本發(fā)明公開了一種利用PLD制備Al摻雜Hf
0.5Zr
0.5O
2鐵電薄膜電容器的方法,屬于導(dǎo)電材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述方法通過使用脈沖激光沉積方法沉積薄膜,控制激光能量密度、襯底溫度、氧分壓、沉積時(shí)間等研究Al摻雜Hf
0.5Zr
0.5O
2鐵電薄膜的生長工藝與特性,并最終得到TiN/Al?Hf
0.5Zr
0.5O
2/TiN/Pt/Ti/SiO
2/Si的MIM結(jié)構(gòu)電容器。本發(fā)明制備的鐵電薄膜,與現(xiàn)有技術(shù)的
鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鐵電薄膜相比,具有與CMOS器件的兼容性好、可集成性高、鐵電層厚度尺寸小、熱穩(wěn)定性好和化學(xué)穩(wěn)定性高的特點(diǎn),經(jīng)過高溫快速退火處理工藝后的薄膜,具有介電常數(shù)大、剩余極化強(qiáng)度大、漏電流小的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“利用PLD制備Al摻雜Hf0.5Zr0.5O2鐵電薄膜電容器的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)