本申請(qǐng)公開了一種MOS器件的測(cè)試方法、裝置、系統(tǒng)、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取測(cè)試器件的漏極電流，該漏極電流是向測(cè)試器件施加?xùn)艠O電壓時(shí)測(cè)量得到的；根據(jù)柵極電壓和漏極電流計(jì)算得到測(cè)試器件的閾值電壓的測(cè)量值；獲取晶圓所在環(huán)境的環(huán)境溫度；調(diào)用預(yù)測(cè)模型對(duì)柵極電壓、柵極電壓對(duì)應(yīng)的漏極電流和環(huán)境溫度進(jìn)行處理，得到測(cè)試器件的閾值電壓的預(yù)測(cè)值，預(yù)測(cè)模型是根據(jù)測(cè)試組訓(xùn)練得到的機(jī)器學(xué)習(xí)模型，測(cè)試組是對(duì)樣本器件進(jìn)行測(cè)試得到的數(shù)據(jù)，測(cè)試組包括量測(cè)數(shù)據(jù)和樣本器件對(duì)應(yīng)的閾值電壓，量測(cè)數(shù)據(jù)包括施加于樣本器件的柵極電壓、樣本器件的柵極電壓對(duì)應(yīng)的漏極電流以及樣本器件所在環(huán)境的環(huán)境溫度；根據(jù)測(cè)量值和預(yù)測(cè)值確定測(cè)試器件是否失效。