可探入型礦石分析儀 762     

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本實(shí)用新型涉及礦石分析儀領(lǐng)域，尤其是可探入型礦石分析儀。該礦石分析儀包括分析儀機(jī)體和顯示屏，分析儀機(jī)體通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)與顯示屏電連接，所述分析儀機(jī)體的后端固定連接有活動(dòng)管體，活動(dòng)管體置于外管體內(nèi)，活動(dòng)管體上固定有齒條，齒條與齒輪相嚙合，外管體上開(kāi)設(shè)有穿孔，齒輪穿過(guò)該穿孔，齒輪的圓心固定在電機(jī)的輸出軸上，電機(jī)的機(jī)體固定在外管體的外壁上，活動(dòng)管體與外管體滑配連接，外管體后端安裝有顯示屏。本實(shí)用新型通過(guò)電機(jī)與齒輪驅(qū)使活動(dòng)管體沿著外管體進(jìn)行伸縮，從而帶動(dòng)分析儀機(jī)體進(jìn)行移動(dòng)，使得分析儀機(jī)體可以伸入到較為窄小的地方。本申請(qǐng)?zhí)岣吡说V石分析儀的使用效率。

可拋擲LED工礦探測(cè)燈 1050     

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本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可拋擲LED工礦探測(cè)燈，包括：內(nèi)部設(shè)有電纜的拋擲繩纜，其特征在于，還包括：用于收卷上述拋擲繩纜的收卷滾輪、設(shè)置在上述拋擲繩纜自由端的拋擲探頭、與上述收卷滾輪鉸接的把手；上述拋擲纜繩的非自由端與上述收卷滾輪的輪軸固定連接，上述拋擲探頭分為探測(cè)部和LED燈頭，上述把手設(shè)有與上述拋擲纜繩內(nèi)部的電纜相連接的電池盒和顯示部，上述探測(cè)部和LED燈頭也與上述拋擲纜繩內(nèi)部的電纜相連接；本實(shí)用新型的有益之處在于：通過(guò)拋擲能夠?qū)ε谥坡肪€(xiàn)進(jìn)行照明，同時(shí)在探測(cè)落點(diǎn)處各項(xiàng)參數(shù)，使檢測(cè)人員能夠與未知的危險(xiǎn)環(huán)境保持一定的距離同時(shí)又能實(shí)現(xiàn)檢測(cè)的目的。

礦井下探測(cè)機(jī)器人 1089     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種礦井下探測(cè)機(jī)器人，包括軌道平臺(tái)和橫向滑軌，所述軌道平臺(tái)焊接有軌道，所述軌道下方設(shè)置有氣缸，所述氣缸下方固定安裝有氣缸座，所述軌道平臺(tái)上方活動(dòng)安裝有滑架小車(chē)，所述滑架小車(chē)下方固定安裝有滑架，所述滑架下方固定安裝有支撐架，所述支撐架右方固定安裝有縱向滑軌，所述縱向滑軌右方活動(dòng)安裝有橫向滑軌，所述橫向滑軌右端固定安裝有光電滑環(huán)，所述光電滑環(huán)下方設(shè)置有導(dǎo)向輪，所述導(dǎo)向輪下方設(shè)置有溫度傳感器，所述溫度傳感器右方固定安裝有攝像頭，所述溫度傳感器正下方設(shè)置有拾音頭，所述拾音頭下方固定安裝有下部光源。該探測(cè)機(jī)器人，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作方便，采用滑軌上設(shè)置光電滑環(huán)的結(jié)構(gòu)，減少探測(cè)時(shí)間。

