本發(fā)明提供了無損檢測單晶體或定向結(jié)晶體內(nèi)部晶體取向差異和晶界缺陷的方法及裝置,方法步驟包括:采用透射的短波長特征X射線衍射,無損測定樣品內(nèi)部某一方向(h1k1l1)晶面的晶體取向角(?1,κ1),并判定該樣品晶面取向角是否超差;在該晶面的(?1,κ1)方向上,平移樣品掃描測量被測樣品各部位的(h1k1l1)晶面衍射強度及其分布,根據(jù)測量結(jié)果判定被測樣品內(nèi)部是否存在晶界缺陷、亞晶界缺陷。裝置包括樣品臺、X射線照射系統(tǒng)和X射線探測系統(tǒng)及用于改變?nèi)肷鋁射線束與樣品夾角的轉(zhuǎn)動機構(gòu)等。采用本發(fā)明,解決了不能快速準確地無損測定單晶體和定向結(jié)晶體內(nèi)部晶體取向差異、亞晶界、晶界等晶體缺陷的難題。
聲明:
“無損檢測單晶體或定向結(jié)晶體內(nèi)部晶體取向差異和晶界缺陷的方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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