1.本技術(shù)屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓的調(diào)度方法、裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。

背景技術(shù)：

2.現(xiàn)有的半導(dǎo)體立式工藝爐調(diào)度算法在裝載(charge)階段可以將前開式晶圓傳送盒(front opening unified pod，foup)中的晶圓(wafer)傳送到工藝腔室(pm)對應(yīng)位置，但是在卸載(discharge)階段只能將pm中的wafer傳回到原來的foup中，不能滿足新型鍵合晶圓(bonding wafer)工藝設(shè)備對傳取晶圓的需求，無法滿足對同一插槽(slot)位置的wafer，工藝前疊加在一起的wafer當(dāng)做一個wafer進(jìn)行傳送，工藝后疊加在一起的wafer分成兩片，變成兩個wafer，并且需要傳送到不同的foup中的需求。

3.此外，現(xiàn)有的bonding wafer分離的設(shè)備是通過研磨的方式，將bonding在一起的不同類型的wafer進(jìn)行研磨，直到下片wafer基本消失。此種方法效率較低，并且產(chǎn)品的工藝結(jié)果不是很好。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

4.本技術(shù)實(shí)施例提供一種晶圓的調(diào)度方法、裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，以解決現(xiàn)有的鍵合晶圓分離后的晶圓不能按照需求進(jìn)行傳輸?shù)膯栴}。

5.第一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種晶圓的調(diào)度方法，用于調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和所述鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓；所述調(diào)度方法包括：

6.在工藝腔室中對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之后，確定與所述第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒，其中所述源晶圓盒為工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒；

7.通過晶圓盒機(jī)械手將所述源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位；

8.通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒。

9.第二方面，本技術(shù)實(shí)施例另提供了一種晶圓的傳輸裝置，用于調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和所述鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓；所述調(diào)度裝置包括：

10.確定模塊，用于在工藝腔室中對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之后，確定與所述第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒，其中所述源晶圓盒為工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒；

11.第一傳輸模塊，用于通過晶圓盒機(jī)械手將所述源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通

過所述晶圓盒機(jī)械手將所述空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位；

12.第二傳輸模塊，用于通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒。

13.第三方面，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括用于放置晶圓盒的存儲柜、晶圓盒機(jī)械手、第一裝卸載位、第二裝卸載位、具有第一機(jī)械臂和第二機(jī)械臂的晶圓機(jī)械手以及工藝腔室，還包括控制器，所述控制器用于采用第一方面所述的晶圓的調(diào)度方法調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和所述鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓。

14.第四方面，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括處理器、存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運(yùn)行的程序或指令，所述程序或指令被所述處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。

15.第五方面，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種可讀存儲介質(zhì)，所述可讀存儲介質(zhì)上存儲程序或指令，所述程序或指令被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。

16.本技術(shù)實(shí)施例提供的晶圓的調(diào)度方案，用于調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和所述鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓，可以在工藝腔室中對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之后，確定與所述第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒，其中所述源晶圓盒為工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒；通過晶圓盒機(jī)械手將所述源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位；通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒，解決了現(xiàn)有的鍵合晶圓不能按照需求進(jìn)行傳輸?shù)膯栴}；此外，通過將晶圓分離傳送，這使得一次工藝可以傳輸更多的分離晶圓，提高了分離效率，避免了將鍵合晶圓中的其中一個晶圓研磨至消失導(dǎo)致的效率低的問題，且提高了工藝效果。

附圖說明

17.圖1是新型鍵合晶圓工藝設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

18.圖2是相關(guān)技術(shù)中carrier in階段的流程示意圖；

19.圖3是相關(guān)技術(shù)中charge階段的流程示意圖；

20.圖4是相關(guān)技術(shù)中discharge階段的流程示意圖；

21.圖5是本技術(shù)實(shí)施例中晶圓的調(diào)度方法的流程示意圖；

22.圖6是本技術(shù)實(shí)施例中carrier in階段的流程示意圖；

23.圖7是本技術(shù)實(shí)施例中discharge階段的流程示意圖；

24.圖8是本技術(shù)實(shí)施例中晶圓的調(diào)度裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

25.圖9是本技術(shù)實(shí)施例中半導(dǎo)體工藝設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

26.圖10是本技術(shù)的實(shí)施例提供的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

27.下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒炯夹g(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。

28.本技術(shù)的說明書和權(quán)利要求書中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便本技術(shù)的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?，且“第一”、“第二”等所區(qū)分的對象通常為一類，并不限定對象的個數(shù)，例如第一對象可以是一個，也可以是多個。此外，說明書以及權(quán)利要求中“和/或”表示所連接對象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后關(guān)聯(lián)對象是一種“或”的關(guān)系。

29.如圖1所示，為新型鍵合晶圓(bonding wafer)工藝設(shè)備結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，設(shè)備有兩個晶圓盒裝卸載口(load port)，分別為load port a和load port b，用于自動化工廠端天車與設(shè)備進(jìn)行物料傳送，天車可以將foup(也可以稱為晶圓盒)放置到load port，同時也可以將foup從load port取走。

30.foup機(jī)械手(也可以稱為晶圓盒機(jī)械手)負(fù)責(zé)傳送foup，foup機(jī)械手可以將foup從load port或裝卸載位(load lock)位置取走并放置到存儲柜(stocker)中的緩沖區(qū)(buffer)位置；也可以將stocker中buffer上的foup取走并放置到load port或load lock位置。

31.stocker用于存放foup，一個stocker中有多個buffer區(qū)域，例如18個，用于存放不同類型的foup。

32.load lock具有開門機(jī)構(gòu)，可以將foup門打開，wafer機(jī)械手(也可以稱為晶圓機(jī)械手)可以在此位置對foup中的wafer進(jìn)行取放，將wafer傳送到pm部分。pm為用于wafer進(jìn)行工藝反應(yīng)的腔室，pm中有一個晶舟(boat)，用于放置wafer。

33.wafer機(jī)械手用于傳送foup中的wafer，可以將load lock位置的foup傳送到pm中的boat中，也可以將boat位置的foup傳送到load lock位置，同時具備對晶舟和load lock位置的foup進(jìn)行掃描(map)的功能。

34.工藝開始前，首先要將所有參加工藝的foup都運(yùn)進(jìn)stocker中，這個過程就是運(yùn)進(jìn)(carrierin)。在carrierin階段，需要提前指定所有物料具體類型，如產(chǎn)品片(p-product)類型、檢測片(m-monitor)類型、邊緣片(sd-sidedummy)類型、特殊陪片(ed-extradummy)類型等；現(xiàn)有方案中還需要提前設(shè)定stocker中的所有緩沖區(qū)buffer類型(如p-product、m-monitor、sd-sidedummy、ed-extradummy等)，與物料類型一致。物料進(jìn)行carrierin時，會將不同類型的物料放置到stocker中對應(yīng)的buffer類型中，如果對應(yīng)類型已占滿，設(shè)備會給出報警。

35.carrierin流程如圖2所示，具體包括：在load port上放入foup，然后指定foup類型，執(zhí)行carrierin動作，檢測stocker中是否有對應(yīng)類型的空位，若有，則將foup放入stocker中，執(zhí)行map操作，若沒有則進(jìn)行預(yù)警。

36.此外，物料從stocker中經(jīng)過loadlock，全部傳送到工藝腔室pm的過程稱之為裝載(charge)。在charge階段，首先根據(jù)物料傳送的優(yōu)先級，將優(yōu)先級高的類型對應(yīng)的foup中的

wafer逐一傳送到pm對應(yīng)的位置，全部傳送完成后，再傳送優(yōu)先級次高的foup中的wafer，直到將參加本次工藝所需要的wafer全部傳送到pm中。

37.charge流程如圖3所示，具體包括：獲取所選中的foup物料以及所選物料的wafer信息，檢測wafer類型數(shù)量是否與工藝配方(recipe)一致，即判定是否滿足工藝數(shù)量要求，若不一致則進(jìn)行拋出報警；若一致，則按類型順序獲取foup，即逐一遍歷foup，記foup遍歷參數(shù)為0，每遍歷自增；判斷pm傳取規(guī)則是從上向下(top down)還是從下到上(bottom up)；若是top down，則從高到低獲取該foup中對應(yīng)wafer數(shù)量的pm位置，若是bottom up，則從低到高獲取該foup中對應(yīng)wafer數(shù)量的pm位置；然后指定foup的charge路徑(stocker-》loadlock-》stocker，

“?