基于石墨烯與納米結(jié)構(gòu)鈣鈦礦材料的光探測(cè)器 838     

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本實(shí)用新型公開(kāi)了基于石墨烯與納米結(jié)構(gòu)鈣鈦礦材料的光探測(cè)器，包括一覆蓋有二氧化硅的硅襯底，硅襯底上設(shè)有石墨烯導(dǎo)電層，石墨烯導(dǎo)電層的中部分布有納米結(jié)構(gòu)有機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦材料層，并形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，石墨烯導(dǎo)電層的左右兩端分別設(shè)有一電極層；硅襯底的最上方設(shè)有一鈍化層，鈍化層將石墨烯導(dǎo)電層、納米結(jié)構(gòu)有機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦材料層和兩個(gè)電極層全部覆蓋；位于兩個(gè)電極層上方的鈍化層上經(jīng)光刻和刻蝕分別形成電極的一個(gè)接觸孔，兩個(gè)接觸孔上分別淀積有金屬引出電極。本實(shí)用新型構(gòu)建光探測(cè)器件的技術(shù)與當(dāng)前的硅電子工藝平臺(tái)相比具有良好的兼容性，并且制備工藝簡(jiǎn)單，器件成功率高，具有實(shí)現(xiàn)快速、寬帶響應(yīng)、寬光譜光探測(cè)的極大潛力。

透明穩(wěn)定的全無(wú)機(jī)金屬鹵素鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法與應(yīng)用 1125     

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本發(fā)明提供了一種透明穩(wěn)定高性能的全無(wú)機(jī)金屬鹵素鈣鈦礦光電探測(cè)器元件及其制備方法與應(yīng)用。其制備過(guò)程包括以下步驟：在導(dǎo)電基底表面形成一層電子傳輸層薄膜；將添加了鹽酸硫胺的無(wú)機(jī)鈣鈦礦材料銫鉛碘溴(CsPbIxBry，x+y＝3)旋涂于電子傳輸層薄膜上；在上述制備的鈣鈦礦薄膜依次制備有機(jī)共軛聚合物材料和金屬電極層。本發(fā)明制備過(guò)程簡(jiǎn)單、光譜響應(yīng)范圍廣、透明度高，同時(shí)所制備的光電探測(cè)器具有自驅(qū)動(dòng)性，便于小型化，便攜化，具有巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值。

鈣鈦礦量子點(diǎn)摻雜的有機(jī)紫外探測(cè)器及其制備方法 694     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種鈣鈦礦量子點(diǎn)摻雜的有機(jī)紫外探測(cè)器及其制備方法。該方法采用過(guò)飽和溶液結(jié)晶制備鈣鈦礦量子點(diǎn)，摻雜到有機(jī)物聚[雙(4?苯基)(2,4,6?三甲基苯基)胺]中，再通過(guò)溶液旋涂方法制備基于氧化鋅/鈣鈦礦量子點(diǎn)摻雜的聚[雙(4?苯基)(2,4,6?三甲基苯基)胺]薄膜的紫外探測(cè)器。本發(fā)明制備的探測(cè)器具有極低的暗電流，將量子點(diǎn)摻雜到有機(jī)物層，提高了有機(jī)物層的載流子遷移率，進(jìn)一步提高了紫外探測(cè)器的性能；制備方法簡(jiǎn)便易行，為提高紫外探測(cè)器性能提供了一種新的途徑，具有較大的應(yīng)用潛力，可廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、火焰檢測(cè)、導(dǎo)彈追蹤等領(lǐng)域。

基于鈣鈦礦量子點(diǎn)的陣列式紫外線(xiàn)探測(cè)器及其制備方法 917     

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本發(fā)明提出了一種基于鈣鈦礦量子點(diǎn)的陣列式紫外線(xiàn)探測(cè)器及其制備方法，屬于屬于生物醫(yī)學(xué)紫外線(xiàn)成像技術(shù)領(lǐng)域。包括：陣列式閃爍體屏，具有陣列分布的若干密封孔，每個(gè)所述密封孔中填充有鈣鈦礦量子點(diǎn)液體，所述密封孔的密封端透光且所述密封孔的側(cè)壁不透光；圖像傳感器，設(shè)置于所述陣列式閃爍體屏的一端，用于接收鈣鈦礦量子點(diǎn)液體在紫外線(xiàn)輻照下產(chǎn)生的可見(jiàn)光。通過(guò)將閃爍體層進(jìn)行像素化處理，形成多個(gè)獨(dú)立的探測(cè)單元，可以避免可見(jiàn)光相互干擾，避免降低探測(cè)器的分辨率，同時(shí)陣列式閃爍體屏的高度可調(diào)，在不增加面積的情況下能夠吸收更多的紫外線(xiàn)。

