本發(fā)明公開(kāi)了一種模擬太陽(yáng)風(fēng)轟擊宇航級(jí)
芯片的等離子體輻照平臺(tái),該平臺(tái)為用來(lái)模擬太陽(yáng)風(fēng)高速等離子體粒子流轟擊宇航級(jí)電子學(xué)芯片致使其致盲的輻照平臺(tái),具體涉及脈沖等離子體源以及芯片輻照檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,包括有輻照主機(jī)系統(tǒng),多脈沖高壓、大電流電源,電源控制器,真空腔室,
真空泵組,高速脈沖進(jìn)氣閥,載物臺(tái)以及芯片失效實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。本發(fā)明可以用來(lái)模擬空間多脈沖高速等離子輻照宇航級(jí)芯片后對(duì)芯片失效的影響,本發(fā)明所設(shè)計(jì)的等離子體源產(chǎn)生的目標(biāo)等離子體和空間環(huán)境下的太陽(yáng)風(fēng)等離子體參數(shù)接近,是一種用來(lái)模擬該效應(yīng)對(duì)宇航級(jí)電子學(xué)芯片致盲效應(yīng)的有效手段。
聲明:
“模擬太陽(yáng)風(fēng)轟擊宇航級(jí)芯片的等離子體輻照平臺(tái)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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