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      半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

      906   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 07:33:29
      在使用氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置中提高電特性,并且提供一種電特性變動(dòng)少且可靠性高的半導(dǎo)體裝置。一種半導(dǎo)體裝置,包括:進(jìn)行熱脫附譜分析時(shí)的400℃以上的任意溫度下的氫分子的脫離量為300℃下的氫分子的脫離量的130%以下的第一絕緣膜;第一絕緣膜上的第一阻擋膜;第一阻擋膜上的具有包含超過(guò)化學(xué)計(jì)量組成的氧的區(qū)域的第二絕緣膜;以及第二絕緣膜上的包括第一氧化物半導(dǎo)體膜的第一晶體管。
      聲明:
      “半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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