巖礦探究墻 861     

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本實(shí)用新型公開(kāi)了巖礦探究墻，其包括：探究墻機(jī)構(gòu)，其包括設(shè)置在墻體上的多媒體演示區(qū)、觀測(cè)區(qū)、工具區(qū)、及展示區(qū)，所述觀測(cè)區(qū)設(shè)有觀測(cè)臺(tái)、帶動(dòng)所述觀測(cè)臺(tái)上下移動(dòng)的升降機(jī)構(gòu)、及設(shè)置在所述觀測(cè)臺(tái)上方的觀測(cè)組件，所述展示區(qū)設(shè)有多個(gè)展示臺(tái)；及多個(gè)巖礦標(biāo)本，其對(duì)應(yīng)置于所述多個(gè)展示臺(tái)上。本實(shí)用新型提供的巖礦探究墻，可提高教學(xué)效率。

基于鈣鈦礦-碳納米管體異質(zhì)結(jié)的寬譜光電探測(cè)器 733     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種基于鈣鈦礦?碳納米管體異質(zhì)結(jié)的寬譜光電探測(cè)器，包括依次層疊設(shè)置的襯底、柵介質(zhì)層、界面修飾層、鈣鈦礦?碳納米管體異質(zhì)結(jié)薄膜、電極層以及封裝層；其中，所述鈣鈦礦?碳納米管體異質(zhì)結(jié)薄膜中的碳納米管為半導(dǎo)體性碳納米管。本發(fā)明的基于鈣鈦礦?碳納米管體異質(zhì)結(jié)的寬譜光電探測(cè)器，利用碳納米管的高載流子遷移率與寬譜吸收特性，將鈣鈦礦的吸收光譜拓寬至近紅外范圍，同時(shí)提升了鈣鈦礦薄膜結(jié)晶質(zhì)量及載流子遷移率，克服了溶液法制備的多晶鈣鈦礦薄膜在近紅外范圍內(nèi)吸收低與載流子遷移率低的關(guān)鍵應(yīng)用瓶頸。本發(fā)明所述的鈣鈦礦?碳納米管體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)可顯著增加用于電荷分離的界面面積，使得光響應(yīng)度得到了大幅度提升。

鈣鈦礦光電探測(cè)器、陣列及制備方法 1121     

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本發(fā)明屬于可見(jiàn)光通信技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種鈣鈦礦光電探測(cè)器、陣列及制備方法；鈣鈦礦光電探測(cè)器用于可見(jiàn)光通信，為復(fù)合層式結(jié)構(gòu)，包括透明基底，透明基底上依次沉積的透明導(dǎo)電層、空穴傳輸層、鈣鈦礦吸光層、麥芽酚修飾層、PCBM修飾層、電子傳輸層、第二導(dǎo)電層。在鈣鈦礦吸光層表面修飾麥芽酚修飾層，可以通過(guò)強(qiáng)金屬螯合作用來(lái)消除鈣鈦礦吸光層中的錫離子相關(guān)陷阱。修飾的PCBM修飾層能與電子傳輸層形成雙層電子傳輸結(jié)構(gòu)，可有效促進(jìn)光生載流子的傳輸和提取。麥芽酚修飾層和PCBM修飾層帶來(lái)的鈣鈦礦吸光層的結(jié)晶質(zhì)量和電荷轉(zhuǎn)移特性的提高，可以提高單個(gè)鈣鈦礦光電探測(cè)器的響應(yīng)速度、工作帶寬、光響應(yīng)度和比探測(cè)率。

