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      硅薄膜異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的制備方法

      713   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 08:56:36
      一種用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的硅薄膜異質(zhì)結(jié)太陽(yáng) 電池的制備方法,襯底清洗:采用半導(dǎo)體清洗工藝進(jìn)行襯底的 表面初清洗,再將襯底放在去離子水中用超聲波清洗,用去離 子水沖洗數(shù)次,氮?dú)獯蹈桑恢苽浔菊鞣蔷Ч鑼樱河脽峤z化學(xué)汽 相沉積技術(shù)制備本征非晶硅層,鎢絲溫度用光學(xué)高溫計(jì)測(cè)量, 加熱器與樣品的溫度分別由兩個(gè)熱電偶測(cè)定,用電子溫度控制 器控制溫度,在襯底表面反應(yīng)生長(zhǎng)而成薄膜;在本征非晶硅薄 膜上再沉積一層發(fā)射層;正、背面電極的形成:用濺射工藝在 電池的正、背面形成電極;最后進(jìn)行真空熱退火工藝。本發(fā)明 薄膜具有光照穩(wěn)定性,在AM1.5, 100mW/cm2標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)下,獲得的 硅薄膜的光電導(dǎo)增益可達(dá)106, 基于此薄膜的非晶硅和晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的效率達(dá)12.5%。
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      “硅薄膜異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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