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      半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器及其制備方法和應(yīng)用

      757   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 08:58:37
      本發(fā)明適用于核輻射探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器及其制備方法和應(yīng)用,該制備方法包括以下步驟:用溴甲醇溶液對(duì)CsPbBr3單晶襯底的表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理;用氫溴酸溶液對(duì)化學(xué)腐蝕處理后的襯底的其中一面進(jìn)行鈍化處理,形成鈍化層;對(duì)鈍化層的中央部分進(jìn)行刻蝕處理,形成刻蝕區(qū)域;在刻蝕區(qū)域上依次沉積第一內(nèi)層金屬電極、第一中層金屬電極和第一外層金屬電極;以及在襯底遠(yuǎn)離刻蝕區(qū)域一面上依次沉積第二內(nèi)層金屬電極、第二中層金屬電極和第二外層金屬電極,得到半成品;將半成品置于保護(hù)氣氛下進(jìn)行退火處理,得到半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器。該半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器可進(jìn)行室溫探測(cè)和無損探測(cè),其具有探測(cè)極限低,方便攜帶等優(yōu)點(diǎn)。
      聲明:
      “半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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