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      生長(zhǎng)在石墨烯基板上GaN納米柱陣列的無(wú)損傷轉(zhuǎn)移工藝獲得柔性紫外探測(cè)器及方法

      848   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 08:57:59
      本發(fā)明公開了生長(zhǎng)在石墨烯基板上GaN納米柱陣列的無(wú)損傷轉(zhuǎn)移工藝獲得柔性紫外探測(cè)器及方法。該方法先在石墨烯襯底上外延生長(zhǎng)GaN納米柱陣列,得到結(jié)構(gòu)A;再在結(jié)構(gòu)A表面旋涂PMMA并加熱固化,得到結(jié)構(gòu)B;接著濕法刻蝕去除結(jié)構(gòu)B的襯底層,得到PMMA/GaN納米柱陣列/石墨烯復(fù)合薄膜,并將其轉(zhuǎn)移至鍍上電極結(jié)構(gòu)的柔性襯底上,轉(zhuǎn)移后再旋涂PMMA并加熱固化,使得第一層PMMA內(nèi)部的應(yīng)力得到釋放,實(shí)現(xiàn)GaN納米柱陣列/石墨烯與柔性襯底的完美貼合,防止裂紋和皺褶的出現(xiàn),最后去除PMMA,得到柔性紫外探測(cè)器。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了紫外探測(cè)器的透明化、柔性化,可用于智能穿戴、彎曲顯示、柔性傳感成像等領(lǐng)域,經(jīng)濟(jì)效益可觀。
      聲明:
      “生長(zhǎng)在石墨烯基板上GaN納米柱陣列的無(wú)損傷轉(zhuǎn)移工藝獲得柔性紫外探測(cè)器及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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