本發(fā)明公開了一種溴氧化鉍/氧化鋅/ITO電極及其制備方法和其光
電化學(xué)檢測抗壞血酸的應(yīng)用。包括如下步驟:首先通過水熱法制得溴氧化鉍納米片,將溴氧化鉍納米片加入到氧化鋅種子層溶液中加熱攪拌,使溴氧化鉍外層包覆上氧化鋅種子層,再一次通過水熱法制備得到花蕊狀溴氧化鉍/氧化鋅納米
復(fù)合材料。最后,采用操作簡單的滴涂法將花蕊狀溴氧化鉍/氧化鋅納米復(fù)合材料修飾在ITO上,得到光電化學(xué)檢測電極?;ㄈ餇钿逖趸G/氧化鋅納米復(fù)合材料具有優(yōu)秀的光生電子?空穴的分離效率以及快速的光電子轉(zhuǎn)移性能,可用于光電化學(xué)檢測抗壞血酸。電極制備成本低廉,并且光電極具有響應(yīng)時間快、信噪比低、線性范圍寬和檢測限低等特點。
聲明:
“溴氧化鉍/氧化鋅ITO電極及其應(yīng)用和制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)