權(quán)利要求書： 1.一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括層疊的基膜及膠層；所述基膜包括高分子膜；所述高分子膜的材料為高分子聚合物；

所述掩膜版上具有多條狹縫；每條所述狹縫貫穿所述基膜和膠層；每條所述狹縫包括連續(xù)的第一段、第二段和第三段，所述第二段位于所述第一段和第三段之間，每條所述狹縫的第二段的長(zhǎng)度占所述狹縫總長(zhǎng)度的75％～85％；每條所述狹縫的第二段的寬度誤差小于或等于10％；

所述寬度誤差，是指所述狹縫上任意位置處的寬度與該位置所在段的寬度平均值之間的差值，占該段的寬度平均值的百分比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，每條所述狹縫的第二段的寬度誤差小于或等于8％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，每條所述狹縫整條的寬度誤差小于或等于10％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述狹縫包括相交的第一狹縫和第二狹縫；所述第一狹縫的寬度大于所述第二狹縫的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，每條所述狹縫整條的寬度處處相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一狹縫任意位置處的寬度為30μm～400μm，所述第二狹縫任意位置處的寬度為2μm～60μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，沿著同一軌跡的相鄰第二狹縫之間具有分隔部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述分隔部的長(zhǎng)度大于或等于200μm；優(yōu)選地，所述分隔部的長(zhǎng)度為400μm～2000μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的掩膜版，其特征在于，沿著所述狹縫延伸方向，所述掩膜版上、所述狹縫的兩側(cè)均具有熱應(yīng)力區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜版，其特征在于，

當(dāng)所述狹縫為第一狹縫時(shí)，在所述第一狹縫任意位置處，所述第一狹縫和所述第一狹縫兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域的寬度之和，與所述第一狹縫的寬度之比為(1.03～3.25):1；

當(dāng)所述狹縫為第二狹縫時(shí)，在所述第二狹縫任意位置處，所述第二狹縫與所述第二狹縫兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域的寬度之和，與所述第二狹縫的寬度之比為(1.2～5.5):1。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜版，其特征在于，所述熱應(yīng)力區(qū)域的寬度為6μm～75μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜版，其特征在于，所述熱應(yīng)力區(qū)域靠近狹縫的位置具有凸起，所述凸起的延伸方向與所述狹縫的延伸方向相同。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的掩膜版，其特征在于，所述凸起的高度為0.2μm～12μm；所述凸起的寬度為2μm～30μm；

所述凸起靠近狹縫的側(cè)壁與水平方向的夾角為55°～80°，所述凸起靠近狹縫的側(cè)壁與豎直方向的夾角為10°～35°。

14.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的掩膜版，其特征在于，所述高分子聚合物包括聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚酰亞胺、聚氯乙烯、雙向拉伸聚丙烯中的一種或多種。

15.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的掩膜版，其特征在于，

所述基膜在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥20％，其中，所述紫外光光源的波長(zhǎng)為355±15nm；或，所述基膜在綠光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥20％，其中，所述綠光光源的波長(zhǎng)為530±15nm；或，所述基膜在紅外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥20％，其中，所述紅外光光源的波長(zhǎng)為1045±20nm；

優(yōu)選地，所述基膜在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥50％，優(yōu)選的，所述基膜在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥80％；或，所述基膜在綠光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥50％，優(yōu)選的，所述基膜在綠光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥80％；或，所述基膜在紅外光光源照射下、且厚度在

200um以下的吸收系數(shù)≥50％，優(yōu)選的，所述基膜在紅外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥80％；

所述基膜的可見光透過率≤90％。

16.一種太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池的電極利用權(quán)利要求1～15任一項(xiàng)所述的掩膜版制作。

說(shuō)明書： 一種掩膜版及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版及太陽(yáng)能電池。背景技術(shù)[0002] 太陽(yáng)能電池的制作主要包括電池片制作和電極制作。電極的制作工藝包括絲網(wǎng)印刷工藝、物理沉積工藝等。

