權(quán)利要求書(shū)： 1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，依次包括如下步驟：對(duì)N型晶體硅片進(jìn)行清洗和制絨處理；

在所述晶體硅片的正面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成依次層疊的P型發(fā)射極和硼硅玻璃層，用酸溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片背面的硼硅玻璃；

在所述晶體硅片的背面制備隧穿氧化層，在所述隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層和磷硅玻璃層，用酸溶液或堿溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片正面的多晶硅和磷硅玻璃；

通過(guò)高溫退火工藝，將所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層中的磷摻雜到所述晶體硅片背面的多晶硅層和所述晶體硅片中；

用酸溶液去除所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層和正面的硼硅玻璃層；

在所述晶體硅片的正面和背面分別沉積鈍化膜層；

在所述晶體硅片的正面和背面分別制備金屬電極。

2.一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，依次包括如下步驟：對(duì)N型晶體硅片進(jìn)行清洗和制絨處理；

在所述晶體硅片的正面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成依次層疊的P型發(fā)射極和硼硅玻璃層，用酸溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片背面的硼硅玻璃；

在所述晶體硅片的背面制備隧穿氧化層，在所述隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層和磷硅玻璃層，用酸溶液或堿溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片正面的磷硅玻璃；

通過(guò)高溫退火工藝，將所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層中的磷摻雜到所述晶體硅片背面的多晶硅層和所述晶體硅片中；

用酸溶液去除所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層、擴(kuò)散至所述晶體硅片正面的多晶硅和所述晶體硅片正面的硼硅玻璃層；

在所述晶體硅片的正面和背面分別沉積鈍化膜層；

在所述晶體硅片的正面和背面分別制備金屬電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述酸溶液選自硝酸、氫氟酸或其混合物；和/或：所述堿溶液選自氫氧化鈉、氫氧化鉀或其混合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，在所述隧穿氧化層上沉積多晶硅層的方法選自LPCD或PECD。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，在所述多晶硅層上沉積所述磷硅玻璃層的方法選自LPCD、PECD或擴(kuò)散沉積法。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述隧穿氧化層上的多晶硅層的厚度為30～200nm；

所述隧穿氧化層上的多晶硅層的沉積溫度為500～650℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述多晶硅層上的磷硅玻璃層的厚度為10～100nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述多晶硅層上的磷硅玻璃層的沉積溫度為500～800℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述高溫退火工藝中，退火溫度為750～1000℃。

10.一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其特征在于，采用如權(quán)利要求1或2所述的方法制備，所述晶體硅太陽(yáng)能電池包括：N型晶體硅片；設(shè)于所述N型晶體硅片正面的P型發(fā)射極、正面鈍化層和正面金屬電極；設(shè)于所述N型晶體硅片背面的隧穿氧化層、利用磷硅玻璃作為摻雜源形成的摻雜多晶硅層、背面鈍化層和背面金屬電極。

說(shuō)明書(shū)： 一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法及晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法及晶體硅太陽(yáng)能電池。背景技術(shù)[0002] 太陽(yáng)能電池作為太陽(yáng)能利用的重要方式之一，在世界各國(guó)得到技術(shù)研發(fā)及推廣。經(jīng)過(guò)近年來(lái)的發(fā)展，多種太陽(yáng)能電池材料已經(jīng)被開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。其中，晶體硅太陽(yáng)能電池因其光電轉(zhuǎn)換效率高、原材料充足等優(yōu)點(diǎn)，占據(jù)了光伏市場(chǎng)很大的市場(chǎng)份額。

