本發(fā)明公布了一種集成片上原位微型銀氯化銀參比電極以及其制備方法。該片上原位微型銀氯化銀參比電極包括:硅基襯底,在硅基襯底結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)的絕緣層,濺射的金屬種子層,
電化學(xué)電鍍的銀層,以及腐蝕得到的氯化銀層,滴涂法得到的保護(hù)層涂層。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的片上原位微型銀氯化銀參比電極和傳統(tǒng)微機(jī)電加工工藝方法高度兼容。和商用的銀氯化銀參比的電極相比,具有高度集成化,微型化,應(yīng)用場(chǎng)景多樣化等優(yōu)勢(shì)。在生物監(jiān)測(cè)和化學(xué)傳感領(lǐng)域,能夠廣泛應(yīng)用于生物體內(nèi)實(shí)時(shí)精準(zhǔn)電位標(biāo)定,并且植入后造成較小的植入損傷。該片上原位微型銀氯化銀參比電極在腦科學(xué)或生物活體監(jiān)測(cè)方面具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“片上原位微型銀氯化銀參比電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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