用于礦洞勘探的移動(dòng)機(jī)器人 719     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種用于礦洞勘探的移動(dòng)機(jī)器人，包括攝像儀和底板，所述攝像儀一端固定連接有機(jī)體，所述機(jī)體底端安裝有伸縮桿，所述伸縮桿遠(yuǎn)離機(jī)體的一端與底板固定連接，所述機(jī)體內(nèi)部安裝有中央控制器，所述機(jī)體頂端活動(dòng)連接有LED燈座，所述LED燈座一端固定連接有LED燈，所述機(jī)體遠(yuǎn)離LED燈座的一端安裝有氣體傳感器，所述氣體傳感器一側(cè)安裝有溫濕度傳感器，所述底板內(nèi)部安裝有二號(hào)電機(jī)，所述底板兩側(cè)對(duì)稱(chēng)安裝有滑輪，靠近二號(hào)電機(jī)的兩側(cè)所述滑輪之間安裝有驅(qū)動(dòng)軸，所述驅(qū)動(dòng)軸中端與二號(hào)電機(jī)的輸出軸活動(dòng)連接。該用于礦洞勘探的移動(dòng)機(jī)器人，行動(dòng)平穩(wěn)，跨越障礙能力強(qiáng)，提高了工作效率。

寬光譜自驅(qū)動(dòng)無(wú)機(jī)鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法 668     

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本發(fā)明涉及一種寬光譜自驅(qū)動(dòng)鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法，其包括依次設(shè)置的導(dǎo)電基底、電子傳輸層、鉛基鈣鈦礦納米凹凸結(jié)構(gòu)、有機(jī)共軛聚合物層和電極層；有機(jī)共軛聚合物層的材質(zhì)包括PDPP3T和/或P3HT。其制備方法包括以下步驟：在導(dǎo)電基底表面形成一層氧化物層；然后將鉛基鈣鈦礦材料的前驅(qū)體溶液旋涂于氧化物層表面，并采用壓印技術(shù)形成鉛基鈣鈦礦納米凹凸結(jié)構(gòu)；再在鉛基鈣鈦礦納米凹凸結(jié)構(gòu)表面依次形成有機(jī)共軛聚合物層和電極層，有機(jī)共軛聚合物層的材質(zhì)包括PDPP3T和/或P3HT。本發(fā)明的光電探測(cè)器制備方法簡(jiǎn)單，具有自驅(qū)動(dòng)性以及合適的能帶結(jié)構(gòu)，有利于提高電子空穴對(duì)分離，光的吸收利用率高，有效的提高了光電探測(cè)器的性能。

礦洞勘探安全車(chē) 1146     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種礦洞勘探安全車(chē)，包括機(jī)殼，所述機(jī)殼內(nèi)設(shè)有四個(gè)移動(dòng)輪，所述移動(dòng)輪能夠帶動(dòng)機(jī)殼進(jìn)行移動(dòng)，從而進(jìn)入礦洞進(jìn)行勘探，所述機(jī)殼內(nèi)設(shè)有兩個(gè)左右對(duì)稱(chēng)的移動(dòng)腔，所述機(jī)殼上側(cè)設(shè)有升降柱，所述升降柱上端面固定連接有固定頂板，所述固定頂板上端面固定連接有保護(hù)塊，所述保護(hù)塊內(nèi)設(shè)有求救器，所述固定頂板上側(cè)設(shè)有頂板，所述頂板能夠在發(fā)生危險(xiǎn)時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)，從而擋在勘探人員頭頂所述升降柱內(nèi)設(shè)有兩個(gè)左右對(duì)稱(chēng)的存放腔，所述存放腔內(nèi)存放有食物和水以及藥品，能夠保證勘探人員的生存需求，所述升降柱內(nèi)設(shè)有兩個(gè)左右對(duì)稱(chēng)的放置腔，所述放置腔內(nèi)設(shè)有氧氣面罩，所述氧氣面罩能夠提供氧氣。

