本發(fā)明公開了一種硅片表面顆粒污染成分無損快速在線檢測方法及系統(tǒng),先將第一激光照射在硅片表面,將污染顆粒剝離硅片表面;然后在延遲第一預(yù)設(shè)時間之后利用第二激光將顆粒擊穿,得到激光等離子體;兩束激光之間的延時幾十微秒,從激發(fā)顆粒脫離到檢測到顆粒整個過程周期為微秒級;然后在延遲第二預(yù)設(shè)時間后,采集并分析激光等離子體發(fā)出的激光等離子體信號,獲得顆粒的光譜信號進行進一步分析。從上述分析可知,本發(fā)明的方法無需對樣品進行預(yù)處理,測量周期為毫秒級,能夠滿足集成電路生產(chǎn)環(huán)節(jié)硅片表面顆粒污染成分的實時快速在線檢測的特點要求,還不會造成硅片的二次污染或損傷,能夠?qū)崿F(xiàn)對硅片表面污染顆粒成分進行快速實時在線及無損檢測。
聲明:
“硅片表面顆粒污染成分無損快速在線檢測方法及系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)