》”表示傳輸至的意思，即從stocker傳輸至loadlock，然后再反向傳輸至stocker)，調(diào)度優(yōu)先級為當(dāng)前foup遍歷參數(shù)；再然后判斷foup遍歷順序是top down還是bottom up；若為top down，則從高到低遍歷foup中的wafer，若是bottom up，則從低到高遍歷foup中的wafer；再然后指定wafer的charge路徑(load lock c/d-》pm)，并指定wafer優(yōu)先級為遍歷順序，判斷wafer是否遍歷完成，若未完成則繼續(xù)遍歷，若完成則檢測foup是否均遍歷完成，若不是則繼續(xù)遍歷foup，若是則結(jié)束。通過以上步驟確定了所選物料的全部優(yōu)先級和路徑，對該物料進(jìn)行對應(yīng)move序列計(jì)算，根據(jù)優(yōu)先級和路徑生成對應(yīng)的組合move并分解下發(fā)執(zhí)行，直至charge完成。

38.此外，物料從pm中全部傳回到stocker對應(yīng)的位置上的過程稱之為卸載(discharge)。在discharge階段，現(xiàn)有調(diào)度算法根據(jù)逆charge過程，只能將wafer傳回到原來的foup中。

39.discharge流程如圖4所示，具體包括：檢測stocker中p類型foup是否存在，若不存在則拋出報警，若存在則按類型獲取一foup；遍歷foup，獲取p類型foup，創(chuàng)建foup路徑(stocker-》load lock c/d-》stocker)，foup放入完畢；然后觸發(fā)單臂discharge計(jì)算方式，獲取當(dāng)前foup中wafer片所在位置，并構(gòu)建wafer路徑(pm-》load lock c/d)，順序遍歷該foup內(nèi)wafer；若foup內(nèi)wafer未完成discharge，則繼續(xù)遍歷foup內(nèi)wafer，若foup內(nèi)wafer完成discharge，則將load lock c/d口foup取回stocker；最后檢測foup是否均遍歷完成，若沒有則繼續(xù)遍歷，若均遍歷完成則結(jié)束。

40.現(xiàn)有的半導(dǎo)體立式工藝爐的調(diào)度算法在charge階段可以將foup中的wafer傳送到pm對應(yīng)位置，但是在discharge階段只能將pm中的wafer傳回到原來的foup中，不能滿足新型bonding wafer(鍵合晶圓)工藝設(shè)備對傳取片的需求，無法滿足對同一插槽(slot)位置的wafer，工藝前疊加在一起的wafer當(dāng)做一個wafer進(jìn)行傳送，工藝后疊加在一起的wafer分成兩片，變成兩個wafer，并且需要傳送到不同的foup中的需求。

41.此外，現(xiàn)有的bonding wafer分離的設(shè)備是通過研磨的方式，將bonding在一起的不同類型的wafer進(jìn)行研磨，直到下片wafer基本消失。此種方法效率較低，并且產(chǎn)品的工藝結(jié)果不是很好。

42.針對此，本實(shí)施例提供一種晶圓的調(diào)度方法，針對新型bonding wafer工藝設(shè)備，該機(jī)型的物料在進(jìn)入pm前每兩片重疊于一起，放在一個foup的一個slot位置，在進(jìn)入pm反應(yīng)完成后，疊在一起的wafer由于受到溫度和工藝氣體的影響將自動分離。每兩片wafer中通常上片為真實(shí)的產(chǎn)片(product)片，可以指定為product類型，下片為輔助product的片子，可以指定為productdummyproduct(pdp)類型(具體類型根據(jù)真實(shí)工藝wafer類型確定)。

工藝傳取片明確要求在工藝前按一片處理，在工藝結(jié)束后分開放入foup中。本實(shí)施例通過確定與第一晶圓所對應(yīng)的源foup和用于卸載第二晶圓的空置foup，其中源foup為工藝前就用于承載bonding wafer的foup，并將第一晶圓傳輸至源foup，將第二晶圓傳輸至所述空置foup，實(shí)現(xiàn)了將不同的晶圓傳送回不同的foup中，解決了現(xiàn)有的bonding wafer不能按照需求進(jìn)行傳輸?shù)膯栴}；此外，通過將晶圓分離傳送，這使得一次工藝可以傳輸更多的分離晶圓，提高了分離效率，避免了將鍵合晶圓中的其中一個晶圓研磨至消失導(dǎo)致的效率低的問題，且提高了工藝效果。

43.下面結(jié)合附圖，通過具體的實(shí)施例及其應(yīng)用場景對本技術(shù)實(shí)施例提供的道具的產(chǎn)出方法進(jìn)行詳細(xì)地說明。

44.圖5示出了本發(fā)明的一個實(shí)施例提供的一種晶圓的調(diào)度方法，該方法可以由電子設(shè)備執(zhí)行，該電子設(shè)備可以包括：服務(wù)器和/或終端設(shè)備。換言之，該方法可以由安裝在該電子設(shè)備的軟件或硬件來執(zhí)行。

45.其中，本實(shí)施例的應(yīng)用場景為，晶圓盒中存儲有鍵合晶圓，且工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓會在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓。

46.具體的，鍵合晶圓在進(jìn)入工藝腔室前每兩片重疊于一起，放在一個晶圓盒的一個插槽位置，在進(jìn)入工藝腔室反應(yīng)完成后，疊在一起的鍵合晶圓由于受到溫度和工藝氣體的影響將自動分離。

47.針對該場景，本實(shí)施例給出了主要對應(yīng)discharge階段的調(diào)度方法，該調(diào)度方法包括如下步驟：

48.步驟501：在工藝腔室中對鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為第一晶圓和第二晶圓之后，確定與第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒。

49.其中，源晶圓盒為工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒。

50.空置晶圓盒可以為未指定類型的晶圓盒，這使得無論第二晶圓為何種類型，均能夠通過空置晶圓盒進(jìn)行裝載。

51.具體的，針對工藝結(jié)束后的discharge階段，首先工藝后對工藝腔室中晶圓信息再次更新。若鍵合晶圓中的第一晶圓的類型為第一類型，第二晶圓的類型為第二類型，例如第一類型可以為p類型，第二類型可以為pdp類型(具體類型根據(jù)真實(shí)工藝晶圓類型確定)，則可以將p類型晶圓片劃分為上片，上片延用該片所有原晶圓信息；下片位置創(chuàng)建新增晶圓，晶圓類型為pdp，晶圓名稱為原名稱_b，例如，假設(shè)原晶圓名稱為pro1.1，那么下片位置的晶圓名稱為pro1.1_b。

52.步驟502：通過晶圓盒機(jī)械手將源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過晶圓盒機(jī)械手將空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位。

53.具體的，為了區(qū)分源晶圓盒和空置晶圓盒，且為了能夠同時傳輸?shù)谝痪A和第二晶圓，可以通過晶圓盒機(jī)械手將源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過晶圓盒機(jī)械手將空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位。

54.步驟503：通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將第一晶圓傳輸至放置于第一裝卸載位上的源晶圓盒，通過晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將第二晶圓傳輸至放置于第二裝卸載位上的空置晶圓盒。