基于石墨烯與納米結(jié)構(gòu)鈣鈦礦材料的光探測(cè)器及制備方法 696     

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本發(fā)明公開(kāi)了基于石墨烯與納米結(jié)構(gòu)鈣鈦礦材料的光探測(cè)器及制備方法，包括一覆蓋有二氧化硅的硅襯底，硅襯底上設(shè)有石墨烯導(dǎo)電層，石墨烯導(dǎo)電層的中部分布有納米結(jié)構(gòu)有機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦材料層，并形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，石墨烯導(dǎo)電層的左右兩端分別設(shè)有一電極層；硅襯底的最上方設(shè)有一鈍化層，鈍化層將石墨烯導(dǎo)電層、納米結(jié)構(gòu)有機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦材料層和兩個(gè)電極層全部覆蓋；位于兩個(gè)電極層上方的鈍化層上經(jīng)光刻和刻蝕分別形成電極的一個(gè)接觸孔，兩個(gè)接觸孔上分別淀積有金屬引出電極。本發(fā)明構(gòu)建光探測(cè)器件的技術(shù)與當(dāng)前的硅電子工藝平臺(tái)相比具有良好的兼容性，并且制備工藝簡(jiǎn)單，器件成功率高，具有實(shí)現(xiàn)快速、寬帶響應(yīng)、寬光譜光探測(cè)的極大潛力。

鈣鈦礦光電探測(cè)器及陣列 790     

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本申請(qǐng)屬于可見(jiàn)光通信技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種鈣鈦礦光電探測(cè)器及陣列；鈣鈦礦光電探測(cè)器用于可見(jiàn)光通信，為復(fù)合層式結(jié)構(gòu)，包括透明基底，透明基底上依次沉積的透明導(dǎo)電層、空穴傳輸層、鈣鈦礦吸光層、麥芽酚修飾層、PCBM修飾層、電子傳輸層、第二導(dǎo)電層。在鈣鈦礦吸光層表面修飾麥芽酚修飾層，可以通過(guò)強(qiáng)金屬螯合作用來(lái)消除鈣鈦礦吸光層中的錫離子相關(guān)陷阱。修飾的PCBM修飾層能與電子傳輸層形成雙層電子傳輸結(jié)構(gòu)，可有效促進(jìn)光生載流子的傳輸和提取。麥芽酚修飾層和PCBM修飾層帶來(lái)的鈣鈦礦吸光層的結(jié)晶質(zhì)量和電荷轉(zhuǎn)移特性的提高，可以提高單個(gè)鈣鈦礦光電探測(cè)器的響應(yīng)速度、工作帶寬、光響應(yīng)度和比探測(cè)率。

有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化的無(wú)鉛氯化物鈣鈦礦薄膜可見(jiàn)光盲紫外探測(cè)器及其制備方法 992     

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本發(fā)明屬于光電探測(cè)器器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)?無(wú)機(jī)雜化的無(wú)鉛氯化物鈣鈦礦薄膜可見(jiàn)光盲紫外探測(cè)器及其制備方法。所述制備方法包括以下步驟：在表面有絕緣層的襯底上制備MASnCl₃薄膜后蒸鍍叉指電極，或在表面有絕緣層的襯底上蒸鍍叉指電極后制備MASnCl₃薄膜。本發(fā)明提供了一種金叉指電極的共平面MSM結(jié)構(gòu)的MASnCl₃薄膜可見(jiàn)光盲紫外探測(cè)器，其制備方法可生長(zhǎng)得到致密的且結(jié)晶度良好的MASnCl₃薄膜，制備的紫外探測(cè)器響應(yīng)度高，為制備高靈敏度的鈣鈦礦可見(jiàn)光盲紫外探測(cè)器提供新的思路。

基于鈣鈦礦納米線(xiàn)徑向結(jié)的光電探測(cè)器及制備方法 976     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種基于鈣鈦礦納米線(xiàn)徑向結(jié)的光電探測(cè)器及制備方法，包括探測(cè)器襯底、底電極、鈣鈦礦核心納米線(xiàn)、鈣鈦礦第一外延殼層、鈣鈦礦第二外延殼層、頂電極。所述鈣鈦礦核心納米線(xiàn)為p型納米線(xiàn)或者n型納米線(xiàn)，所述鈣鈦礦第一外延殼層為本征層，第二外延殼層為n型層或者p型層；鈣鈦礦核心納米線(xiàn)、第一外延殼層和第二外延殼層構(gòu)成徑向pin結(jié)或者nip結(jié)；所述底電極與頂電極層分別于鈣鈦礦核心納米線(xiàn)和第二外延殼層構(gòu)成歐姆接觸。本發(fā)明由納米線(xiàn)陣列及其徑向結(jié)增大了光電效應(yīng)的有效作用面積，提高光電轉(zhuǎn)換量子效率；納米線(xiàn)徑向具有準(zhǔn)單晶結(jié)構(gòu)，提高光生載流子輸運(yùn)能力，進(jìn)而增大探測(cè)外量子效率。

