本發(fā)明公開(kāi)了基于
石墨烯與納米結(jié)構(gòu)
鈣鈦礦材料的光探測(cè)器及制備方法,包括一覆蓋有二氧化硅的硅襯底,硅襯底上設(shè)有石墨烯導(dǎo)電層,石墨烯導(dǎo)電層的中部分布有納米結(jié)構(gòu)有機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦材料層,并形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),石墨烯導(dǎo)電層的左右兩端分別設(shè)有一電極層;硅襯底的最上方設(shè)有一鈍化層,鈍化層將石墨烯導(dǎo)電層、納米結(jié)構(gòu)有機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦材料層和兩個(gè)電極層全部覆蓋;位于兩個(gè)電極層上方的鈍化層上經(jīng)光刻和刻蝕分別形成電極的一個(gè)接觸孔,兩個(gè)接觸孔上分別淀積有金屬引出電極。本發(fā)明構(gòu)建光探測(cè)器件的技術(shù)與當(dāng)前的硅電子工藝平臺(tái)相比具有良好的兼容性,并且制備工藝簡(jiǎn)單,器件成功率高,具有實(shí)現(xiàn)快速、寬帶響應(yīng)、寬光譜光探測(cè)的極大潛力。
聲明:
“基于石墨烯與納米結(jié)構(gòu)鈣鈦礦材料的光探測(cè)器及制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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