55.具體的，在此可以將第一晶圓傳輸至源晶圓盒，并將第二晶圓傳輸至空置晶圓盒，

從而實(shí)現(xiàn)將分離的第一晶圓和第二晶圓傳送至兩個不同的晶圓盒中。

56.這樣，本實(shí)施例通過將第一晶圓傳輸至源晶圓盒，并將第二晶圓傳輸至空置晶圓盒，實(shí)現(xiàn)了將分離的第一晶圓和第二晶圓傳送至兩個不同的晶圓盒中，解決了現(xiàn)有的鍵合晶圓不能按照需求進(jìn)行傳輸?shù)膯栴}，且相對于將鍵合在一起的兩個晶圓進(jìn)行研磨，直到其中一個晶圓基本消失的方式，使得一次工藝能夠?qū)崿F(xiàn)較多片的晶圓分離，效率較高，且提高了晶圓的工藝效果。

57.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述鍵合晶圓和所述第一晶圓的類型為第一類型，所述第二晶圓的類型為第二類型，晶圓盒的類型與其承載的晶圓的類型相同，緩存區(qū)的類型默認(rèn)為未設(shè)置。在對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之前，還包括：

58.在裝載有所述鍵合晶圓的晶圓盒被傳輸至裝卸載口后，檢測存儲柜中是否有空閑的未設(shè)置類型的緩存區(qū)；

59.若檢測到所述存儲柜中有未設(shè)置類型的所述緩存區(qū)，則通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述晶圓盒運(yùn)輸至所述緩存區(qū)，并將裝載有所述晶圓盒的緩存區(qū)的類型更新為所述晶圓盒的類型；

60.通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述晶圓盒從所述緩存區(qū)傳輸至所述第一裝卸載位或所述第二裝卸載位，并通過所述晶圓機(jī)械手的所述第一機(jī)械臂或所述第二機(jī)械臂將所述鍵合晶圓傳輸至所述工藝腔室中。

61.具體的，在對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之前，存在一個將晶圓盒傳輸至存儲柜中的階段，可以稱為foupcarrierin階段。在該過程中，可以在裝載有所述鍵合晶圓的晶圓盒被傳輸至裝卸載口后，檢測存儲柜中是否有空閑的未設(shè)置類型的緩存區(qū)，若是則可以將晶圓盒傳輸至緩存區(qū)，并將裝載有所述晶圓盒的緩存區(qū)的類型更新為晶圓盒的類型。在本實(shí)施例中，不為存儲柜中空閑的緩存區(qū)設(shè)置類型，可以將晶圓盒運(yùn)輸至任一空閑的緩存區(qū)，之后再將裝載有所述晶圓盒的緩存區(qū)的類型更新為與晶圓盒相同的類型，這樣可以有效提高存儲柜中空閑的緩存區(qū)的利用率。

62.當(dāng)然，可選的，新型鍵合晶圓工藝設(shè)備在carrierin階段運(yùn)入疊片晶圓可以指定為p類型，其他類型物料指定類型延用(m-monitor、sd-sidedummy、ed-extradummy等)?？臻e的晶圓盒指定為新增的pdp類型(該類型為空盒標(biāo)志，具體類型可根據(jù)需求指定)。機(jī)臺內(nèi)存儲柜的緩存區(qū)類型采取不指定類型(unknown)方式，即緩存區(qū)在沒有晶圓盒放置時，類型為空(unknown)，只有當(dāng)晶圓盒放入到存儲柜對應(yīng)的緩存區(qū)位置時，此緩存區(qū)類型自動變?yōu)榕c晶圓盒類型一致。

63.例如，作為一個示例，假設(shè)緩存區(qū)(buffer)指定類型時，特殊陪片(ed)類型對應(yīng)有5個緩存區(qū)，產(chǎn)品片(p)類型對應(yīng)有10個緩存區(qū)，且不同類型的晶圓只能放入所對應(yīng)的緩存區(qū)中。此時，假設(shè)存儲柜內(nèi)只占用了一個ed類型的晶圓盒所對應(yīng)的緩存區(qū)，空余4個ed類型所對應(yīng)的緩存區(qū)，但是此時有12個product類型的晶圓盒需要運(yùn)入存儲柜，需要占用12個緩存區(qū)，而此時由于存儲柜中product類型只對應(yīng)10個緩存區(qū)，這導(dǎo)致12個product類型的晶圓盒沒有辦法一次運(yùn)入，只能分批次進(jìn)行工藝。而本技術(shù)采用不指定空閑的緩存區(qū)的類型，即緩存區(qū)的類型默認(rèn)為未設(shè)置，使得12個product類型的晶圓盒能夠隨意占用空閑的緩存區(qū)，從而避免了分批次進(jìn)行工藝的問題，從而能夠有效提高存儲柜中緩存區(qū)的利用率，提高

了工藝效率。

64.下面通過圖6所示的流程圖對上述carrierin階段的具體過程進(jìn)行說明。

65.其中，該過程具體包括：在load port上放入晶圓盒(foup)，然后指定晶圓盒類型，開始執(zhí)行carrierin動作；檢測存儲柜(stocker)中是否有空閑的位置(即buffer)，若有，則將晶圓盒放入存儲柜中的該空閑位置，并執(zhí)行map操作，設(shè)置該buffer的類型與晶圓盒的類型一致，若存儲柜中沒有空閑的位置則進(jìn)行預(yù)警。

66.在另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述確定與所述第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒，包括：

67.將存儲柜中的在工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒確定為所述源晶圓盒；檢測所述存儲柜中是否有未設(shè)置類型的可裝載所述第二晶圓且未放置晶圓的晶圓盒；若檢測結(jié)果為是，則將所述未放置晶圓的晶圓盒確定為所述空置晶圓盒。

68.具體的，未放置晶圓的晶圓盒未設(shè)置類型，這使得任意類型的晶圓均能夠放置于該晶圓盒中，提高了工藝效率。

69.此外，具體的，本實(shí)施例可以將在工藝前用于裝載鍵合晶圓的晶圓盒確定為用于裝置第一晶圓的源晶圓盒，從而使得所確定的源晶圓盒能夠裝載第一晶圓。此外，還需要檢測存儲柜中是否有能夠裝載第二晶圓且未放置晶圓的空置晶圓盒，若存在，則可以將該晶圓盒確定為用于裝載第二晶圓的空置晶圓盒。當(dāng)然，需要說明的是，若存儲柜中沒有能夠裝載第二晶圓且未放置晶圓的晶圓盒，則說明工藝腔室中的第二晶圓不能全部返回至存儲柜中，此時可以進(jìn)行報警以提示用戶。

70.此外，在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述通過晶圓盒機(jī)械手將所述源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位，包括：

71.設(shè)置所述源晶圓盒的第一運(yùn)輸路徑，其中所述第一運(yùn)輸路徑為從用于放置所述源晶圓盒的存儲柜傳輸至所述第一裝卸載位，并從所述第一裝卸載位返回至所述存儲柜中，其中返回至所述存儲柜中的源晶圓盒已裝載有所述第一晶圓；

72.設(shè)置所述空置晶圓盒的第二運(yùn)輸路徑，其中所述第二運(yùn)輸路徑為從用于放置所述空置晶圓盒的所述存儲柜運(yùn)輸至所述第二裝卸載位，并從所述第二裝卸載位返回至所述存儲柜中，其中返回至所述存儲柜中的空置晶圓盒已裝載有所述第二晶圓；

73.通過所述晶圓盒機(jī)械手基于所述第一運(yùn)輸路徑將所述源晶圓盒傳輸至所述第一裝卸載位，并基于所述第二運(yùn)輸路徑將所述空置晶圓盒傳輸至所述第二裝卸載位。

74.具體的，針對源晶圓盒，構(gòu)建存儲柜-》第一裝卸載位-》存儲柜的路徑，將源晶圓盒放入存儲柜的第一裝卸載位；并針對空置晶圓盒，構(gòu)建存儲柜-》第二裝卸載位-》存儲柜的路徑，將空置晶圓盒放入loadlock的第二裝卸載位，從而實(shí)現(xiàn)將晶圓盒傳輸至loadlock的相應(yīng)位置處。

