在使用氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置中提高電特性,并且提供一種電特性變動(dòng)少且可靠性高的半導(dǎo)體裝置。一種半導(dǎo)體裝置,包括:進(jìn)行熱脫附譜分析時(shí)的400℃以上的任意溫度下的氫分子的脫離量為300℃下的氫分子的脫離量的130%以下的第一絕緣膜;第一絕緣膜上的第一阻擋膜;第一阻擋膜上的具有包含超過(guò)化學(xué)計(jì)量組成的氧的區(qū)域的第二絕緣膜;以及第二絕緣膜上的包括第一氧化物半導(dǎo)體膜的第一晶體管。
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