本發(fā)明公開一種導(dǎo)磁材料無損實(shí)時(shí)檢測(cè)方法和系統(tǒng),該方法通過巨磁阻傳感器采集被磁化后導(dǎo)磁材料的信號(hào),將采集到的信號(hào)與現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)磁材料無缺陷狀態(tài)下的正常值以及內(nèi)部出現(xiàn)缺陷時(shí)磁阻變化的典型值進(jìn)行比對(duì),來判斷導(dǎo)磁材料當(dāng)前位置內(nèi)部磁場(chǎng)的流動(dòng)及缺陷處的磁場(chǎng)擴(kuò)散狀態(tài)。該方法采用的系統(tǒng)包括N組GMR傳感器
芯片組、下位機(jī)控制模塊、磁化裝置、報(bào)警裝置、數(shù)據(jù)采集與處理模塊和上位機(jī)。其中磁化裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)導(dǎo)磁材料的磁化和退磁,傳感器芯片組用于感應(yīng)導(dǎo)磁材料的磁阻變化,數(shù)據(jù)采集與處理模塊對(duì)傳感器芯片組采集到的模擬信號(hào)進(jìn)行處理后與典型值和理想值進(jìn)行比對(duì)。該方法檢測(cè)成本低,能夠?qū)ζ娈惣M(jìn)行有效檢測(cè),且不會(huì)對(duì)人體構(gòu)成威脅。
聲明:
“導(dǎo)磁材料無損實(shí)時(shí)檢測(cè)方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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