75.此外，在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒，包括：

76.設(shè)置所述第一晶圓的第三運(yùn)輸路徑，其中所述第三運(yùn)輸路徑為從所述工藝腔室運(yùn)輸至所述第一裝卸載位；

77.設(shè)置所述第二晶圓的第四運(yùn)輸路徑，其中所述第四運(yùn)輸路徑為從所述工藝腔室傳

輸至所述第二裝卸載位；

78.基于所述第三運(yùn)輸路徑，通過所述第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位的所述源晶圓盒中；

79.基于所述第四運(yùn)輸路徑，通過所述第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位的所述空置晶圓盒中。

80.具體的，本實(shí)施例可以針對拆分后的第一晶圓和第二晶圓分別設(shè)置路徑，其中針對第一晶圓，構(gòu)建工藝腔室-》第一裝卸載位的路徑，從而將第一晶圓放入已放置在第一裝卸載位的源晶圓盒；并針對第二晶圓，構(gòu)建工藝腔室-》第二裝卸載位的路徑，從而將第二晶圓放入已放置在第二裝卸載位的空置晶圓盒，從而實(shí)現(xiàn)分別將第一晶圓和第二晶圓傳輸至不同的晶圓盒中。

81.此外，具體的，第一晶圓和第二晶圓在工藝腔室中的位置可以是上下位置關(guān)系，第一機(jī)械臂為帶吸盤手臂，可以吸取鍵合晶圓分離后的上片(即第一晶圓)；第二機(jī)械臂可以用于托片，可以托取鍵合晶圓分離后的下片(即第二晶圓)。這樣通過雙臂機(jī)械手將鍵合晶圓分離后的兩個晶圓分別傳送回不同的晶圓盒中，使得一次工藝可以實(shí)現(xiàn)較多片的晶圓分離，提高了分離效率，且保證了分離后的晶圓的工藝效果。

82.另外，在一種實(shí)現(xiàn)方式中，對應(yīng)于同一所述鍵合晶圓的所述第一晶圓和所述第二晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級相同；所述通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒，包括：

83.當(dāng)確定所述第一機(jī)械臂已將所述第一晶圓傳輸至所述源晶圓盒后，再通過所述第二機(jī)械臂將晶圓調(diào)度優(yōu)先級與所述第一晶圓相同的所述第二晶圓傳輸至所述空置晶圓盒中。

84.具體的，對應(yīng)同一鍵合晶圓的第一晶圓和第二晶圓可以設(shè)置相同的優(yōu)先級，即工藝腔室中同一位置的上下片(第一晶圓和第二晶圓)設(shè)置同一優(yōu)先級。此時對應(yīng)有相同優(yōu)先級的晶圓的兩個機(jī)械臂同時生成雙側(cè)動作，第一機(jī)械臂掛載第一晶圓，第二機(jī)械臂掛載第二晶圓，且針對同一優(yōu)先級的晶圓，第一機(jī)械臂完成第一晶圓的傳輸動作后，第二機(jī)械臂才允許傳輸?shù)诙A，從而保證第一機(jī)械臂和第二機(jī)械臂分開運(yùn)行且速度最大化。

85.此外，在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述晶圓盒的數(shù)量為多個，每個所述晶圓盒均可裝載多個所述鍵合晶圓；

86.所述對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之前，還包括：

87.獲取每個所述晶圓盒中每個所述鍵合晶圓的類型和所述鍵合晶圓的總數(shù)，判斷所述鍵合晶圓的類型和總數(shù)是否與所述工藝的工藝配方匹配；

88.若是，則遍歷每個所述晶圓盒，按照實(shí)際遍歷順序?yàn)槊總€所述晶圓盒設(shè)置晶圓盒調(diào)度優(yōu)先級以及第一運(yùn)輸路徑，同時確定每個所述晶圓盒中鍵合晶圓的數(shù)量和該晶圓盒中的鍵合晶圓在所述工藝腔室中的放置位置；

89.對于每個所述晶圓盒，按照第一預(yù)設(shè)順序遍歷其中的鍵合晶圓，并按照所述第一預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€鍵合晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，同時按照該晶圓盒中的鍵合晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個鍵合晶圓設(shè)置第五運(yùn)輸路徑，其中所述第五運(yùn)輸路徑為從所述第一裝卸載位或所述第二裝卸載位傳輸至所述工藝腔室；

90.根據(jù)所述晶圓盒調(diào)度優(yōu)先級、所述第一運(yùn)輸路徑、所述晶圓調(diào)度優(yōu)先級和所述第五運(yùn)輸路徑，將所述鍵合晶圓傳輸至所述工藝腔室中進(jìn)行工藝。

91.具體的，在晶圓盒的數(shù)量為多個，且每個晶圓盒均可裝載多個鍵合晶圓的情況下，在對鍵合晶圓進(jìn)行工藝分離前，需要判斷鍵合晶圓的類型和總數(shù)是否與所述工藝的工藝配方匹配，若匹配，則可以進(jìn)入下一步驟，若不匹配，則可以進(jìn)行預(yù)警。

92.此外，具體的，在將晶圓盒中的鍵合晶圓傳輸至工藝腔室的過程中，可以按照所有晶圓盒的實(shí)際遍歷順序?yàn)槊總€晶圓盒設(shè)置晶圓盒調(diào)度優(yōu)先級，例如實(shí)際遍歷順序越在前，晶圓盒調(diào)度優(yōu)先級越高；同時還可以按照所有晶圓盒的實(shí)際遍歷順序依次為每個晶圓盒設(shè)置第一運(yùn)輸路徑，該第一運(yùn)輸路徑為從用于放置源晶圓盒的存儲柜傳輸至第一裝卸載位；此外同時還需要確定每個所述晶圓盒中鍵合晶圓的數(shù)量和該晶圓盒中的鍵合晶圓在所述工藝腔室中的放置位置，以便于將每個所述晶圓盒中鍵合晶圓傳輸至在所述工藝腔室中的對應(yīng)放置位置上。

93.當(dāng)然，對于每個晶圓盒，還可以按照預(yù)先設(shè)置的第一預(yù)設(shè)順序遍歷其中的鍵合晶圓，并按照第一預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€鍵合晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，例如在第一預(yù)設(shè)順序中排序在前的晶圓調(diào)度優(yōu)先級高；同時按照該晶圓盒中的鍵合晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個鍵合晶圓設(shè)置第五運(yùn)輸路徑，從而使得能夠根據(jù)第五運(yùn)輸路徑將鍵合晶圓傳輸至工藝腔室中。

94.這樣，通過設(shè)置晶圓盒調(diào)度優(yōu)先級、每個晶圓盒的第一運(yùn)輸路徑、每個晶圓盒中鍵合晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級和每個鍵合晶圓的第五運(yùn)輸路徑，使得能夠根據(jù)該些參數(shù)傳輸晶圓盒和鍵合晶圓，實(shí)現(xiàn)將每個晶圓盒中每個鍵合晶圓均傳輸至工藝腔室中進(jìn)行工藝。

95.此外，可選的，通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒，包括：

96.獲取每個第一晶圓的類型、每個第二晶圓的類型、第一晶圓的總數(shù)和第二晶圓的總數(shù)，判斷所有第一晶圓的類型、所有第二晶圓的類型、第一晶圓的總數(shù)和第二晶圓的總數(shù)是否與所述工藝的工藝配方匹配；

97.若是，則確定與每個所述源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓的數(shù)量和所述源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓在所述工藝腔室中的放置位置，并確定與每個所述空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓的數(shù)量和所述空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓在所述工藝腔室中的放置位置；

98.針對每個所述源晶圓盒，按照第二預(yù)設(shè)順序遍歷所述源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓，并按照所述第二預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€所述第一晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，同時按照每個所述第一晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個所述第一晶圓設(shè)置第三運(yùn)輸路徑；

