權(quán)利要求書(shū)： 1.一種太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，包括：提供一模具，其中，該模具的支架具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽；

針對(duì)每一固定槽，將一襯底固定于該固定槽，其中，所述襯底為鐵材料層；

對(duì)各所述襯底進(jìn)行清洗處理；

針對(duì)每一襯底，在該襯底相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層和阻擋層；

針對(duì)每一阻擋層，在該阻擋層的上方位置的一面制作電極層，其中，所述電極層為鉬材料層；

針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層；

針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面制作緩沖層，其中，所述緩沖層為三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層；

針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面制作高阻抗層；

針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面制作低阻抗層；

分離所述模具，以得到N*M片具有保護(hù)層、襯底、阻擋層、電極層、吸收層、緩沖層、高阻抗層以及低阻抗層的太陽(yáng)能電池；

所述針對(duì)每一襯底，在該襯底相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層和阻擋層的步驟包括：針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作保護(hù)層；針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作阻擋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面制作緩沖層的步驟包括：針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面通過(guò)物理氣相沉積法制作三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟包括：針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作銅銦鎵硒材料層，其中，所述銅銦鎵硒材料層作為吸收層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟還包括：針對(duì)每一銅銦鎵硒材料層，通過(guò)硒化氫對(duì)該銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硒化處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟還包括：針對(duì)每一銅銦鎵硒材料層，通過(guò)硫化氫對(duì)該銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硫化處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面制作高阻抗層的步驟包括：針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面通過(guò)物理氣相沉積法制作本征氧化鋅材料層，其中，所述本征氧化鋅材料層作為高阻抗層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面制作低阻抗層的步驟包括：針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面通過(guò)物理氣相沉積法制作參鋁氧化鋅材料層，其中，所述參鋁氧化鋅材料層作為低阻抗層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作阻擋層的步驟包括：針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作鎢鈦合金材料層，其中，該鎢鈦合金材料層作為阻擋層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作保護(hù)層的步驟包括：針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層，其中，該氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層作為保護(hù)層。

說(shuō)明書(shū)： 太陽(yáng)能電池制作方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種太陽(yáng)能電池制作方法。背景技術(shù)[0002] 太陽(yáng)能作為可再生、清潔能源，被廣泛關(guān)注。其中，通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)制造得到的太陽(yáng)能電池因具有光電轉(zhuǎn)換特性，而作為太陽(yáng)能應(yīng)用的一種常用器件。并且，太陽(yáng)能電池的整

體發(fā)電效率取決于該太陽(yáng)能電池的各區(qū)域中最低的光電轉(zhuǎn)換效率。也就是說(shuō)，若太陽(yáng)能電

池的均勻性較差，將導(dǎo)致部分區(qū)域具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率、部分區(qū)域具有較低的光電轉(zhuǎn)

換效率，進(jìn)而導(dǎo)致整體發(fā)電效率低的問(wèn)題。

[0003] 經(jīng)發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中一般通過(guò)降低制造的太陽(yáng)能電池的面積，以提高制造的太陽(yáng)能電池的均勻性。但是，若通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)單片或少量的太陽(yáng)能電池的制造，

將存在產(chǎn)率低的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容[0004] 有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種太陽(yáng)能電池制作方法，以改善通過(guò)現(xiàn)有的方法以制作太陽(yáng)能電池而存在產(chǎn)率低的問(wèn)題。

[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：[0006] 一種太陽(yáng)能電池制作方法，包括：[0007] 提供一模具，其中，該模具的支架具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽；[0008] 針對(duì)每一固定槽，將一襯底固定于該固定槽，其中，所述襯底為鐵材料層；[0009] 針對(duì)每一襯底，在該襯底相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層和阻擋層；[0010] 針對(duì)每一阻擋層，在該阻擋層的上方位置的一面制作電極層，其中，所述電極層為鉬材料層；

[0011] 針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層；[0012] 針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面制作緩沖層，其中，所述緩沖層為三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層；

[0013] 針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面制作高阻抗層；[0014] 針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面制作低阻抗層；[0015] 分離所述模具，以得到N*M片具有保護(hù)層、襯底、阻擋層、電極層、吸收層、緩沖層、高阻抗層以及低阻抗層的太陽(yáng)能電池。

[0016] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽(yáng)能電池制作方法中，所述針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面制作緩沖層的步驟包括：

[0017] 針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面通過(guò)物理氣相沉積法制作三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層。

[0018] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽(yáng)能電池制作方法中，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟包括：

