本發(fā)明公開(kāi)一種直立
石墨烯電化學(xué)電極檢測(cè)
芯片及其制作方法,該直立石墨烯檢測(cè)芯片包括:基材和生長(zhǎng)于所述基材上的直立石墨烯層,所述基材上預(yù)制有一套或多套凹槽,所述直立石墨烯層生長(zhǎng)填充于所述凹槽內(nèi),形成有一個(gè)或多個(gè)電化學(xué)電極集成化檢測(cè)芯片結(jié)構(gòu);所述直立石墨烯層的高度小于或等于所述凹槽的深度。所述制作方法包括以下步驟:提供一基材,并在所述基材上預(yù)制一套或多套凹槽;在所述凹槽內(nèi)生長(zhǎng)直立石墨烯層;對(duì)生長(zhǎng)完成的直立石墨烯層進(jìn)行處理,使所述直立石墨烯層的上表面與所述基材的上表面相平齊。本發(fā)明基材上的凹槽對(duì)納米級(jí)脆弱的直立石墨烯層具有保護(hù)效果,且一定程度上降低了檢測(cè)芯片的厚度,提高了后續(xù)應(yīng)用的穩(wěn)定性和可靠性。
聲明:
“直立石墨烯電化學(xué)電極檢測(cè)芯片及其制作方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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