99.針對每個所述空置晶圓盒，按照所述第二預(yù)設(shè)順序遍歷所述空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓，并按照所述第二預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€所述第二晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，同時按照每個所述第二晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個所述第二晶圓設(shè)置第四運(yùn)輸路徑；

100.根據(jù)所述第一晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級和所述第三運(yùn)輸路徑，將所述第一晶圓傳輸至所對應(yīng)的所述源晶圓盒，并根據(jù)所述第二晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級和所述第四運(yùn)輸路徑，將所述第二晶圓傳輸至所對應(yīng)的所述空置晶圓盒。

101.具體的，在傳輸?shù)谝痪A和第二晶圓的過程中，可以先判斷所有第一晶圓的類型、

所有第二晶圓的類型、第一晶圓的總數(shù)和第二晶圓的總數(shù)是否與所述工藝的工藝配方匹配，若匹配則進(jìn)入下一步驟，若不匹配則進(jìn)行預(yù)警。

102.在確定匹配時，則針對每個源晶圓盒，可以先確定與每個源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓的數(shù)量和源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓在所述工藝腔室中的放置位置，然后按照預(yù)先設(shè)置的第二預(yù)設(shè)順序遍歷該源晶圓盒所對應(yīng)的所有第一晶圓，并按照該第二預(yù)設(shè)順序?yàn)樗鶎?yīng)的每個第一晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，例如在第二預(yù)設(shè)順序中排序在前的晶圓調(diào)度優(yōu)先級高；同時按照所對應(yīng)的每個第一晶圓在工藝腔室中的放置位置為每個第一晶圓設(shè)置第三運(yùn)輸路徑，從而使得能夠根據(jù)該第三運(yùn)輸路徑將第一晶圓傳輸至源晶圓盒中。

103.此外，針對每個空置晶圓盒，可以先確定與每個空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓的數(shù)量和空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓在所述工藝腔室中的放置位置，然后按照預(yù)先設(shè)置的第二預(yù)設(shè)順序遍歷該空置晶圓盒所對應(yīng)的所有第二晶圓，并按照該第二預(yù)設(shè)順序?yàn)樗鶎?yīng)的每個第二晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，例如在第二預(yù)設(shè)順序中排序在前的晶圓調(diào)度優(yōu)先級高；同時按照所對應(yīng)的每個第二晶圓在工藝腔室中的放置位置為每個第二晶圓設(shè)置第四運(yùn)輸路徑，從而使得能夠根據(jù)該第四運(yùn)輸路徑將第二晶圓傳輸至源晶圓盒中。

104.這樣，通過設(shè)置每個第一晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級、每個第一晶圓的第三運(yùn)輸路徑、每個第二晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級、每個第二晶圓的第四運(yùn)輸路徑，使得能夠根據(jù)該些參數(shù)傳輸?shù)谝痪A和第二晶圓，實(shí)現(xiàn)了將所有第一晶圓按序返回至原承載鍵合晶圓的源晶圓盒以及將所有第二晶圓按序返回至空置晶圓盒。

105.下面通過圖7對本技術(shù)中的一個實(shí)施例的具體過程進(jìn)行說明。

106.假設(shè)鍵合晶圓指定為p類型，工藝后對工藝腔室中晶圓信息再次更新，將p類型晶圓片劃分為上片，上片延用該片所有原晶圓信息；下片位置創(chuàng)建新增晶圓，晶圓類型為pdp。該過程具體包括：

107.檢測存儲柜中p類型晶圓盒是否存在，若不存在則拋出報警，若存在則檢測存儲柜中是否有足夠裝載工藝腔室中pdp類型晶圓的空置晶圓盒；

108.若沒有，則進(jìn)行報警；若有，則按遍歷順序獲取一p類型晶圓盒，并遍歷該p類型晶圓盒中的鍵合晶圓；

109.創(chuàng)建p類型晶圓盒路徑(存儲柜-》load lock c(對應(yīng)第一裝卸載位)-》存儲柜)，將p類型晶圓盒放入load lock c；

110.獲取pdp類型晶圓盒(即空置晶圓盒)，創(chuàng)建pdp類型晶圓盒路徑(存儲柜-》load lock d(對應(yīng)第二裝卸載位)-》存儲柜)，將pdp類型晶圓盒放入load lockd；

111.獲取所遍歷到的p類型晶圓盒中的鍵合晶圓在工藝腔室中的具體位置序列；

112.將獲取的位置上的上下片晶圓(即第一晶圓和第二晶圓)進(jìn)行拆分工藝，上片p類型(第一晶圓)構(gòu)建工藝腔室-》loadlockc路徑，掛載第一機(jī)械臂(arm1)；下片pdp類型(第二晶圓)構(gòu)建工藝腔室-》loadlockd路徑，掛載第二機(jī)械臂(arm2)。

113.順序遍歷該p類型晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓，并按照第一晶圓所對應(yīng)的構(gòu)建路徑，將第一晶圓傳輸至p類型晶圓盒中；同時遍歷空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓，并按照第二晶圓所對應(yīng)的構(gòu)建路徑，將第二晶圓傳輸至空置晶圓盒中。

114.針對同一工藝腔室位置的上下片(即第一晶圓和第二晶圓)設(shè)置同一優(yōu)先級；

115.遍歷該p類型晶圓盒中所有鍵合晶圓所對應(yīng)的第一晶圓和第二晶圓，直至第一晶

圓(上片)全部傳回該p類型晶圓盒中，第二晶圓(下片)全部傳回新空置晶圓盒中，全部傳回之后，將傳回的晶圓盒放回存儲柜；

116.重復(fù)上述，直到所有p類型晶圓盒遍歷完成；

117.針對在晶圓傳輸計(jì)算中包含相同優(yōu)先級不同手臂的晶圓，同時生成雙側(cè)運(yùn)動，第一機(jī)械臂掛載其晶圓并下發(fā)，第二機(jī)械臂掛載其晶圓并下發(fā)。設(shè)置下發(fā)前置條件，同一優(yōu)先級傳輸時，第一機(jī)械臂完成下發(fā)后，第二機(jī)械臂才允許下發(fā)，以保證機(jī)械手分開運(yùn)行且速度最大化。

118.這樣，通過上述步驟，實(shí)現(xiàn)了將同一鍵合晶圓所分離的不同晶圓傳送回不同的晶圓盒中，解決了現(xiàn)有的鍵合晶圓不能按照需求進(jìn)行傳輸?shù)膯栴}；此外，通過將晶圓分離傳送，這使得一次工藝可以傳輸更多的分離晶圓，提高了分離效率，避免了將鍵合晶圓中的其中一個晶圓研磨至消失導(dǎo)致的效率低的問題，且提高了工藝效果。

119.圖8示出本發(fā)明的一個實(shí)施例提供的一種晶圓的調(diào)度裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。該裝置用于調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和所述鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓。如圖8所示，一種晶圓的調(diào)度裝置包括：

120.確定模塊801，用于在工藝腔室中對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之后，確定與所述第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒，其中所述源晶圓盒為工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒；

121.第一傳輸模塊802，用于通過晶圓盒機(jī)械手將所述源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位；

122.第二傳輸模塊803，用于通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒。

123.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述鍵合晶圓和所述第一晶圓的類型為第一類型，所述第二晶圓的類型為第二類型，晶圓盒的類型與其承載的晶圓的類型相同，緩存區(qū)的類型默認(rèn)為未設(shè)置；

124.在對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之前，所述第一傳輸模塊802還用于，

125.在裝載有所述鍵合晶圓的晶圓盒被傳輸至裝卸載口后，檢測存儲柜中是否有空閑的未設(shè)置類型的緩存區(qū)；若檢測到所述存儲柜中有未設(shè)置類型的所述緩存區(qū)，則通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述晶圓盒運(yùn)輸至所述緩存區(qū)，并將裝載有所述晶圓盒的緩存區(qū)的類型更新為所述晶圓盒的類型；通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述晶圓盒從所述緩存區(qū)傳輸至所述第一裝卸載位或所述第二裝卸載位，并通過所述晶圓機(jī)械手的所述第一機(jī)械臂或所述第二機(jī)械臂將所述鍵合晶圓傳輸至所述工藝腔室中。

