本發(fā)明一種聚合物平面納米溝道制作方法,屬于微納流控
芯片制造技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種聚合物平面納米溝道的制作方法,應(yīng)用在生命科學(xué)、醫(yī)學(xué)、分析化學(xué)等領(lǐng)域。聚合物平面納米溝道制作方法首先基于標(biāo)準(zhǔn)的紫外光刻和化學(xué)濕法腐蝕技術(shù)在聚合物基片上制作出線寬為微米級(jí)的金屬掩蔽圖形,接著利用一臺(tái)等離子體清洗機(jī)對(duì)暴露在外的聚合物進(jìn)行氧氣等離子體刻蝕,通過(guò)設(shè)定刻蝕時(shí)間,便可以精確控制聚合物納米溝道的刻蝕深度;最后利用化學(xué)濕法腐蝕去除金屬掩蔽圖形,便得到了聚合物平面納米溝道。本發(fā)明不需要為實(shí)現(xiàn)聚合物刻蝕而購(gòu)買操作復(fù)雜、價(jià)格昂貴的反應(yīng)離子刻蝕或感應(yīng)耦合等離子體刻蝕設(shè)備。納米溝道的整個(gè)制作過(guò)程簡(jiǎn)單、周期短、成本低。
聲明:
“聚合物平面納米溝道制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)