彎曲的或凸凹起伏的碳化硅a表面至平整。

37.本發(fā)明所述樹脂膜的強(qiáng)度大于吸附頭的吸力，與碳化硅表面的結(jié)合力大于碳化硅與金剛石砂輪相對摩擦產(chǎn)生的橫向力，從而保證了樹脂膜在加工過程中不變形、不移動。

38.將a表面固定，將b表面進(jìn)行打磨。

39.本發(fā)明所述固定具體為采用真空吸附的方法將碳化硅a面固定在吸附裝置上。本發(fā)明對于所述吸附裝置不進(jìn)行限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的吸附頭即可。

40.吸附裝置帶動碳化硅晶片轉(zhuǎn)動，與砂輪相對摩擦去除碳化硅晶片表面損傷層。

41.所述打磨優(yōu)選為打磨至平整。

42.本發(fā)明所述打磨具體為采用樹脂砂輪或金屬結(jié)合劑砂輪中的一種或兩種進(jìn)行打磨；所述砂輪的目數(shù)優(yōu)選為500～50000目；更優(yōu)選為500～30000目；最優(yōu)選為2000～20000目。

43.本發(fā)明所述吸附頭轉(zhuǎn)速優(yōu)選為200～600rpm；更優(yōu)選為300～500rpm；所述砂輪轉(zhuǎn)速優(yōu)選為500～3600rpm；更優(yōu)選為1000～3500rpm；

44.去除碳化硅a表面的樹脂膜。

45.所述去除碳化硅a表面的樹脂膜的方法具體為：用紫外燈照射或烘烤。

46.其中，所述紫外燈照射的參數(shù)為使用波長100～350nm范圍內(nèi)的紫外光照射樣品10～120s；消除膠膜的粘膠，使樹脂膜從晶片表面分離。

47.所述烘烤的參數(shù)為60～90℃。使膜膠軟化，之后將樹脂膜從晶片表面分離。

48.本發(fā)明采用紫外燈照射或烘烤中的一種或兩種結(jié)合的方法，將樹脂膜從晶片表面去除干凈。

49.固定打磨后的b面，將a面進(jìn)行打磨，得到雙面打磨的碳化硅晶片；

50.本發(fā)明所述打磨具體為采用樹脂砂輪或金屬結(jié)合劑砂輪中的一種或兩種進(jìn)行打磨；所述砂輪的目數(shù)優(yōu)選為500～50000目；更優(yōu)選為500～30000目；最優(yōu)選為2000～20000目。

51.將雙面打磨的碳化硅晶片拋光，即得。

52.傳送雙面平整的晶片到化學(xué)機(jī)械拋光工位，使用含有固結(jié)磨料的拋光布和含有催

化氧化劑絡(luò)合物的拋光液，分別拋光碳化硅的c面和si面；

53.本發(fā)明所述拋光具體為采用拋光布在拋光液中進(jìn)行拋光。

54.其中，所述拋光布為含有固結(jié)磨料的拋光布；所述固結(jié)磨料包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈰和氧化鋯中的一種或幾種。

55.所述拋光液包括催化氧化劑絡(luò)合物和ph調(diào)節(jié)劑；所述催化氧化劑絡(luò)合物釩酸或偏釩酸離子和氧化劑的絡(luò)合物，或金屬、螯合劑和氧化劑的絡(luò)合物；所述氧化劑包含雙氧水、高錳酸鉀、高氯酸鹽、高碘酸鹽和高溴酸鹽中的一種或幾種；所述ph調(diào)節(jié)劑包括碳酸鈉、碳酸氫鈉、磷酸二氫鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈉、有機(jī)酸或有機(jī)堿中的一種或幾種。

56.所述拋光時(shí)間為10min～10h；所述釩酸或偏釩酸離子和氧化劑的質(zhì)量比為1:1～1:30；優(yōu)選為1：5-1：20。所述金屬、螯合劑和氧化劑質(zhì)量比優(yōu)選為1:1:20～1:10:100；更優(yōu)選為1：2：30-1：5：50。所述拋光液的ph值為2～11；

57.圖1為本發(fā)明其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式所述表面處理方法流程示意圖。