126.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述確定模塊801具體用于，將存儲柜中的在工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒確定為所述源晶圓盒；檢測所述存儲柜中是否有未設(shè)置類型的可裝載所述第二晶圓且未放置晶圓的晶圓盒；若檢測結(jié)果為是，則將所述未放置晶圓的晶圓盒確定為所述空置晶圓盒。

127.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一傳輸模塊802用于，設(shè)置所述源晶圓盒的第一運(yùn)輸路徑，其中所述第一運(yùn)輸路徑為從用于放置所述源晶圓盒的存儲柜傳輸至所述第一裝卸載

位，并從所述第一裝卸載位返回至所述存儲柜中，其中返回至所述存儲柜中的源晶圓盒已裝載有所述第一晶圓；設(shè)置所述空置晶圓盒的第二運(yùn)輸路徑，其中所述第二運(yùn)輸路徑為從用于放置所述空置晶圓盒的所述存儲柜運(yùn)輸至所述第二裝卸載位，并從所述第二裝卸載位返回至所述存儲柜中，其中返回至所述存儲柜中的空置晶圓盒已裝載有所述第二晶圓；通過所述晶圓盒機(jī)械手基于所述第一運(yùn)輸路徑將所述源晶圓盒傳輸至所述第一裝卸載位，并基于所述第二運(yùn)輸路徑將所述空置晶圓盒傳輸至所述第二裝卸載位。

128.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二傳輸模塊803具體用于，

129.設(shè)置所述第一晶圓的第三運(yùn)輸路徑，其中所述第三運(yùn)輸路徑為從所述工藝腔室傳輸至所述第一裝卸載位；設(shè)置所述第二晶圓的第四運(yùn)輸路徑，其中所述第四運(yùn)輸路徑為從所述工藝腔室傳輸至所述第二裝卸載位；基于所述第三運(yùn)輸路徑，通過所述第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位的所述源晶圓盒中；基于所述第四運(yùn)輸路徑，通過所述第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位的所述空置晶圓盒中。

130.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，對應(yīng)于同一鍵合晶圓的所述第一晶圓和第二晶圓的優(yōu)先級相同；

131.所述第二傳輸模塊803具體用于，當(dāng)確定所述第一機(jī)械臂已將所述第一晶圓傳輸至所述源晶圓盒后，再通過所述第二機(jī)械臂將晶圓調(diào)度優(yōu)先級與所述第一晶圓相同的所述第二晶圓傳輸至所述空置晶圓盒中。

132.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述晶圓盒的數(shù)量為多個，每個所述晶圓盒均可裝載多個所述鍵合晶圓，所述第一傳輸模塊802還用于，獲取每個所述晶圓盒中每個所述鍵合晶圓的類型和所述鍵合晶圓的總數(shù)，判斷所述鍵合晶圓的類型和總數(shù)是否與所述工藝的工藝配方匹配；若是，則遍歷每個所述晶圓盒，按照實(shí)際遍歷順序?yàn)槊總€所述晶圓盒設(shè)置晶圓盒調(diào)度優(yōu)先級以及第一運(yùn)輸路徑，同時確定每個所述晶圓盒中鍵合晶圓的數(shù)量和該晶圓盒中的鍵合晶圓在所述工藝腔室中的放置位置；對于每個所述晶圓盒，按照第一預(yù)設(shè)順序遍歷其中的鍵合晶圓，并按照所述第一預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€鍵合晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，同時按照該晶圓盒中的鍵合晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個鍵合晶圓設(shè)置第五運(yùn)輸路徑，其中所述第五運(yùn)輸路徑為從所述第一裝卸載位或所述第二裝卸載位傳輸至所述工藝腔室；根據(jù)所述晶圓盒調(diào)度優(yōu)先級、所述第一運(yùn)輸路徑、所述晶圓調(diào)度優(yōu)先級和所述第五運(yùn)輸路徑，將所述鍵合晶圓傳輸至所述工藝腔室中進(jìn)行工藝。

133.在一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二傳輸模塊803用于，獲取每個第一晶圓的類型、每個第二晶圓的類型、第一晶圓的總數(shù)和第二晶圓的總數(shù)，判斷所有第一晶圓的類型、所有第二晶圓的類型、第一晶圓的總數(shù)和第二晶圓的總數(shù)是否與所述工藝的工藝配方匹配；若是，則確定與每個所述源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓的數(shù)量和所述源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓在所述工藝腔室中的放置位置，并確定與每個所述空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓的數(shù)量和所述空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓在所述工藝腔室中的放置位置；針對每個所述源晶圓盒，按照第二預(yù)設(shè)順序遍歷所述源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓，并按照所述第二預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€所述第一晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，同時按照每個所述第一晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個所述第一晶圓設(shè)置第三運(yùn)輸路徑；針對每個所述空置晶圓盒，按照所述第二預(yù)設(shè)順序遍歷所述空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓，并按照所述第二預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€所述第二

晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，同時按照每個所述第二晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個所述第二晶圓設(shè)置第四運(yùn)輸路徑；根據(jù)所述第一晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級和所述第三運(yùn)輸路徑，將所述第一晶圓傳輸至所對應(yīng)的所述源晶圓盒，并根據(jù)所述第二晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級和所述第四運(yùn)輸路徑，將所述第二晶圓傳輸至所對應(yīng)的所述空置晶圓盒。

134.圖9示出本發(fā)明的一個實(shí)施例提供的一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。該半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括用于放置晶圓盒的存儲柜91、晶圓盒機(jī)械手92、第一裝卸載位93、第二裝卸載位94、具有第一機(jī)械臂和第二機(jī)械臂的晶圓機(jī)械手95以及工藝腔室96，還包括控制器97，所述控制器97用于采用上述任一晶圓的調(diào)度方法實(shí)施例調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和所述鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓。

135.本技術(shù)實(shí)施例提供的晶圓的調(diào)度裝置和半導(dǎo)體工藝設(shè)備均能夠?qū)崿F(xiàn)圖5至圖7的方法實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的各個過程，為避免重復(fù)，這里不再贅述。

136.需要說明的是，本說明書中關(guān)于晶圓的調(diào)度裝置的實(shí)施例與本說明書中關(guān)于晶圓的調(diào)度方法的實(shí)施例基于同一發(fā)明構(gòu)思，因此關(guān)于晶圓的調(diào)度裝置實(shí)施例的具體實(shí)施可以參見前述對應(yīng)的關(guān)于晶圓的調(diào)度方法實(shí)施例的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

137.本技術(shù)實(shí)施例中的晶圓的調(diào)度裝置可以是裝置，也可以是終端中的部件、集成電路、或芯片。該裝置可以是移動電子設(shè)備，也可以為非移動電子設(shè)備。示例性的，移動電子設(shè)備可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、掌上電腦、車載電子設(shè)備、可穿戴設(shè)備、超級移動個人計(jì)算機(jī)(ultra-mobile personal computer，umpc)、上網(wǎng)本或者個人數(shù)字助理(personal digital assistant，pda)等，非移動電子設(shè)備可以為服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)附屬存儲器(network attached storage，nas)、個人計(jì)算機(jī)(personal computer，pc)、電視機(jī)(television，tv)、柜員機(jī)或者自助機(jī)等，本技術(shù)實(shí)施例不作具體限定。

138.本技術(shù)實(shí)施例中的晶圓的調(diào)度裝置可以為具有操作系統(tǒng)的裝置。該操作系統(tǒng)可以為安卓(android)操作系統(tǒng)，可以為ios操作系統(tǒng)，還可以為其他可能的操作系統(tǒng)，本技術(shù)實(shí)施例不作具體限定。

