本發(fā)明屬于量子精密測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種基于量子Zeno效應(yīng)下光學(xué)材料折射率的測(cè)量裝置,包括:基膜高斯光束、高階拉蓋爾高斯光束、不等臂MZ干涉儀、以及高分辨率CCD成像系統(tǒng);基膜高斯光束和高階拉蓋爾高斯光束具有鎖定的頻率差;其中不等臂MZ干涉儀包括經(jīng)第一分束鏡、上臂結(jié)構(gòu)和下臂結(jié)構(gòu)和第二分束鏡,基膜高斯光束和高階拉蓋爾高斯光束從第一分束鏡的同側(cè)入射后,分別經(jīng)上臂結(jié)構(gòu)和下臂結(jié)構(gòu)后從兩側(cè)分別入射至第二分束鏡,高分辨CCD成像系統(tǒng)設(shè)置在下臂結(jié)構(gòu)的同側(cè)。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊、可在無損耗條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量。
聲明:
“基于量子Zeno效應(yīng)下光學(xué)材料折射率的無損耗測(cè)量裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)