本發(fā)明公開半導(dǎo)體發(fā)光微顯示器件,其外延結(jié)構(gòu)由N?GaN、有源層至P?GaN橫截面的寬度逐漸增大,透光導(dǎo)電層位于N?GaN表面上,連接電極位于P?GaN表面上,像素電極位于連接電極表面上,導(dǎo)電膠連接于透光導(dǎo)電層與像素電極之間。本發(fā)明還公開半導(dǎo)體發(fā)光微顯示器件制造方法。本發(fā)明還公開襯底剝離方法。外延結(jié)構(gòu)由N?GaN、有源層至P?GaN橫截面的寬度逐漸增大,使得外延結(jié)構(gòu)的N?GaN與襯底的接觸面積較小,減小激光剝離閾值,提升激光剝離良率。
聲明:
“半導(dǎo)體發(fā)光微顯示器件及其制造方法以及襯底剝離方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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