139.基于相同的技術(shù)構(gòu)思，本技術(shù)實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備用于執(zhí)行上述的晶圓的調(diào)度方法，圖10為實(shí)現(xiàn)本技術(shù)各個實(shí)施例的一種電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。電子設(shè)備可因配置或性能不同而產(chǎn)生比較大的差異，可以包括處理器(processor)1010、通信接口(communications interface)1020、存儲器(memory)1030和通信總線1040，其中，處理器1010，通信接口1020，存儲器1030通過通信總線1040完成相互間的通信。處理器1010可以調(diào)用存儲在存儲器1030上并可在處理器1010上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，以執(zhí)行下述步驟：

140.在工藝腔室中對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之后，確定與所述第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒，其中所述源晶圓盒為工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒；

141.通過晶圓盒機(jī)械手將所述源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位；

142.通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒。

143.具體執(zhí)行步驟可以參見上述晶圓的調(diào)度方法實(shí)施例的各個步驟，且能達(dá)到相同的

技術(shù)效果，為避免重復(fù)，這里不再贅述。

144.需要說明的是，本技術(shù)實(shí)施例中的電子設(shè)備包括：服務(wù)器、終端或除終端之外的其他設(shè)備。

145.以上電子設(shè)備結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對電子設(shè)備的限定，電子設(shè)備可以包括比圖示更多或更少的部件，或者組合某些部件，或者不同的部件布置，例如，輸入單元，可以包括圖形處理器(graphics processing unit，gpu)和麥克風(fēng)，顯示單元可以采用液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管等形式來配置顯示面板。用戶輸入單元包括觸控面板以及其他輸入設(shè)備中的至少一種。觸控面板也稱為觸摸屏。其他輸入設(shè)備可以包括但不限于物理鍵盤、功能鍵(比如音量控制按鍵、開關(guān)按鍵等)、軌跡球、鼠標(biāo)、操作桿，在此不再贅述。

146.存儲器可用于存儲軟件程序以及各種數(shù)據(jù)。存儲器可主要包括存儲程序或指令的第一存儲區(qū)和存儲數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)，其中，第一存儲區(qū)可存儲操作系統(tǒng)、至少一個功能所需的應(yīng)用程序或指令(比如聲音播放功能、圖像播放功能等)等。此外，存儲器可以包括易失性存儲器或非易失性存儲器，或者，存儲器可以包括易失性和非易失性存儲器兩者。其中，非易失性存儲器可以是只讀存儲器(read-only memory，rom)、可編程只讀存儲器(programmable rom，prom)、可擦除可編程只讀存儲器(erasable prom，eprom)、電可擦除可編程只讀存儲器(electrically eprom，eeprom)或閃存。易失性存儲器可以是隨機(jī)存取存儲器(random access memory，ram)，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(static ram，sram)、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic ram，dram)、同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(synchronous dram，sdram)、雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(double data rate sdram，ddrsdram)、增強(qiáng)型同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(enhanced sdram，esdram)、同步連接動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(synch link dram，sldram)和直接內(nèi)存總線隨機(jī)存取存儲器(direct rambus ram，drram)。

147.處理器可包括一個或多個處理單元；可選的，處理器集成應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)處理器，其中，應(yīng)用處理器主要處理涉及操作系統(tǒng)、用戶界面和應(yīng)用程序等的操作，調(diào)制解調(diào)處理器主要處理無線通信信號，如基帶處理器?？梢岳斫獾氖?，上述調(diào)制解調(diào)處理器也可以不集成到處理器中。

148.本技術(shù)實(shí)施例還提供一種可讀存儲介質(zhì)，所述可讀存儲介質(zhì)上存儲有程序或指令，該程序或指令被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)上述晶圓的調(diào)度方法實(shí)施例的各個過程，且能達(dá)到相同的技術(shù)效果，為避免重復(fù)，這里不再贅述。

149.其中，所述處理器為上述實(shí)施例中所述的電子設(shè)備中的處理器。所述可讀存儲介質(zhì)，包括計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，如計(jì)算機(jī)只讀存儲器(read-only memory，rom)、隨機(jī)存取存儲器(random access memory，ram)、磁碟或者光盤等。

150.本技術(shù)實(shí)施例另提供了一種芯片，所述芯片包括處理器和通信接口，所述通信接口和所述處理器耦合，所述處理器用于運(yùn)行程序或指令，實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的各個過程，且能達(dá)到相同的技術(shù)效果，為避免重復(fù)，這里不再贅述。

151.應(yīng)理解，本技術(shù)實(shí)施例提到的芯片還可以稱為系統(tǒng)級芯片、系統(tǒng)芯片、芯片系統(tǒng)或片上系統(tǒng)芯片等。

152.需要說明的是，在本文中，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者裝置不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者裝置所固有

的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個

……”

限定的要素，并不排除在包括該要素的過程、方法、物品或者裝置中還存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本技術(shù)實(shí)施方式中的方法和裝置的范圍不限按示出或討論的順序來執(zhí)行功能，還可包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時的方式或按相反的順序來執(zhí)行功能，例如，可以按不同于所描述的次序來執(zhí)行所描述的方法，并且還可以添加、省去、或組合各種步驟。另外，參照某些示例所描述的特征可在其他示例中被組合。

153.通過以上的實(shí)施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到上述實(shí)施例方法可借助軟件加必需的通用硬件平臺的方式來實(shí)現(xiàn)，當(dāng)然也可以通過硬件，但很多情況下前者是更佳的實(shí)施方式。基于這樣的理解，本技術(shù)的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)(如rom/ram、磁碟、光盤)中，包括若干指令用以使得一臺終端(可以是手機(jī)，計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，空調(diào)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本技術(shù)各個實(shí)施例所述的方法。

154.上面結(jié)合附圖對本技術(shù)的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本技術(shù)并不局限于上述的具體實(shí)施方式，上述的具體實(shí)施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本技術(shù)的啟示下，在不脫離本技術(shù)宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，均屬于本技術(shù)的保護(hù)之內(nèi)。技術(shù)特征：

1.一種晶圓的調(diào)度方法，其特征在于，用于調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和所述鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓；所述調(diào)度方法包括：在工藝腔室中對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之后，確定與所述第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒，其中所述源晶圓盒為工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒；通過晶圓盒機(jī)械手將所述源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位；通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)度方法，其特征在于，所述鍵合晶圓和所述第一晶圓的類型為第一類型，所述第二晶圓的類型為第二類型，晶圓盒的類型與其承載的晶圓的類型相同，緩存區(qū)的類型默認(rèn)為未設(shè)置；在對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之前，還包括：在裝載有所述鍵合晶圓的晶圓盒被傳輸至裝卸載口后，檢測存儲柜中是否有空閑的未設(shè)置類型的緩存區(qū)；若檢測到所述存儲柜中有未設(shè)置類型的所述緩存區(qū)，則通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述晶圓盒運(yùn)輸至所述緩存區(qū)，并將裝載有所述晶圓盒的緩存區(qū)的類型更新為所述晶圓盒的類型；通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述晶圓盒從所述緩存區(qū)傳輸至所述第一裝卸載位或所述第二裝卸載位，并通過所述晶圓機(jī)械手的所述第一機(jī)械臂或所述第二機(jī)械臂將所述鍵合晶圓傳輸至所述工藝腔室中。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)度方法，其特征在于，所述確定與所述第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒，包括：將存儲柜中的在工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒確定為所述源晶圓盒；檢測所述存儲柜中是否有未設(shè)置類型的可裝載所述第二晶圓且未放置晶圓的晶圓盒；若檢測結(jié)果為是，則將所述未放置晶圓的晶圓盒確定為所述空置晶圓盒。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)度方法，其特征在于，所述通過晶圓盒機(jī)械手將所述源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位，包括：設(shè)置所述源晶圓盒的第一運(yùn)輸路徑，其中所述第一運(yùn)輸路徑為從用于放置所述源晶圓盒的存儲柜傳輸至所述第一裝卸載位，并從所述第一裝卸載位返回至所述存儲柜中，其中返回至所述存儲柜中的源晶圓盒已裝載有所述第一晶圓；設(shè)置所述空置晶圓盒的第二運(yùn)輸路徑，其中所述第二運(yùn)輸路徑為從用于放置所述空置晶圓盒的所述存儲柜運(yùn)輸至所述第二裝卸載位，并從所述第二裝卸載位返回至所述存儲柜中，其中返回至所述存儲柜中的空置晶圓盒已裝載有所述第二晶圓；通過所述晶圓盒機(jī)械手基于所述第一運(yùn)輸路徑將所述源晶圓盒傳輸至所述第一裝卸載位，并基于所述第二運(yùn)輸路徑將所述空置晶圓盒傳輸至所述第二裝卸載位。5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的調(diào)度方法，其特征在于，所述通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械

臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒，包括：設(shè)置所述第一晶圓的第三運(yùn)輸路徑，其中所述第三運(yùn)輸路徑為從所述工藝腔室傳輸至所述第一裝卸載位；設(shè)置所述第二晶圓的第四運(yùn)輸路徑，其中所述第四運(yùn)輸路徑為從所述工藝腔室傳輸至所述第二裝卸載位；基于所述第三運(yùn)輸路徑，通過所述第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位的所述源晶圓盒中；基于所述第四運(yùn)輸路徑，通過所述第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位的所述空置晶圓盒中。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)度方法，其特征在于，對應(yīng)于同一所述鍵合晶圓的所述第一晶圓和所述第二晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級相同；所述通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒，包括：當(dāng)確定所述第一機(jī)械臂已將所述第一晶圓傳輸至所述源晶圓盒后，再通過所述第二機(jī)械臂將晶圓調(diào)度優(yōu)先級與所述第一晶圓相同的所述第二晶圓傳輸至所述空置晶圓盒中。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的調(diào)度方法，其特征在于，所述晶圓盒的數(shù)量為多個，每個所述晶圓盒均可裝載多個所述鍵合晶圓；所述對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之前，還包括：獲取每個所述晶圓盒中每個所述鍵合晶圓的類型和所述鍵合晶圓的總數(shù)，判斷所述鍵合晶圓的類型和總數(shù)是否與所述工藝的工藝配方匹配；若是，則遍歷每個所述晶圓盒，按照實(shí)際遍歷順序?yàn)槊總€所述晶圓盒設(shè)置晶圓盒調(diào)度優(yōu)先級以及第一運(yùn)輸路徑，同時確定每個所述晶圓盒中鍵合晶圓的數(shù)量和該晶圓盒中的鍵合晶圓在所述工藝腔室中的放置位置；對于每個所述晶圓盒，按照第一預(yù)設(shè)順序遍歷其中的鍵合晶圓，并按照所述第一預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€鍵合晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，同時按照該晶圓盒中的鍵合晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個鍵合晶圓設(shè)置第五運(yùn)輸路徑，其中所述第五運(yùn)輸路徑為從所述第一裝卸載位或所述第二裝卸載位傳輸至所述工藝腔室；根據(jù)所述晶圓盒調(diào)度優(yōu)先級、所述第一運(yùn)輸路徑、所述晶圓調(diào)度優(yōu)先級和所述第五運(yùn)輸路徑，將所述鍵合晶圓傳輸至所述工藝腔室中進(jìn)行工藝。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的調(diào)度方法，其特征在于，所述通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒，包括：獲取每個第一晶圓的類型、每個第二晶圓的類型、第一晶圓的總數(shù)和第二晶圓的總數(shù)，判斷所有第一晶圓的類型、所有第二晶圓的類型、第一晶圓的總數(shù)和第二晶圓的總數(shù)是否與所述工藝的工藝配方匹配；若是，則確定與每個所述源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓的數(shù)量和所述源晶圓盒所對應(yīng)的

第一晶圓在所述工藝腔室中的放置位置，并確定與每個所述空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓的數(shù)量和所述空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓在所述工藝腔室中的放置位置；針對每個所述源晶圓盒，按照第二預(yù)設(shè)順序遍歷所述源晶圓盒所對應(yīng)的第一晶圓，并按照所述第二預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€所述第一晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，同時按照每個所述第一晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個所述第一晶圓設(shè)置第三運(yùn)輸路徑；針對每個所述空置晶圓盒，按照所述第二預(yù)設(shè)順序遍歷所述空置晶圓盒所對應(yīng)的第二晶圓，并按照所述第二預(yù)設(shè)順序?yàn)槊總€所述第二晶圓設(shè)置晶圓調(diào)度優(yōu)先級，同時按照每個所述第二晶圓在所述工藝腔室中的放置位置為每個所述第二晶圓設(shè)置第四運(yùn)輸路徑；根據(jù)所述第一晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級和所述第三運(yùn)輸路徑，將所述第一晶圓傳輸至所對應(yīng)的所述源晶圓盒，并根據(jù)所述第二晶圓的晶圓調(diào)度優(yōu)先級和所述第四運(yùn)輸路徑，將所述第二晶圓傳輸至所對應(yīng)的所述空置晶圓盒。9.一種晶圓的調(diào)度裝置，其特征在于，用于調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和所述鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓；所述調(diào)度裝置包括：確定模塊，用于在工藝腔室中對所述鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為所述第一晶圓和所述第二晶圓之后，確定與所述第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載所述第二晶圓的空置晶圓盒，其中所述源晶圓盒為工藝前用于裝載所述鍵合晶圓的晶圓盒；第一傳輸模塊，用于通過晶圓盒機(jī)械手將所述源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過所述晶圓盒機(jī)械手將所述空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位；第二傳輸模塊，用于通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將所述第一晶圓傳輸至放置于所述第一裝卸載位上的所述源晶圓盒，通過所述晶圓機(jī)械手的第二機(jī)械臂將所述第二晶圓傳輸至放置于所述第二裝卸載位上的所述空置晶圓盒。10.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括用于放置晶圓盒的存儲柜、晶圓盒機(jī)械手、第一裝卸載位、第二裝卸載位、具有第一機(jī)械臂和第二機(jī)械臂的晶圓機(jī)械手以及工藝腔室，其特征在于，還包括控制器，所述控制器用于采用權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的晶圓的調(diào)度方法調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和所述鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓。

技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明公開了一種晶圓的調(diào)度方法、裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，用于調(diào)度工藝前由兩個晶圓鍵合形成的鍵合晶圓和鍵合晶圓在工藝后分離為的第一晶圓和第二晶圓；調(diào)度方法包括：在工藝腔室中對鍵合晶圓進(jìn)行工藝將其分離為第一晶圓和第二晶圓之后，確定與第一晶圓所對應(yīng)的源晶圓盒和可用于裝載第二晶圓的空置晶圓盒，源晶圓盒為工藝前用于裝載鍵合晶圓的晶圓盒；通過晶圓盒機(jī)械手將源晶圓盒傳輸至第一裝卸載位，通過晶圓盒機(jī)械手將空置晶圓盒傳輸至第二裝卸載位；通過晶圓機(jī)械手的第一機(jī)械臂將第一晶圓傳輸至放置于第一裝卸載位上的源晶圓盒，通過第二機(jī)械臂將第二晶圓傳輸至放置于第二裝卸載位上的空置晶圓盒。本發(fā)明提供了新型的鍵合晶圓調(diào)度方案。鍵合晶圓調(diào)度方案。鍵合晶圓調(diào)度方案。

技術(shù)研發(fā)人員：鐘結(jié)實(shí) 梁妍 郭訓(xùn)容 張立超

受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司

技術(shù)研發(fā)日：2022.05.07

技術(shù)公布日：2022/8/8