58.本發(fā)明提供了一種碳化硅晶片，由上述技術(shù)方案任意一項(xiàng)所述的表面處理方法處理得到。

59.本發(fā)明對于上述處理方法已經(jīng)有了清楚的描述，在此不再贅述。

60.本發(fā)明提供了一種碳化硅晶片的表面處理方法，碳化硅晶片包括a表面和b表面；其表面處理方法包括：a)將碳化硅a表面涂覆樹脂膜，得到平整的a表面的碳化硅；b)將a表面固定，將b表面進(jìn)行打磨；c)去除碳化硅a表面的樹脂膜，固定打磨后的b面，將a面進(jìn)行打磨，得到雙面打磨的碳化硅晶片；d)將雙面打磨的碳化硅晶片拋光，即得。采用上述方法制備的碳化硅單晶拋光片，表面翹曲度小于20μm,彎曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm。

61.為了進(jìn)一步說明本發(fā)明，以下結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明提供的一種碳化硅晶片的表面處理方法進(jìn)行詳細(xì)描述。

62.實(shí)施例1

63.一種直徑為150mm的高質(zhì)量碳化硅單晶拋光片的制備方法，所述制備方法包括：

64.步驟1、使用三井公司生產(chǎn)的具有uv型粘合劑的樹脂膜ht-140h-ua40-pc2，均勻涂敷在碳化硅切割片的a表面；

65.步驟2、用真空吸附的方法將平整的晶片a面固定在研磨設(shè)備的吸附頭上，使用2000號金屬結(jié)合劑的金剛石砂輪打磨b面至平整，具體加工參數(shù)為：吸附頭轉(zhuǎn)速300rpm，進(jìn)給速度0.25μm/s，砂輪轉(zhuǎn)速3000rpm,去除量30μm；之后用20000號金屬結(jié)合劑的金剛石砂輪，繼續(xù)去除b面的損傷層至最低，具體加工參數(shù)為：吸附頭轉(zhuǎn)速150rpm，進(jìn)給速度0.2μm/s，砂輪轉(zhuǎn)速2500rpm,去除量10μm；

66.步驟3、用紫外線照射碳化硅晶片a面的樹脂膜，之后用機(jī)械剝離的方法去除樹脂膜；

67.步驟4、晶片翻轉(zhuǎn)，平整的晶片b面被吸附固定，用與步驟2同樣的加工方式打磨a面至平整；

68.步驟5、使用含有二氧化硅磨料的拋光布，選擇含有偏釩酸鈉、雙氧水和碳酸鈉作為催化氧化劑絡(luò)合物的拋光液，分別拋光碳化硅的c面和si面；偏釩酸鈉的濃度為3g/l,30％up級雙氧水的濃度為30％體積比；碳酸鈉在碳化硅c面和si面拋光液中的濃度分別是

1.5g/l和0.5g/l；c面和si面的去除量分別為5um。

69.通過上述方法加工的碳化硅單晶拋光片可以達(dá)到如下指標(biāo)：表面翹曲度小于20μm,彎曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm，大于0.1μm缺陷數(shù)量小于200個(gè)/片，

70.實(shí)施例2

71.一種直徑為150mm的高質(zhì)量碳化硅單晶拋光片的制備方法，所述制備方法包括：

72.步驟1、使用三井公司生產(chǎn)的具有非uv型粘合劑的樹脂膜sb-145hm-nb-pl2a，均勻涂敷在碳化硅切割片的a表面；

73.步驟2、用真空吸附的方法將平整的晶片a面固定在研磨設(shè)備的吸附頭上，使用1500號金屬結(jié)合劑的金剛石砂輪打磨b面至平整，具體加工參數(shù)為：吸附頭轉(zhuǎn)速400rpm，進(jìn)給速度0.3μm/s，砂輪轉(zhuǎn)速3000rpm,去除量20μm；之后用30000號樹脂結(jié)合劑的金剛石砂輪，繼續(xù)去除b面的損傷層至最低，具體加工參數(shù)為：吸附頭轉(zhuǎn)速150rpm，進(jìn)給速度0.25μm/s，砂輪轉(zhuǎn)速2000rpm,去除量5μm；