[0003] 當(dāng)采用物理沉積工藝制作太陽(yáng)能電池電極時(shí)，往往會(huì)使用圖案化金屬掩膜版覆蓋在待沉積的太陽(yáng)能電池片上，然后將金屬電極材料沉積在太陽(yáng)能電池片上形成圖案化的電

極。金屬掩膜版上具有與電極圖案相匹配的鏤空?qǐng)D案，由于金屬掩膜版多次使用后，鏤空?qǐng)D案處會(huì)不斷的沉積金屬電極材料，從而導(dǎo)致鏤空?qǐng)D案的尺寸精度下降，甚至?xí)氯?，最終會(huì)導(dǎo)致電極變窄甚至斷線。另外，制作掩模版上的鏤空?qǐng)D案(狹縫)時(shí)，容易出現(xiàn)狹縫陡然變

窄、沒有貫通等問題。這些問題也會(huì)導(dǎo)致電極變窄、斷線。

發(fā)明內(nèi)容[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜版及太陽(yáng)能電池，以改進(jìn)掩膜版的圖案，避免電極變窄或斷線。

[0005] 第一方面，本發(fā)明提供一種掩膜版。該掩膜版包括層疊的基膜及膠層；基膜包括高分子膜；高分子膜的材料為高分子聚合物；掩膜版上具有多條狹縫；每條狹縫貫穿基膜和膠層；每條狹縫包括連續(xù)的第一段、第二段和第三段，第二段位于第一段和第三段之間，每條狹縫的第二段的長(zhǎng)度占狹縫總長(zhǎng)度的75％～85％；每條狹縫的第二段的寬度誤差小于或等于10％；寬度誤差，是指狹縫上任意位置處的寬度與該位置所在段的寬度平均值之間的差

值，占該段的寬度平均值的百分比。

[0006] 采用上述技術(shù)方案時(shí)，掩膜版上具有多條狹縫；每條狹縫貫穿基膜和膠層；每條狹縫包括連續(xù)的第一段、第二段和第三段，第二段位于第一段和第三段之間，每條狹縫的第二段的長(zhǎng)度占狹縫總長(zhǎng)度的75％～85％；每條狹縫的第二段的寬度誤差小于或等于10％。此時(shí)，掩膜版上的各條狹縫均為貫通的，并且狹縫的第二段的寬度誤差較小，也就是狹縫的主體部分的寬度誤差較小。制作電極時(shí)，電極材料通過這些狹縫落在電池片上。當(dāng)每條狹縫貫通時(shí)，狹縫的鏤空區(qū)域內(nèi)沒有粘連或搭橋現(xiàn)象，可以避免對(duì)電極材料的阻擋，進(jìn)而可以形成連續(xù)的電極，避免斷柵、孔洞等問題。當(dāng)每條狹縫的第二段的寬度誤差小于或等于10％時(shí)，所制作的每條電極的主體部分的寬度誤差也在10％以下。此時(shí)，每條電極的寬度較為一致，可以減少電極陡然變窄的問題，從而可以減少電極的電阻及應(yīng)力突變，確保每條電極的應(yīng)

力及電阻恒定。由此可見，本發(fā)明掩膜版的狹縫的圖案質(zhì)量較好，可以確保電極連續(xù)且電

阻、應(yīng)力恒定，提高電極的電流傳輸性能。

[0007] 并且，采用高分子膜作為基膜，并配合膠層形成掩模版，相較于金屬掩模版，不僅可以方便的固定在電池片上，而且成本較低，可以作為一次性產(chǎn)品使用，從而可以避免多次使用所導(dǎo)致的狹縫堵塞，精度下降的問題。[0008] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，每條狹縫的第二段的寬度誤差小于或等于8％。此時(shí)，狹縫的寬度誤差進(jìn)一步減小，從而可以進(jìn)一步提高利用該狹縫制作的電極的精度。

