本發(fā)明涉及一種基于叉指電極的PbSe薄膜中紅外探測器的制備方法,包括步驟:選用清潔的石英片,用洗劑清洗石英片的襯底后,烘干石英片;用管式爐制備PbSe薄膜;用真空鍍膜機制備叉指電極結(jié)構(gòu);將表面鍍有銀制叉指電極結(jié)構(gòu)的PbSe薄膜石英片貼在PCB上,用
漆包線來聯(lián)通電極與PCB表面的引腳,制得PbSe薄膜的叉指電極中紅外探測器。本發(fā)明的有益效果是:采用化學(xué)氣相沉積方法生長PbSe材料薄膜,制備叉指電極實現(xiàn)高性能的中紅外探測器;采用的設(shè)備為真空鍍膜機和管式爐,所用原材料為PbSe與銀粒,價格低廉,操作簡單,且成品能夠在常溫下工作且具有較好的性能,可以有效降低PbSe薄膜中紅外探測器的制備成本。
聲明:
“基于叉指電極的PbSe薄膜中紅外探測器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)