基于鈣鈦礦單晶薄膜的超快光電探測(cè)器 795     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種基于鈣鈦礦單晶薄膜的超快光電探測(cè)器，屬于光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的基于鈣鈦礦單晶薄膜的超快光電探測(cè)器包括依次層疊設(shè)置的襯底層、背電極層、第一載流子傳輸層、界面修飾層、光吸收層、第二載流子傳輸層、頂電極層和封裝層；其中，所述的光吸收層為單晶鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明的單晶鈣鈦礦超快光電探測(cè)器具有超快的響應(yīng)速度、極高的光電轉(zhuǎn)換效率及較強(qiáng)的穩(wěn)定性，制備方法簡(jiǎn)單，成本低，而且重復(fù)性好，可以實(shí)現(xiàn)小面積器件陣列，充分利用了鈣鈦礦單晶薄膜自身的性能優(yōu)勢(shì)，在光電通信等領(lǐng)域中具有十分潛在的應(yīng)用價(jià)值。

基于鈣鈦礦p-i-n結(jié)的γ射線(xiàn)探測(cè)結(jié)構(gòu)及校正方法 748     

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本發(fā)明提出基于鈣鈦礦p?i?n結(jié)的γ射線(xiàn)探測(cè)結(jié)構(gòu)及校正方法，利用逆溫溶液結(jié)晶法生長(zhǎng)超厚本征鈣鈦礦晶體，作為γ射線(xiàn)光子吸收體，采用外延摻雜生長(zhǎng)方法在本征鈣鈦礦晶體一側(cè)生長(zhǎng)p型鈣鈦礦外延層，在另外一側(cè)生長(zhǎng)n型鈣鈦礦外延層，利用鈣鈦礦p?i?n結(jié)抑制暗態(tài)電流和噪聲，同時(shí)采用大尺寸的鈣鈦礦晶體更多地吸收和轉(zhuǎn)換γ光子，為了克服γ光子入射深度不同引起的探測(cè)能量分辨率降低的問(wèn)題，提出同時(shí)測(cè)量陰極端和陽(yáng)極端的探測(cè)信號(hào)，根據(jù)這兩個(gè)信號(hào)的比值標(biāo)定γ光子的縱向互作用深，再將同樣深度下的探測(cè)事件分別歸類(lèi)統(tǒng)計(jì)，利用已知特征峰確定校正參數(shù)，最后通過(guò)深度位置校正算法獲得高探測(cè)效率、高能量分辨率的γ射線(xiàn)探測(cè)能譜。

基于鈣鈦礦雪崩管的高靈敏度探測(cè)結(jié)構(gòu)及制備方法 774     

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本發(fā)明提供一種基于鈣鈦礦雪崩管的高靈敏度探測(cè)結(jié)構(gòu)及制備方法，涉及高靈敏度X射線(xiàn)/γ射線(xiàn)探測(cè)領(lǐng)域，本發(fā)明包括以下部分：采用厚度大于1厘米的本征鈣鈦礦晶體作為X射線(xiàn)/γ射線(xiàn)光子吸收體，利用鈣鈦礦晶體的高吸收系數(shù)，獲得較高的X射線(xiàn)/γ射線(xiàn)光子吸收轉(zhuǎn)換效率，利用本征鈣鈦礦晶體的高電阻率，減小探測(cè)器暗電流，在本征晶體上順序生長(zhǎng)空間電荷層、寬帶隙鈣鈦礦倍增層和窄帶隙鈣鈦礦倍增層，對(duì)光生電子空穴對(duì)雪崩倍增，獲得高增益探測(cè)信號(hào)，與常規(guī)采用閃爍體的間接雪崩探測(cè)器件相比較，它避免了將X射線(xiàn)/γ射線(xiàn)光子轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光子的過(guò)程，因此可以具有更高的探測(cè)量子效率。

