本發(fā)明涉及利用模板
電化學(xué)合成技術(shù)制備多層納米線的方法;采用三個電鍍槽,利用三電極體系進行控電位沉積;先將二次陽極
氧化鋁膜電極置于NiFe電鍍槽中,控電位沉積NiFe合金,經(jīng)超聲清洗,快速轉(zhuǎn)換至Cu電鍍槽中,控電位沉積Cu,后經(jīng)超聲清洗,快速轉(zhuǎn)換至Co電鍍槽中,控電位沉積Co,然后經(jīng)超聲清洗,快速轉(zhuǎn)換至Cu電鍍槽中,控電位沉積Cu,為1個周期,如此重復(fù),獲得NiFe/Cu/Co/Cu多層納米線。利用本發(fā)明方法制備的NiFe/Cu/Co/Cu自旋閥多層納米線的巨磁電阻(GMR)效應(yīng),可制作高密度磁隨機存儲器、巨磁電阻讀出磁頭、高靈敏度磁傳感器等,在信息存儲、自動測量等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“利用模板電化學(xué)合成技術(shù)制備多層納米線的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)