一種磁鐵組態(tài)系統(tǒng)與在磁阻式隨機(jī)存取記憶體晶片中偵測磁穿隧接面矯頑磁力弱位元的方法,揭露的方法包括將含有磁阻式隨機(jī)存取記憶體(magnetoresistive random?access memory;MRAM)元件的半導(dǎo)體晶圓放置在第一磁場中,此第一磁場具有足以磁極化MRAM位元的強(qiáng)度且在晶圓的整個區(qū)域上具有實質(zhì)均勻的場強(qiáng)度與方向。此方法還包括將晶圓放置在第二磁場中,此第二磁場有相反的場方向、在晶圓的整體區(qū)域上有實質(zhì)均勻的場強(qiáng)度與方向與小于磁性反轉(zhuǎn)MRAM位元的設(shè)計門檻。此方法還包括通過找出因暴露于第二磁場而被磁極反轉(zhuǎn)的失效MRAM位元,判定失效MRAM位元存在。通過電性讀取數(shù)據(jù)位元,或者由晶片探針讀取MRAM元件的電壓、電流、電阻等的一或多者還可以區(qū)分失效的MRAM位元。
聲明:
“磁鐵組態(tài)系統(tǒng)與在磁阻式隨機(jī)存取記憶體晶片中偵測磁穿隧接面矯頑磁力弱位元的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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