[0003] 然而，晶體硅太陽(yáng)能電池仍在結(jié)構(gòu)、制備工藝等方面存在改進(jìn)的需求。以TOPCON高效太陽(yáng)能電池為例，其背面摻雜多數(shù)通過(guò)磷擴(kuò)散或離子注入加退火的方式實(shí)現(xiàn)。但是，磷擴(kuò)散極易造成繞擴(kuò)，且會(huì)與正面LPCD制備的多晶硅發(fā)生繞鍍反應(yīng)，造成去繞鍍困難。離子注入的方式雖然可實(shí)現(xiàn)單面摻雜，但是設(shè)備昂貴，維護(hù)成本極高。[0004] 因而，如何改進(jìn)晶體硅太陽(yáng)能電池的制備工藝，以簡(jiǎn)化工藝流程、降低制備成本并進(jìn)一步提高晶體硅太陽(yáng)能電池的質(zhì)量和性能，是光伏電池技術(shù)領(lǐng)域的研究課題。發(fā)明內(nèi)容[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法及晶體硅太陽(yáng)能電池。[0006] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的第一方面提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，包括如下步驟：[0007] 對(duì)N型晶體硅片進(jìn)行清洗和制絨處理；[0008] 在所述晶體硅片的正面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成依次層疊的P型發(fā)射極和硼硅玻璃層，用酸溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片背面的硼硅玻璃；[0009] 在所述晶體硅片的背面制備隧穿氧化層，在所述隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層和磷硅玻璃層，用酸溶液或堿溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片正面的多晶硅和磷硅玻璃；[0010] 通過(guò)高溫退火工藝，將所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層中的磷摻雜到所述晶體硅片背面的多晶硅層和所述晶體硅片中；[0011] 用酸溶液去除所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層和正面的硼硅玻璃層；[0012] 在所述晶體硅片的正面和背面分別沉積鈍化膜層；[0013] 在所述晶體硅片的正面和背面分別制備金屬電極。[0014] 作為另外一種并列可選的方案，本發(fā)明的第一方面所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，也可包括如下步驟：[0015] 對(duì)N型晶體硅片進(jìn)行清洗和制絨處理；[0016] 在所述晶體硅片的正面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成依次層疊的P型發(fā)射極和硼硅玻璃層，用酸溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片背面的硼硅玻璃；[0017] 在所述晶體硅片的背面制備隧穿氧化層，在所述隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層和磷硅玻璃層，用酸溶液或堿溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片正面的磷硅玻璃；[0018] 通過(guò)高溫退火工藝，將所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層中的磷摻雜到所述晶體硅片背面的多晶硅層和所述晶體硅片中；[0019] 用酸溶液去除所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層、擴(kuò)散至所述晶體硅片正面的多晶硅和所述晶體硅片正面的硼硅玻璃層；[0020] 在所述晶體硅片的正面和背面分別沉積鈍化膜層；[0021] 在所述晶體硅片的正面和背面分別制備金屬電極。[0022] 相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明在晶體硅片的背面制備隧穿氧化層之后，在隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層，并在多晶硅層上繼續(xù)沉積磷硅玻璃層，以該沉積的磷硅玻璃層為后續(xù)的磷摻雜提供磷源。本發(fā)明在進(jìn)行退火摻雜前已去除正面繞過(guò)的磷硅玻璃層，由于未經(jīng)過(guò)高溫，擴(kuò)散至晶體硅片正面的磷硅玻璃未與多晶硅反應(yīng)，極易溶于酸溶液中而實(shí)現(xiàn)去除；同時(shí)，本發(fā)明用酸/堿溶液去除擴(kuò)散至晶體硅片正面的多晶硅，保證背面的磷硅玻璃層不被破壞。然后，本發(fā)明在去除了正面的多晶硅及磷硅玻璃繞鍍之后再進(jìn)行高溫退火工藝，使得背面磷硅玻璃層中的磷摻雜到多晶硅及硅基體中，后再去除正面的硼硅玻璃層及背面的磷硅玻璃層(作為并列可選的方案，也可先用酸去除正面的磷硅玻璃繞鍍，后進(jìn)行高溫退火工藝，然后再去除正面的多晶硅繞鍍及正面的硼硅玻璃層和背面的磷硅玻璃層)，至此，背面結(jié)構(gòu)完成，從而順利實(shí)現(xiàn)了無(wú)繞擴(kuò)的單面沉積工藝，有利于增加晶體硅太陽(yáng)能電池的產(chǎn)能、降低電池成本，且制備得到的晶體硅太陽(yáng)能電池不會(huì)產(chǎn)生外觀過(guò)刻的現(xiàn)象，電池的質(zhì)量得到顯著提高。