本實用新型所提供的基于原位
電化學(xué)-表面增強拉曼光譜
芯片的電化學(xué)池包括原位電化學(xué)-表面增強拉曼光譜芯片和樣品池,芯片基底上集成有工作電極、對電極、參比電極形成芯片的工作區(qū)域,其中工作電極表面經(jīng)電沉積反應(yīng)具有納米結(jié)構(gòu),樣品池設(shè)置于芯片上方,樣品池池體與芯片工作區(qū)域相接觸,樣品池池體底部面積等于或略大于芯片工作區(qū)域的面積,厚度可根據(jù)具體檢測要求選擇相應(yīng)厚度的材料,使得樣品池內(nèi)的待測樣品液體與工作區(qū)域的三電極完全接觸。芯片上設(shè)有絕緣層,絕緣層將工作區(qū)域與導(dǎo)線區(qū)域分開。本實用新型在保證SERS性能的前提下,避免了易漏液的問題,可一次性使用,避免了繁瑣的清洗過程,簡化了光譜電化學(xué)池結(jié)構(gòu)、降低了檢測成本。
聲明:
“基于原位電化學(xué)-表面增強拉曼光譜芯片的電化學(xué)池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)