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      雙壘量子阱結構半導體紅外光電探測器及其制造方法
      
					
      
					     839  
					    編輯：管理員  
						來源：中冶有色技術網(wǎng)  
						
      
							2023-03-19 07:29:08						
      
					
      
				
      
				
      
				    一種雙壘量子阱結構半導體紅外光電探測器及其制造方法，探測器包括：電源、金屬接觸層及核心部件，所述的核心部件包括：GaAs襯底層，在所述GaAs襯底層上通過分子束外延技術或金屬有機化學氣相沉積由下至上依次逐層生長的：n型摻雜的GaAs緩沖層；n型摻雜的GaAs下接觸層；雙壘結構的多量子阱層核心工作區(qū)：以最外一層較厚勢壘，較薄的內勢壘，勢阱，內勢壘為一周期，依次交替生長多個周期而形成的；n型摻雜的GaAs上接觸層；所述的多量子阱層，每一個周期包括一個AlzGa1-zAs外勢壘層，兩個AlAs勢壘層，和一個InxGa1-xAs1-yNy勢阱層。本發(fā)明優(yōu)點是：可工作于1.31μm左右的光通訊波段，并且具有很強的波長可調性以及更快的響應速度。				    
      
				        
      聲明：
      
				        
      
				         “雙壘量子阱結構半導體紅外光電探測器及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
				        
      
				        
      
				        我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
				        
      
				    
      
				
      
				
				
      
					
      
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      標簽：
      
					 
					化學分析
									
      
				
				
				
				
								
								
				
				
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