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      新型熱釋電紅外探測(cè)器及其使用的復(fù)合薄膜探測(cè)元

      852   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 07:24:12
      本發(fā)明涉及一種結(jié)合化學(xué)方法和物理方法制備的復(fù)合薄膜熱釋電紅外探測(cè)器的探測(cè)元技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述的熱釋電紅外探測(cè)器的探測(cè)元是以單晶硅或與二氧化硅的復(fù)合體為襯底,多孔二氧化硅薄膜為熱絕緣層,致密二氧化硅薄膜為過(guò)渡層,鉑為底電極,LNO薄膜為下吸收層和緩沖層,鈦酸鉛鐵電薄膜為熱釋電材料,金為上電極,LNO為上吸收層。本發(fā)明中的熱釋電紅外探測(cè)器可以較多的吸收紅外輻射,具有較小的熱損失,從而紅外能量能夠最大程度的被熱釋電薄膜利用,而且LNO緩沖層提高了PT的電學(xué)性能,使得探測(cè)器具有優(yōu)異的性能。另外,用溶膠-凝膠法合成薄膜微區(qū)組分均勻性高,工藝過(guò)程溫度低,易于大面積成膜,不需要真空設(shè)備,成本低,而且與硅集成工藝兼容。
      聲明:
      “新型熱釋電紅外探測(cè)器及其使用的復(fù)合薄膜探測(cè)元” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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