本發(fā)明涉及半導體器件失效技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種多層低溫共燒陶瓷基板的無損失效檢測方法,包括對待測基板進行第一檢測,基于第一檢測得到的網(wǎng)絡(luò)通斷情況,確定失效網(wǎng)絡(luò)號;對失效網(wǎng)絡(luò)號內(nèi)的線路進行第二檢測,確定待測基板的失效位置;對失效位置進行分析,確定待測基板的失效機理。本發(fā)明的多層低溫共燒陶瓷基板的無損失效檢測方法可通過無損的檢測手段,不僅可以定位多層陶瓷基板的失效網(wǎng)絡(luò)號,而且可以通過進一步檢測確定失效的具體部位,并進一步分析判斷發(fā)生的失效模式,最終確定引發(fā)失效或缺陷的失效機理。采用本發(fā)明的檢測方法可以快速、準確的確定失效位置,且便于進一步確定失效機理。
聲明:
“多層低溫共燒陶瓷基板的無損失效檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)