本發(fā)明涉及一種提高GaN HEMT退火成功率的方法,屬于半導(dǎo)體器件技 術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括:測(cè)量GaN HEMT的肖特基反向特性曲線;根據(jù)測(cè)得 的肖特基反向特性曲線,繪制以ln|I|為縱坐標(biāo),Vr1/4為橫坐標(biāo)的電流電壓 曲線;根據(jù)位于小于器件閾值電壓區(qū)域內(nèi)的電流電壓曲線形狀,判斷是否對(duì) GaN HEMT進(jìn)行退火。本發(fā)明通過(guò)根據(jù)肖特基反向特性曲線繪制的電流電壓曲 線,對(duì)GaN HEMT退火后其直流特性能否上升進(jìn)行判斷,從而選擇性地對(duì)器 件進(jìn)行退火,以降低退火后器件失效的數(shù)量,提高器件的退火成功率,同時(shí) 節(jié)約了成本。
聲明:
“提高GaN HEMT退火成功率的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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