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      三維懸空環(huán)柵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的制備方法及其產(chǎn)品

      729   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-18 15:11:01
      本發(fā)明提供了一種制備三維懸空環(huán)柵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件的方法及其產(chǎn)品,其包括步驟:利用微納加工技術(shù)對半導(dǎo)體材料進(jìn)行表面處理和制備模型結(jié)構(gòu);對制備好的三維結(jié)構(gòu)利用微納加工技術(shù)進(jìn)行柵介質(zhì)層沉積;懸空環(huán)柵電極和懸空漏電極加工;利用聚焦離子束實(shí)現(xiàn)三維空間的電極互聯(lián)。本發(fā)明是一種以三維結(jié)構(gòu)為載體,利用各種微納加工技術(shù)制備三維懸空環(huán)柵MOSFET的新方法。該方法具有工藝靈活、可控性好、方法新穎等特點(diǎn),所制備的器件具有各向同性調(diào)控源漏之間的場效應(yīng),優(yōu)秀的柵極控制,具有更小的漏端寄生電容,減少漏端電場擴(kuò)散,提高器件集成密度等特點(diǎn)。
      聲明:
      “三維懸空環(huán)柵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的制備方法及其產(chǎn)品” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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