[0023] 本發(fā)明所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法中，所述酸溶液選自硝酸、氫氟酸或其混合物。[0024] 本發(fā)明所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法中，所述堿溶液選自氫氧化鈉、氫氧化鉀或其混合物。[0025] 本發(fā)明所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法中，所述隧穿氧化層的制備方法為熱氧化法或濕化學(xué)法。[0026] 本發(fā)明所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法中，在所述隧穿氧化層上沉積多晶硅層的方法選自LPCD或PECD。[0027] 本發(fā)明所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法中，在所述多晶硅層上沉積所述磷硅玻璃層的方法選自LPCD、PECD或擴(kuò)散沉積法。[0028] 本發(fā)明所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法中，所述隧穿氧化層上的多晶硅層的厚度為30～200nm；所述隧穿氧化層上的多晶硅層的沉積溫度為500～650℃。[0029] 本發(fā)明所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法中，所述高溫退火工藝中，退火溫度為750～1000℃。[0030] 本發(fā)明所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法中，所述多晶硅層上的磷硅玻璃層的厚度為10～100nm。[0031] 本發(fā)明所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法中，所述多晶硅層上的磷硅玻璃層的沉積溫度為500～800℃。[0032] 當(dāng)磷硅玻璃層的厚度為10～100nm、磷硅玻璃層的沉積溫度為500～800℃時(shí)，不但可保證在后續(xù)的磷摻雜步驟中，同時(shí)獲得較佳的磷摻雜深度和磷摻雜濃度，使得在晶體硅片的表面形成優(yōu)異的鈍化性能；且磷硅玻璃在上述厚度范圍內(nèi)極易溶于酸，從而避免磷硅玻璃較多地覆蓋到正面的硼硅玻璃上發(fā)生反應(yīng)；最終能達(dá)到最佳的去除繞鍍效果，可最大程度地避免外觀過(guò)刻的現(xiàn)象。[0033] 本發(fā)明的第二方面提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其采用本發(fā)明第一方面所述的方法制備。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明第二方面提供的晶體硅太陽(yáng)能電池包括：N型晶體硅片；在所述N型晶體硅片正面上形成的P型發(fā)射極、正面鈍化層和正面金屬電極；在所述N型晶體硅片背面上形成的隧穿氧化層、利用磷硅玻璃作為摻雜源形成的摻雜多晶硅層、背面鈍化層和背面金屬電極。附圖說(shuō)明[0034] 圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備流程圖；[0035] 圖2為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備流程圖；[0036] 圖3為本發(fā)明實(shí)施方式中在650℃下沉積厚度為60nm的磷硅玻璃層，并以該磷硅玻璃層提供摻雜磷源，所制備得到的晶體硅太陽(yáng)能電池半成品的外觀圖；[0037] 圖4為本發(fā)明實(shí)施方式中作為對(duì)比的在850℃下沉積厚度為60nm的磷硅玻璃層，并以該磷硅玻璃層提供摻雜磷源，所制備的晶體硅太陽(yáng)能電池半成品的外觀圖；[0038] 圖5為本發(fā)明實(shí)施方式中分別在650℃和480℃下沉積厚度為60nm的磷硅玻璃層后、再通過(guò)高溫退火進(jìn)行磷摻雜的摻雜曲線圖。具體實(shí)施方式[0039] 為了能夠更清楚理解本發(fā)明的目的、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。[0040] 本發(fā)明的部分實(shí)施方式提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，如圖1所示，該種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法包括如下步驟：[0041] S1：對(duì)N型晶體硅片進(jìn)行清洗和制絨處理；[0042] S2：在所述晶體硅片的正面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成依次層疊的P型發(fā)射極和硼硅玻璃層，用酸溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片背面的硼硅玻璃；[0043] S3：在所述晶體硅片的背面制備隧穿氧化層，在所述隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層和磷硅玻璃層，用酸溶液或堿溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片正面的多晶硅和磷硅玻璃；[0044] S4：通過(guò)高溫退火工藝，將所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層中的磷摻雜到所述晶體硅片背面的多晶硅層和所述晶體硅片中；[0045] S5：用酸溶液去除所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層和正面的硼硅玻璃層；[0046] S6：在所述晶體硅片的正面和背面分別沉積鈍化膜層；[0047] S7：在所述晶體硅片的正面和背面分別制備金屬電極。