本發(fā)明公開了一種硅拋光片或外延片層錯(cuò)及位錯(cuò)缺陷的無損檢測方法,包括下述步驟:(1)設(shè)定表面顆粒測試儀的顆粒直徑測試區(qū)間;(2)將待測試的拋光片或外延片放在測試臺(tái)上,開始依次測試,并記錄下每個(gè)區(qū)間的顆粒數(shù)據(jù);(3)將顆粒數(shù)據(jù)進(jìn)行分檔,然后從顆粒多的檔位開始分別對每個(gè)檔位的最高值抽取一片腐蝕看缺陷,直至腐蝕到?jīng)]有見缺陷的檔位,記錄這個(gè)檔位數(shù)值為A;(4)抽測2-3片A檔位的拋光片或外延片,確認(rèn)未見層錯(cuò)及位錯(cuò)缺陷;(5)把A減10設(shè)定為分檢層錯(cuò)及位錯(cuò)缺陷的標(biāo)準(zhǔn);(6)檢驗(yàn)其它的拋光片或外延片,高于標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)為層錯(cuò)及位錯(cuò)缺陷不合格。此方法具有操作簡單快速、對被測樣本無損傷等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“硅拋光片或外延片層錯(cuò)及位錯(cuò)缺陷的無損檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)