74.步驟3、加熱晶片a面的樹脂膜，之后用機(jī)械剝離的方法去除樹脂膜；

75.步驟4、晶片翻轉(zhuǎn)，平整的晶片b面被吸附固定，用與步驟2同樣的加工方式打磨a面至平整；

76.步驟5、使用含有氧化鈰磨料的拋光布，選擇含有鐵、螯合劑和雙氧水作為催化氧化劑絡(luò)合物的拋光液，分別拋光碳化硅的c面和si面；鐵的濃度為0.5g/l,30％up級雙氧水的體積濃度為20％；c面和si面的去除量分別為3um。

77.通過上述方法加工的碳化硅單晶拋光片可以達(dá)到如下指標(biāo)：表面翹曲度小于20μm,彎曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm，大于0.1μm缺陷數(shù)量小于200個(gè)/片，

78.實(shí)施例3

79.一種直徑為200mm的高質(zhì)量碳化硅單晶拋光片的制備方法，所述制備方法包括：

80.步驟1、使用三井公司生產(chǎn)的具有uv型粘合劑的樹脂膜ht-140h-ua40-pc2，均勻涂敷在碳化硅切割片的a表面；

81.步驟2、用真空吸附的方法將平整的晶片a面固定在研磨設(shè)備的吸附頭上，使用1000號金屬結(jié)合劑的金剛石砂輪打磨b面至平整，具體加工參數(shù)為：吸附頭轉(zhuǎn)速200rpm，進(jìn)給速度0.2μm/s，砂輪轉(zhuǎn)速2000rpm,去除量50μm；之后用20000號金屬結(jié)合劑的金剛石砂輪，繼續(xù)去除b面的損傷層至最低，具體加工參數(shù)為：吸附頭轉(zhuǎn)速100rpm，進(jìn)給速度0.2μm/s，砂輪轉(zhuǎn)速1500rpm,去除量10μm；

82.步驟3、用紫外線照射碳化硅晶片a面的樹脂膜，之后用機(jī)械剝離的方法去除樹脂膜；

83.步驟4、晶片翻轉(zhuǎn)，平整的晶片b面被吸附固定，用與步驟2同樣的加工方式打磨a面至平整；

84.步驟5、使用含有氧化鋁磨料的拋光布，選擇含有鐵、螯合劑和高錳酸鉀作為催化氧化劑絡(luò)合物的拋光液，分別拋光碳化硅的c面和si面；鐵的濃度為0.3g/l,高錳酸鉀的濃度為4g/升；c面和si面的去除量分別為10um。

85.通過上述方法加工的碳化硅單晶拋光片可以達(dá)到如下指標(biāo)：表面翹曲度小于20μ

m,彎曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm，大于0.1μm缺陷數(shù)量小于200個(gè)/片，典型的測試結(jié)果如圖2～4所示所示。其中圖2(a)為切割片的翹曲度(warp)、彎曲度(bow)、面型(ttv和ltv)圖，圖2(b)是經(jīng)過本發(fā)明其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式加工后的晶片的翹曲度(warp)、彎曲度(bow)、面型(ttv和ltv)圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例3的晶片表面粗糙度結(jié)果圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例1的晶片表面結(jié)果圖。由圖可以看出經(jīng)過本發(fā)明加工后的晶片，表面翹曲度(warp)、彎曲度(bow)、面型(ttv和ltv)得到良好的改善，表面粗糙度、劃痕等質(zhì)量良好。

86.對比例1

87.步驟1、用真空吸附的方法直接吸附直徑為150mm的碳化硅切割片的a面，使用實(shí)施例1中相同的參數(shù)對b面進(jìn)行打磨：即選擇2000號金屬結(jié)合劑的金剛石砂輪打磨晶片表面，吸附頭轉(zhuǎn)速300rpm，進(jìn)給速度0.25μm/s，砂輪轉(zhuǎn)速3000rpm,去除量30μm；之后用20000號金屬結(jié)合劑的金剛石砂輪，繼續(xù)去除b面的損傷層至最低，吸附頭轉(zhuǎn)速150rpm，進(jìn)給速度0.2μm/s，砂輪轉(zhuǎn)速2500rpm,去除量10μm；

88.步驟2、晶片翻轉(zhuǎn)，晶片的b面被吸附固定，用與步驟1同樣的加工方式打磨a面至平整；

89.步驟3、選擇聚氨酯拋光墊，選擇固含量為20％的二氧化硅顆粒做磨料、4g/升的高錳酸鉀做氧化劑的拋光液，分別拋光碳化硅的c面和si面，c面和si面的去除量分別為5um。

