本發(fā)明公開(kāi)了一種納米壓痕法測(cè)定無(wú)殘余應(yīng)力薄膜的方法,屬于薄膜測(cè)試方法的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的納米壓痕測(cè)試無(wú)殘余應(yīng)力薄膜的步驟為:將制備得到無(wú)應(yīng)力試樣薄膜與沒(méi)有去除基底的薄膜試樣進(jìn)行納米壓痕試驗(yàn),得到薄膜試樣的壓痕數(shù)據(jù),再利用Suresh理論模型進(jìn)行計(jì)算。本發(fā)明的無(wú)殘余應(yīng)力是通過(guò)物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積將薄膜濺射或沉積在單晶晶體上,然后去除晶體而得到。本發(fā)明獲得的無(wú)殘余應(yīng)力的試樣薄膜與基底結(jié)合的界面應(yīng)力完全去除,且納米壓痕試驗(yàn)過(guò)程中,薄膜能夠無(wú)底面支撐,以避免底面對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生影響。該無(wú)殘余應(yīng)力的薄膜大大提高了納米壓痕測(cè)試法Suresh理論模型的適應(yīng)性和實(shí)用性。
聲明:
“納米壓痕法測(cè)定無(wú)殘余應(yīng)力薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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