[0019] 針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作銅銦鎵硒材料層，其中，所述銅銦鎵硒材料層作為吸收層。

[0020] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽(yáng)能電池制作方法中，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟還包括：

[0021] 針對(duì)每一銅銦鎵硒材料層，通過(guò)硒化氫對(duì)該銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硒化處理。[0022] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽(yáng)能電池制作方法中，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟還包括：

[0023] 針對(duì)每一銅銦鎵硒材料層，通過(guò)硫化氫對(duì)該銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硫化處理。[0024] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽(yáng)能電池制作方法中，所述針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面制作高阻抗層的步驟包括：

[0025] 針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面通過(guò)物理氣相沉積法制作本征氧化鋅材料層，其中，所述本征氧化鋅材料層作為高阻抗層。

[0026] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽(yáng)能電池制作方法中，所述針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面制作低阻抗層的步驟包括：

[0027] 針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面通過(guò)物理氣相沉積法制作參鋁氧化鋅材料層，其中，所述參鋁氧化鋅材料層作為低阻抗層。

[0028] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽(yáng)能電池制作方法中，所述針對(duì)每一襯底，在該襯底相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層和阻擋層的步驟包括：

[0029] 針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作保護(hù)層；[0030] 針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作阻擋層。[0031] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽(yáng)能電池制作方法中，針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作阻擋層的步驟包括：

[0032] 針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作鎢鈦合金材料層，其中，該鎢鈦合金材料層作為阻擋層。

[0033] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽(yáng)能電池制作方法中，針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作保護(hù)層的步驟包括：

[0034] 針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層，其中，該氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢

鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層作為保護(hù)層。

[0035] 本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池制作方法，通過(guò)采用具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽的模具以制作得到N*M片具有保護(hù)層、襯底、阻擋層、電極層、吸收層、緩沖層、高

阻抗層以及低阻抗層的太陽(yáng)能電池，在保證總體受光面積不變的同時(shí)，可以使單片太陽(yáng)能

電池的面積較小，從而保證各片太陽(yáng)能電池的具有較高的均勻性，進(jìn)而改善通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)

制造的太陽(yáng)能電池因均勻性較差而存在發(fā)電效率低的問(wèn)題。并且，可以實(shí)現(xiàn)N*M片太陽(yáng)能電

池的同步制造，可以改善通過(guò)現(xiàn)有的方法以制作太陽(yáng)能電池而存在產(chǎn)率低的問(wèn)題。

[0036] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明[0037] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池制作方法的流程示意圖。[0038] 圖2為通過(guò)圖1所示的太陽(yáng)能電池制作方法得到的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。[0039] 圖3為圖1中步驟S130的流程示意圖。[0040] 圖4為通過(guò)圖3所示的太陽(yáng)能電池制作方法得到的太陽(yáng)能電池的部份結(jié)構(gòu)示意圖。[0041] 圖標(biāo)：100?太陽(yáng)能電池；110?襯底；120?電極層；130?吸收層；140?緩沖層；150?高阻抗層；160?低阻抗層；170?保護(hù)層；180?阻擋層。

具體實(shí)施方式[0042] 為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例只

是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明

實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。

[0043] 因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通

技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范

圍。

[0044] 應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。在本發(fā)明的描述

中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“設(shè)置”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是

固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是

直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通

技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

[0045] 如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池制作方法，以制作如圖2所示的太陽(yáng)能電池100。其中，該太陽(yáng)能電池制作方法可以包括步驟S110?步驟S190。下面將結(jié)合圖

1對(duì)該太陽(yáng)能電池制作方法包括的各流程步驟進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。

[0046] 步驟S110，提供一具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽的模具。[0047] 在本實(shí)施例中，所述模具可以包括載體和支架。所述支架設(shè)置于所述載體，且具有多個(gè)固定槽。所述多個(gè)固定槽可以呈N行M列矩陣分布，也就是說(shuō)，所述固定槽可以為N*M個(gè)。

[0048] 可選地，所述固定槽的具體數(shù)量不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)載體的尺寸、固定槽的尺寸等因素進(jìn)行設(shè)置。例如，在載體的尺寸為1.2m*

