本發(fā)明公開(kāi)了一種室溫鐵電薄膜紅外焦平面探測(cè)器的吸收層及制備方法,所說(shuō)的吸收層是置在焦平面探測(cè)器的上電極層上的,或者是置在焦平面探測(cè)器的鐵電薄膜上的鈦與二氧化鈦混合的多孔薄層。制備方法首先采用直流磁控濺射方法將金屬Ti濺射鐵電薄膜上或上電極層上,然后利用化學(xué)腐蝕的方法,將鈦膜腐蝕成多孔態(tài),目的是為了降低薄膜中自由電子密度,將其等離子吸收邊調(diào)節(jié)到探測(cè)器應(yīng)用的紅外波長(zhǎng)。薄膜多孔結(jié)構(gòu)中高密度的表面態(tài)對(duì)入射進(jìn)來(lái)的電磁波進(jìn)一步吸收使之不同于通常金屬。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):與常規(guī)的金黑吸收層工藝相比,本吸收層制備工藝簡(jiǎn)單,可以通過(guò)光刻以及腐蝕或干法刻蝕等途徑制備成分立靈敏元結(jié)構(gòu)。
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“室溫鐵電薄膜紅外焦平面探測(cè)器的吸收層及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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