[0048] 作為另外一種可選擇的方案，如圖2所示，本發(fā)明的部分實(shí)施方式所提供的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，也可包括如下步驟：[0049] S11：對(duì)N型晶體硅片進(jìn)行清洗和制絨處理；[0050] S12：在所述晶體硅片的正面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成依次層疊的P型發(fā)射極和硼硅玻璃層，用酸溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片背面的硼硅玻璃；[0051] S13：在所述晶體硅片的背面制備隧穿氧化層，在所述隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層和磷硅玻璃層，用酸溶液或堿溶液去除擴(kuò)散至所述晶體硅片正面的磷硅玻璃；[0052] S14：通過(guò)高溫退火工藝，將所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層中的磷摻雜到所述晶體硅片背面的多晶硅層和所述晶體硅片中；[0053] S15：用酸溶液去除所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層、擴(kuò)散至所述晶體硅片正面的多晶硅和所述晶體硅片正面的硼硅玻璃層；[0054] S16：在所述晶體硅片的正面和背面分別沉積鈍化膜層；[0055] S17：在所述晶體硅片的正面和背面分別制備金屬電極。[0056] 本發(fā)明的部分實(shí)施方式還提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池，其采用本發(fā)明第一方面中的方法制備。具體來(lái)說(shuō)，所述晶體硅太陽(yáng)能電池包括：N型晶體硅片；設(shè)于所述N型晶體硅片正面的P型發(fā)射極、正面鈍化層和正面金屬電極；設(shè)于所述N型晶體硅片背面的隧穿氧化層、利用磷硅玻璃作為摻雜源形成的摻雜多晶硅層、背面鈍化層和背面金屬電極。[0057] 本發(fā)明的實(shí)施方式中，在晶體硅片的背面制備隧穿氧化層之后，在隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層，并在多晶硅層上繼續(xù)沉積磷硅玻璃層，以該沉積的磷硅玻璃層為后續(xù)的磷摻雜提供磷源。本發(fā)明在進(jìn)行退火摻雜前已去除正面繞過(guò)的磷硅玻璃層，由于未經(jīng)過(guò)高溫，擴(kuò)散至晶體硅片正面的磷硅玻璃未與多晶硅反應(yīng)，極易溶于酸溶液中而實(shí)現(xiàn)去除；同時(shí)，本發(fā)明用酸/堿溶液去除擴(kuò)散至晶體硅片正面的多晶硅，保證背面的磷硅玻璃層不被破壞。然后，本發(fā)明在去除了正面的多晶硅及磷硅玻璃繞鍍之后再進(jìn)行高溫退火工藝，使得背面磷硅玻璃層中的磷摻雜到多晶硅及硅基體中，后再去除正面的硼硅玻璃層及背面的磷硅玻璃層(作為并列可選的方案，也可先用酸去除正面的磷硅玻璃繞鍍，后進(jìn)行高溫退火工藝，然后再去除正面的多晶硅繞鍍及正面的硼硅玻璃層和背面的磷硅玻璃層)，至此，晶體硅太陽(yáng)能電池的背面結(jié)構(gòu)完成，從而順利實(shí)現(xiàn)了無(wú)繞擴(kuò)的單面沉積工藝，有利于增加晶體硅太陽(yáng)能電池的產(chǎn)能、降低電池成本，且制備得到的晶體硅太陽(yáng)能電池不會(huì)產(chǎn)生外觀過(guò)刻的現(xiàn)象，電池的質(zhì)量得到顯著提高。[0058] 在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，所述酸溶液選自硝酸、氫氟酸或其混合物。在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，所述堿溶液選自氫氧化鈉、氫氧化鉀或其混合物。上述酸溶液和堿溶液均為本領(lǐng)域常用的酸溶液和堿溶液，均可通過(guò)商業(yè)渠道購(gòu)買(mǎi)獲得。[0059] 在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，所述隧穿氧化層的制備方法為熱氧化法或濕化學(xué)法。在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，在所述隧穿氧化層上沉積多晶硅層的方法選自LPCD或PECD。在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，在所述多晶硅層上沉積所述磷硅玻璃層的方法選自LPCD、PECD或擴(kuò)散沉積法。上述以熱氧化法或濕化學(xué)法制備隧穿氧化層、以及LPCD、PECD或擴(kuò)散沉積法沉積膜層均可采用本領(lǐng)域常規(guī)操作步驟進(jìn)行，本文中不再贅述。[0060] 在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，所述隧穿氧化層上的多晶硅層的厚度為30～200nm；所述隧穿氧化層上的多晶硅層的沉積溫度為500～650℃。