1.4m、固定槽的尺寸為156mm*156mm時(shí)，固定槽的數(shù)量可以為48個(gè)，也就是說(shuō)，可以呈6行8列

分布。又例如，在載體的尺寸為1.1m*1.3m、固定槽的尺寸為156mm*156mm時(shí)，固定槽的數(shù)量

可以為48個(gè)，也就是說(shuō)，可以呈6行8列分布。

[0049] 進(jìn)一步地，在考慮通過(guò)設(shè)置加熱機(jī)以避免進(jìn)行退火處理而導(dǎo)致制造效率降低的問(wèn)題時(shí)，在載體的尺寸為1.2m*1.4m、固定槽的尺寸為156mm*156mm時(shí)，固定槽的數(shù)量可以為42

個(gè)，也就是說(shuō)，可以呈6行7列分布。又例如，在載體的尺寸為1.1m*1.3m、固定槽的尺寸為

156mm*156mm時(shí)，固定槽的數(shù)量可以為30個(gè)，也就是說(shuō)，可以呈5行6列分布。

[0050] 可以理解的是，在上述示例中，所述固定槽的尺寸為156mm*156mm，但不應(yīng)理解為所述固定槽的尺寸只能為156mm*156mm，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求也可以是其它的尺寸，例如，也

可以是100mm*100mm、200mm*200mm等其它尺寸。

[0051] 步驟S120，針對(duì)每一固定槽，將一襯底110固定于該固定槽。[0052] 在本實(shí)施例中，可以提供N*M片襯底110，以分別固定于N*M個(gè)固定槽。其中，將各所述襯底110固定于各所述固定槽之后，可以對(duì)各所述襯底110進(jìn)行清洗處理，以避免雜質(zhì)對(duì)

制造的太陽(yáng)能電池100的性能造成影響。

[0053] 可選地，對(duì)所述襯底110進(jìn)行清洗的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以包括，但不限于超聲清洗、高壓噴淋清洗、激光束清洗、冷凝噴霧清洗、干法清

洗以及等離子清洗中的一種或多種。

[0054] 可選地，所述襯底110的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以是鐵片、鋼片等金屬材料。在本實(shí)施例中，所述襯底110可以為鐵材料層。并且，還可以包

括有鉻、鎳等金屬材料，以形成不銹鋼片。

[0055] 步驟S130，針對(duì)每一襯底110，在該襯底110相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層170和阻擋層180。

[0056] 可選地，所述保護(hù)層170的材料不受限制，例如，可以包括，但不限于是氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層。在一種實(shí)例中，可以是上

述各材料層中的任意一種，也可以是任意兩種的組合。其中，在鎢鈦合金材料層中，鎢和鈦

的質(zhì)量占比可以分別是90％和10％。在鎳釩合金材料層中，鎳和釩的質(zhì)量占比可以分別為

93％和7％。

[0057] 并且，在所述保護(hù)層170由兩種材料層構(gòu)成時(shí)，制作的順序不受限制，例如，在包括氮化鈦材料層和鉻材料層時(shí)，既可以是氮化鈦材料層位于鉻材料層和襯底110之間，也可以

是鉻材料層位于氮化鈦材料層和襯底110之間。

[0058] 進(jìn)一步地，為避免所述鐵材料層中的鐵離子或其它金屬離子擴(kuò)散至電極層120中，在本實(shí)施例中，還可以在所述鐵材料層的一面制作阻擋層180，阻止鐵離子或其它金屬離子

進(jìn)入位于所述阻擋層180的上方位置的一面。

[0059] 其中，所述阻擋層180的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，只要能夠有效地阻止鐵離子或其它金屬離子的擴(kuò)散即可。在本實(shí)施例中，所述阻擋層180可以為鎢

鈦合金材料層。并且，在該鎢鈦合金材料層中，鎢和鈦的質(zhì)量占比可以分別是90％和10％。

[0060] 可選地，制作所述保護(hù)層170和所述阻擋層180的流程不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，既可以是先制作所述保護(hù)層170，也可以是先制作所述阻擋層180，

還可以是同時(shí)進(jìn)行制作。在本實(shí)施例中，結(jié)合圖3，步驟S130可以包括步驟S131和步驟S133，

以得到如圖4所示結(jié)構(gòu)。

[0061] 步驟S131，針對(duì)每一襯底110，在該襯底110的下方位置的一面制作保護(hù)層170。[0062] 步驟S133，針對(duì)每一襯底110，在該襯底110的上方位置的一面制作阻擋層180。[0063] 在本實(shí)施例中，上述上方位置和下方位置是指基于附圖2和圖4中的各層結(jié)構(gòu)的相對(duì)位置形成的相對(duì)位置關(guān)系，而不是絕對(duì)位置關(guān)系，例如，如附圖2和圖4所示結(jié)構(gòu)倒置時(shí)，