高結(jié)晶質(zhì)量的金屬鹵素鈣鈦礦薄膜，其制備方法及由其制備的光電探測(cè)器 746     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種高結(jié)晶質(zhì)量的金屬鹵素鈣鈦礦薄膜，制備所述金屬鹵素鈣鈦礦薄膜的鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中加入了乙胺碘添加劑。本發(fā)明還提供了由所述金屬鹵素鈣鈦礦薄膜制備的金屬鹵素鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法。通過(guò)往鈣鈦礦前驅(qū)體中加入乙胺碘，成功的調(diào)控了鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶過(guò)程，并且得到了具有高結(jié)晶取向性的優(yōu)質(zhì)薄膜。以此薄膜為基礎(chǔ)，制得了具有優(yōu)良光電性能得自驅(qū)動(dòng)光電探測(cè)器。

基于鈣鈦礦n-i-n結(jié)的窄帶光探測(cè)器結(jié)構(gòu)及制備方法 756     

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本發(fā)明提供一種基于鈣鈦礦n?i?n結(jié)的窄帶光探測(cè)器結(jié)構(gòu)及制備方法，涉及光電探測(cè)領(lǐng)域，本發(fā)明包括本征鈣鈦礦晶體作為γ光子吸收層，以及在其兩側(cè)生長(zhǎng)的n型外延層。所述本征鈣鈦礦晶體為探測(cè)光譜段光子的吸收層，吸收層的能量帶隙Eg2=hc/λmax，h是普朗克常數(shù)，其中c是光傳播速度，λmax是設(shè)計(jì)探測(cè)光譜的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)；利用鈣鈦礦n?i?n異質(zhì)結(jié)的不同能量帶隙，使得設(shè)計(jì)探測(cè)光譜內(nèi)的入射光子具有較高的吸收系數(shù)，從而提高了窄帶探測(cè)的量子效率，利用n?i?n結(jié)的耗盡層調(diào)控探測(cè)器的電場(chǎng)分布，將n?i?n結(jié)能帶結(jié)構(gòu)和電場(chǎng)分布相結(jié)合，調(diào)控光生載流子的輸運(yùn)和復(fù)合，獲得較小的探測(cè)譜線(xiàn)寬度，以及較高的光譜抑制比。

地質(zhì)礦產(chǎn)勘查PDC取芯鉆及其裝配設(shè)備和方法 739     

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本發(fā)明涉及一種地質(zhì)礦產(chǎn)勘查PDC取芯鉆及其裝配設(shè)備和方法，屬于鉆探設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，取芯鉆包括刀翼部分和鉆桿，刀翼部分包括頭部和保徑部；頭部均勻設(shè)有若干U型凹槽，頭部上均勻設(shè)有若干排齒；取芯鉆的鉆桿上設(shè)有錐形部，錐形部的外徑由遠(yuǎn)離刀翼部分的一端向靠近刀翼部分的一端逐漸縮小，錐形部?jī)?nèi)活動(dòng)嵌有一排沿鉆桿軸向設(shè)置的滾珠，滾珠直徑由遠(yuǎn)離刀翼部分的一端向靠近刀翼部分的一端逐漸縮小，錐形部外套有環(huán)套。本發(fā)明借助環(huán)套對(duì)滾珠的單向抑制作用，將滾珠逆向轉(zhuǎn)動(dòng)鎖死，進(jìn)而控制礦芯下滑，實(shí)現(xiàn)對(duì)礦芯的單向抑制；在取礦芯時(shí)，礦芯帶動(dòng)滾珠滾動(dòng)，滾珠的球狀結(jié)構(gòu)不會(huì)對(duì)礦芯產(chǎn)生套緊形式的抑制和阻礙，不會(huì)影響采取礦芯過(guò)程。