[0061] 本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，所述高溫退火工藝中，退火溫度為750～1000℃，通過(guò)該溫度范圍下的高溫退火工藝，可將晶體硅片背面的磷硅玻璃層中的磷全面摻雜到晶體硅片背面的多晶硅層和晶體硅片中。[0062] 在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，所述多晶硅層上的磷硅玻璃層的厚度為10～100nm。

[0063] 在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，所述多晶硅層上的磷硅玻璃層的沉積溫度為500～800℃。

[0064] 當(dāng)磷硅玻璃層的厚度為10～100nm、磷硅玻璃層的沉積溫度為500～800℃時(shí)，不但可保證在后續(xù)的磷摻雜步驟中，同時(shí)獲得較佳的磷摻雜深度和磷摻雜濃度，使得在晶體硅片的表面形成優(yōu)異的鈍化性能；且磷硅玻璃在上述厚度范圍內(nèi)極易溶于酸，從而避免磷硅玻璃較多地覆蓋到正面的硼硅玻璃上發(fā)生反應(yīng)；最終能達(dá)到最佳的去除繞鍍效果，可最大程度地避免外觀過(guò)刻的現(xiàn)象。[0065] 如圖3和4所示，圖3為按照本發(fā)明的方法在650℃下沉積厚度為60nm的磷硅玻璃層，并以該磷硅玻璃層提供摻雜磷源，所制備得到的晶體硅太陽(yáng)能電池半成品的外觀圖，該電池半成品的外觀無(wú)任何過(guò)刻不良現(xiàn)象，電池質(zhì)量較好。而圖4為在高于800℃(850℃)下沉積厚度為60nm的磷硅玻璃層，并以該磷硅玻璃層提供摻雜磷源，所制備的晶體硅太陽(yáng)能電池半成品的外觀圖，該電池半成品的邊緣出現(xiàn)了明顯的類(lèi)似“臟污”的外觀印記，造成電池外觀不良，也影響電池的質(zhì)量。[0066] 圖5分別顯示了在650℃下沉積厚度為60nm的磷硅玻璃層后、再通過(guò)高溫退火進(jìn)行磷摻雜的摻雜曲線以及在低于500℃(480℃)下沉積厚度為60nm的磷硅玻璃層后、再通過(guò)高溫退火進(jìn)行磷摻雜的摻雜曲線。對(duì)比兩曲線可知，當(dāng)磷硅玻璃層的沉積溫度為650℃時(shí)，可同時(shí)獲得較優(yōu)的磷摻雜濃度和磷摻雜深度；當(dāng)磷硅玻璃層的沉積溫度低于500℃時(shí)，磷摻雜的濃度和深度均不理想。[0067] 上述實(shí)例只為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所做的等效變換或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。