所述保護(hù)層170可以是位于所述襯底110的上方位置的一面，對(duì)應(yīng)地，所述阻擋層180可以是

位于所述襯底110的下方位置的一面。同理，在后文中的上方位置等位置關(guān)系的描述，也應(yīng)

理解為是基于附圖中的各層結(jié)構(gòu)的相對(duì)位置關(guān)系，而不是絕對(duì)位置關(guān)系。

[0064] 步驟S140，針對(duì)每一阻擋層180，在該阻擋層180的上方位置的一面制作電極層120。

[0065] 在本實(shí)施例中，可以在每一阻擋層180的上方位置的一面制作電極層120，也就是說(shuō)，可以在每一阻擋層180遠(yuǎn)離所述襯底110的一面制作電極層120。其中，所述電極層120可

以為鉬材料層，以實(shí)現(xiàn)與相鄰的吸收層130形成良好的歐姆接觸，以保證電流的有效傳導(dǎo)。

[0066] 可選地，制作所述電極層120的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以包括，但不限于磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法或者化學(xué)電鍍法。

[0067] 步驟S150，針對(duì)每一電極層120，在該電極層120的上方位置的一面制作吸收層130。

[0068] 在本實(shí)施例中，可以在每一電極層120的上方位置的一面制作吸收層130，也就是說(shuō)，可以在每一電極層120遠(yuǎn)離所述阻擋層180的一面制作吸收層130。其中，所述吸收層130

可以用于對(duì)太陽(yáng)光進(jìn)行吸收，并進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換以輸出電能。

[0069] 可選地，所述電極層120的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)制造成本或發(fā)電效率進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施例中，所述吸收層130可以為銅銦鎵硒材

料層。通過(guò)將銅銦鎵硒材料層作為吸收層130，可以保證制造得到的太陽(yáng)能電池100的發(fā)電

效率高、弱光性能好、溫度系數(shù)低以及穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。

[0070] 可選地，制作所述吸收層130的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述吸收層130的材料選擇一種制作方式。在本實(shí)施例中，在所述吸收層130

的材料為銅銦鎵硒時(shí)，可以通過(guò)磁控濺射法或電化學(xué)沉積法在所述電極層120的一面制作

銅銦鎵硒材料層。

[0071] 進(jìn)一步地，在將銅銦鎵硒材料層作為吸收層130時(shí)，為保證該銅銦鎵硒材料層能夠形成晶體膜，在本實(shí)施例中，還可以對(duì)所述銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硒化處理或硫化處理。

[0072] 其中，進(jìn)行硒化處理時(shí)，可以采用硒化氫氣體對(duì)所述銅銦鎵硒材料層進(jìn)行處理。進(jìn)行硫化處理時(shí)，可以采用硫化氫氣體對(duì)所述銅銦鎵硒材料層進(jìn)行處理。

[0073] 并且，考慮到進(jìn)行硒化或硫化處理時(shí)，需要將所述銅銦鎵硒材料層置于高溫密閉環(huán)境中，因此，可以在其中充入氬氣或其它與銅、銦、鎵、硒不反應(yīng)的保護(hù)氣體，然后充入少

量的硒化氫氣體或硫化氫氣體。此時(shí)，所述保護(hù)層170可以有效地阻止硒化氫氣體或硫化氫

氣體對(duì)襯底110造成硒化或硫化，以保證襯底110的下方位置的一面作為電極時(shí)電阻不會(huì)過(guò)

高。

[0074] 步驟S160，針對(duì)每一吸收層130，在該吸收層130的上方位置的一面制作緩沖層140。

[0075] 在本實(shí)施例中，可以在每一吸收層130的上方位置的一面制作緩沖層140，也就是說(shuō)，可以在每一吸收層130遠(yuǎn)離所述電極層120的一面制作緩沖層140，以對(duì)位于該緩沖層

140的兩側(cè)的吸收層130和高阻抗層150進(jìn)行能帶匹配，以起到過(guò)渡和緩沖的作用。并且，還

可以避免在制作高阻抗層150時(shí)對(duì)吸收層130造成損耗。其中，所述緩沖層140可以覆蓋所述

吸收層130，以減少在所述吸收層130形成的界面態(tài)。

[0076] 可選地，所述緩沖層140的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述吸收層130和所述高阻抗層150的材料和能級(jí)進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施例中，所述

