本發(fā)明公開了一種面向多維封裝結(jié)構(gòu)
芯片可靠性評估方法,包括以下步驟:步驟1,選定晶圓上用于可靠性測試的芯片樣本數(shù)量;步驟2,對選定的芯片樣本進行外部損傷檢查;步驟3,將通過外部損傷檢查后的芯片樣本進行預處理實驗;步驟4,將預處理實驗后的芯片樣本分為3組,分別進行溫度循環(huán)實驗、無偏壓高加速溫濕度應(yīng)力實驗以及壓力蒸煮實驗;步驟5,對完成步驟4試驗后的3組芯片通過失效統(tǒng)計和微觀組織結(jié)構(gòu)表征,確定芯片樣本的缺陷和壽命預計值。本發(fā)明的可靠性評估方法,能夠確定不同工作條件對芯片的組織結(jié)構(gòu)變化和內(nèi)部缺陷形成的影響,確定芯片的可靠性及失效形式,準確評估產(chǎn)品壽命預計值,有助于盡快改進芯片設(shè)計和生產(chǎn)中的缺陷。
聲明:
“面向多維封裝結(jié)構(gòu)芯片可靠性評估方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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