一種用于MRAM的磁性半金屬材料的阻尼調(diào)控方法,采用分子束外延的生長(zhǎng)方法在MgO襯底上生長(zhǎng)變Al成分即偏化學(xué)計(jì)量比的Co
2FeAl
1+x單晶薄膜。x大于0.03,小于1。整個(gè)過(guò)程中,單晶薄膜的化學(xué)計(jì)量比是由元素Co、Fe、Al束源爐的溫度控制蒸發(fā)量;且整個(gè)單晶薄膜生長(zhǎng)過(guò)程由RHEED實(shí)時(shí)監(jiān)控;偏化學(xué)計(jì)量比的定量分析來(lái)自于STEM的元素?cái)U(kuò)散的面積積分圖;同時(shí),還補(bǔ)充不同成分的Al元素,以確定最低阻尼的化學(xué)計(jì)量比。根據(jù)校準(zhǔn)的結(jié)果,我們改變生長(zhǎng)方法,使用偏化學(xué)計(jì)量比的生長(zhǎng)方法,即補(bǔ)充Al的生長(zhǎng)。最后使用Tr?MOKE進(jìn)行磁性動(dòng)力學(xué)測(cè)量。發(fā)現(xiàn)補(bǔ)充10%的Al元素可以有效的降低Co
2FeAl的本征阻尼。
聲明:
“用于MRAM的磁性半金屬材料的阻尼調(diào)控方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)