緩沖層140可以為三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層。

[0077] 可選地，制作所述緩沖層140的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述緩沖層140的材料進(jìn)行選擇。在本實(shí)施例中，在所述緩沖層140的材料為

三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層時(shí)，可以通過(guò)物理氣相沉積法在所

述吸收層130的一面制作形成三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層。

[0078] 步驟S170，針對(duì)每一緩沖層140，在該緩沖層140的上方位置的一面制作高阻抗層150。

[0079] 在本實(shí)施例中，可以在每一緩沖層140的上方位置的一面制作高阻抗層150，也就是說(shuō)，可以在每一緩沖層140遠(yuǎn)離吸收層130的一面制作高阻抗層150。其中，通過(guò)在所述緩

沖層140的一面制作高阻抗層150，利用該高阻抗層150的高阻抗特性可以保證電子可以沿

垂直于高阻抗層150與緩沖層140的接觸面的方向流動(dòng)，從而避免電子沿平行于該接觸面的

方向擴(kuò)散而導(dǎo)致該片太陽(yáng)能電池100的輸出電流較小的問(wèn)題。

[0080] 可選地，所述高阻抗層150的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，只要具有較高的阻抗特性即可。在本實(shí)施例中，所述高阻抗層150可以為本征氧化鋅材料層。

[0081] 可選地，制作所述高阻抗層150的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述高阻抗層150的材料進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施例中，在所述高阻抗層150

的材料為本征氧化鋅時(shí)，可以通過(guò)物理氣相沉積法在所述緩沖層140的一面制作形成所述

本征氧化鋅材料層。

[0082] 步驟S180，針對(duì)每一高阻抗層150，在該高阻抗層150的上方位置的一面制作低阻抗層160。

[0083] 在本實(shí)施例中，可以在每一高阻抗層150的上方位置的一面制作低阻抗層160，也就是說(shuō)，可以在每一高阻抗層150遠(yuǎn)離緩沖層140的一面制作低阻抗層160。其中，所述低阻

抗層160可以作為所述太陽(yáng)能電池100的前電極，所述電極層120可以作為所述太陽(yáng)能電池

100的背電極。

[0084] 可選地，所述低阻抗層160的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行選擇，例如，可以根據(jù)對(duì)導(dǎo)電性能的需求進(jìn)行選擇。在本實(shí)施例中，所述低阻抗層160可以為參鋁氧

化鋅材料層。

[0085] 可選地，制作所述低阻抗層160的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述低阻抗層160的材料進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施例中，在所述低阻抗層160

的材料為參鋁氧化鋅時(shí)，可以通過(guò)物理氣相沉積法在所述高阻抗層150的一面制作形成所

述參鋁氧化鋅材料層。

[0086] 步驟S190，分離所述模具，以得到N*M片具有保護(hù)層170、襯底110、阻擋層180、電極層120、吸收層130、緩沖層140、高阻抗層150以及低阻抗層160的太陽(yáng)能電池100。

[0087] 在本實(shí)施例中，通過(guò)執(zhí)行步驟S180，可以得到N*M片截面面積相同的太陽(yáng)能電池100，由于每一片太陽(yáng)能電池100的面積較小，因而任意一片太陽(yáng)能電池100的各個(gè)區(qū)域的均

勻性也較好，并且，該N*M片太陽(yáng)能電池100由于通過(guò)相同的工藝、時(shí)間以及設(shè)備制造形成，

具有較高的相似性。也就是說(shuō)，通過(guò)該N*M片太陽(yáng)能電池100組成的光伏發(fā)電板具有較好的

均勻性，因此，發(fā)電效率也較高。

[0088] 綜上所述，本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池制作方法，通過(guò)采用具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽的模具以制作得到N*M片具有保護(hù)層170、襯底110、阻擋層180、電極層

120、吸收層130、緩沖層140、高阻抗層150以及低阻抗層160的太陽(yáng)能電池100，在保證總體

受光面積不變的同時(shí)，可以使單片太陽(yáng)能電池100的面積較小，從而保證各片太陽(yáng)能電池

100的具有較高的均勻性，進(jìn)而改善通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)制造的太陽(yáng)能電池100因均勻性較差而存

在發(fā)電效率低的問(wèn)題。并且，可以實(shí)現(xiàn)N*M片太陽(yáng)能電池100的同步制造，可以改善通過(guò)現(xiàn)有

的方法以制作太陽(yáng)能電池100而存在產(chǎn)率低的問(wèn)題。

[0089] 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修

改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。