本發(fā)明提供一種閃存器件的測試結(jié)構(gòu)及其制造方法,在第一金屬互連層制造完成后就可以直接進(jìn)行字線和控制柵極、字線與位線、位線與位線之間的橋接漏電測試,節(jié)約了現(xiàn)有技術(shù)中等待第二金屬互連層、第三金屬互連層的制作時(shí)間,同時(shí)第一金屬互連層與有源區(qū)線、字線、控制柵極線之間的連接方式簡化了第二金屬互連層、第三金屬互連層的互連結(jié)構(gòu),因此能夠簡化制程,降低失效分析所花費(fèi)的時(shí)間和工藝成本。
聲明:
“閃存器件測試結(jié)構(gòu)及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)