90.通過對比例1方法加工的碳化硅單晶拋光片，對切割片面型沒有改善作用，表面翹曲度39.877μm,彎曲度7.371μm，平整度5.284μm，局部平整度4.273μm,，且表面的切割鋸紋在加工過程中被復(fù)制到晶片表面，如圖5所示。晶片表面粗糙度小于0.2nm，但是表面有暗裂紋存在，即在拋光過程中新增了損傷層，如圖6所示。

91.以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。技術(shù)特征：

1.一種碳化硅晶片的表面處理方法，其特征在于，碳化硅晶片包括a表面和b表面；其表面處理方法包括：a)將碳化硅a表面涂覆樹脂膜，得到平整的a表面的碳化硅；b)將a表面固定，將b表面進(jìn)行打磨；c)去除碳化硅a表面的樹脂膜，固定打磨后的b面，將a面進(jìn)行打磨，得到雙面打磨的碳化硅晶片；d)將雙面打磨的碳化硅晶片拋光，即得。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟a)所述樹脂膜的硬度為50到70hrd；所述樹脂膜為填充彎曲的或凸凹起伏的碳化硅a表面至平整。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟b)所述打磨具體為采用樹脂砂輪或金屬結(jié)合劑砂輪中的一種或兩種進(jìn)行打磨；所述砂輪的目數(shù)為500～50000目；步驟c)所述打磨具體為采用樹脂砂輪或金屬結(jié)合劑砂輪中的一種或兩種進(jìn)行打磨；所述砂輪的目數(shù)為500～50000目。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，步驟b)所述固定具體為采用真空吸附的方法將碳化硅a面固定在吸附裝置上；吸附裝置帶動碳化硅晶片轉(zhuǎn)動，與砂輪相對摩擦去除碳化硅晶片表面損傷層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述吸附頭轉(zhuǎn)速為200～600rpm；所述砂輪轉(zhuǎn)速為500～3600rpm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c)所述去除碳化硅a表面的樹脂膜的方法具體為：用紫外燈照射或烘烤；所述紫外燈照射的參數(shù)為：使用波長100～350nm范圍內(nèi)的紫外光照射樣品10～120s；所述烘烤的溫度為60～90℃。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟d)所述拋光具體為采用拋光布在拋光液中進(jìn)行拋光；所述拋光布為含有固結(jié)磨料的拋光布；所述固結(jié)磨料包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈰和氧化鋯中的一種或幾種。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述拋光液包括催化氧化劑絡(luò)合物和ph調(diào)節(jié)劑；所述催化氧化劑絡(luò)合物釩酸或偏釩酸離子和氧化劑的絡(luò)合物，或金屬、螯合劑和氧化劑的絡(luò)合物；所述氧化劑包含雙氧水、高錳酸鉀、高氯酸鹽、高碘酸鹽和高溴酸鹽中的一種或幾種；所述ph調(diào)節(jié)劑包括碳酸鈉、碳酸氫鈉、磷酸二氫鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈉、有機(jī)酸或有機(jī)堿中的一種或幾種。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述拋光時(shí)間為10min～10h；所述釩酸或偏釩酸離子和氧化劑的質(zhì)量比為1:1～1:30；所述金屬、螯合劑和氧化劑質(zhì)量比為1:1:20～1:10:100；所述拋光液的ph值為2～11。10.一種碳化硅晶片，其特征在于，由權(quán)利要求1～9任意一項(xiàng)所述的表面處理方法處理得到。

技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明提供了一種碳化硅晶片的表面處理方法，碳化硅晶片包括A表面和B表面；其表面處理方法包括：A)將碳化硅A表面涂覆樹脂膜，得到平整的A表面的碳化硅；B)將A表面固定，將B表面進(jìn)行打磨；C)去除碳化硅A表面的樹脂膜，固定打磨后的B面，將A面進(jìn)行打磨，得到雙面打磨的碳化硅晶片；D)將雙面打磨的碳化硅晶片拋光，即得。采用上述方法制備的碳化硅單晶拋光片，表面翹曲度小于20μm,彎曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm。小于0.2nm。

技術(shù)研發(fā)人員：郭鈺 劉春俊 眭旭 張世穎 晁歡 彭同華 楊建

受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)研發(fā)日：2021.12.30

技術(shù)公布日：2022/4/8