[0009] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，每條狹縫整條的寬度誤差小于或等于10％。此時(shí)，每條狹縫不僅主體部分(第二段)，整條狹縫的寬度誤差均較小。也就是，狹縫所制作的整條電極的寬度較為一致。[0010] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，狹縫包括相交的第一狹縫和第二狹縫；第一狹縫的寬度大于第二狹縫的寬度。

[0011] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，每條狹縫整條的寬度處處相等。此時(shí)，可以進(jìn)一步確保利用該狹縫所形成的電極的寬度處處相等，從而可以提高電極的應(yīng)力均勻性和電阻一致性，提高電極的傳輸性能。

[0012] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，第一狹縫任意位置處的寬度為30μm～400μm，第二狹縫任意位置處的寬度為2um～60um。此時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，第一狹縫和第二狹縫的寬度較小，相應(yīng)的，所形成的匯流電極和集電電極的寬度也較小，可以形成又窄又高的電極，從而可以在保持電阻較小的情況下，減少電極對(duì)太陽(yáng)光的遮擋，提高太陽(yáng)能電池效率。[0013] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，沿著同一軌跡的相鄰第二狹縫之間具有分隔部。分隔部的設(shè)置可以縮小第二狹縫的長(zhǎng)度。制作電極完成后，可以方便的從每個(gè)狹縫的端部撕掉掩膜版，降低去除掩膜版的難度。

[0014] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，分隔部的長(zhǎng)度大于或等于200μm。當(dāng)分隔部具有該長(zhǎng)度時(shí)，在便于撕掉掩膜版的基礎(chǔ)上，還可以確保相鄰的狹縫的穩(wěn)定性，避免狹縫變形。[0015] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，分隔部的長(zhǎng)度為400μm～2000μm。[0016] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，沿著狹縫延伸方向，掩膜版上、狹縫的兩側(cè)均具有熱應(yīng)力區(qū)域。此時(shí)，狹縫兩側(cè)激光熱量形成的熱應(yīng)力區(qū)域內(nèi)，被激光熱量灼燒后，掩膜版材料密度、強(qiáng)度提高，有利于固定狹縫形狀，避免狹縫變形，從而可以提高狹縫的穩(wěn)定性和制作電極的精度。

[0017] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)狹縫為第一狹縫時(shí)，在第一狹縫任意位置處，第一狹縫和第一狹縫兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域的寬度之和，與第一狹縫的寬度之比為(1.03～3.25):1；當(dāng)狹縫為第二狹縫時(shí)，在第二狹縫任意位置處，第二狹縫和第二狹縫兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域的寬度之

和，與第二狹縫的寬度之比為(1.2～5.5):1。此時(shí)，狹縫兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域材料密度、強(qiáng)度發(fā)生改變，當(dāng)狹縫及其兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域的寬度比在該范圍時(shí)，可以避免熱應(yīng)力區(qū)域范圍

過大，導(dǎo)致的掩膜版整體變形，確保掩膜版質(zhì)量。

[0018] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，熱應(yīng)力區(qū)域的寬度為6μm～75μm。此時(shí)，熱應(yīng)力區(qū)域的寬度較小，既可以起到固定狹縫形狀的作用，又可以避免掩膜版的形變。[0019] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，熱應(yīng)力區(qū)域靠近狹縫的位置具有凸起，凸起的延伸方向與狹縫的延伸方向相同。該凸起可以進(jìn)一步起到固定狹縫形狀，減少狹縫形狀、尺寸變形的作

用，從而可以提高狹縫的精度和穩(wěn)定性，提高掩膜版制作的電極的精度。

[0020] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，凸起的高度為0.2μm～12μm；凸起的寬度為2μm～30μm。此時(shí)，凸起的高度和寬度適中，固定狹縫形狀的同時(shí)，可以避免掩膜版變形。[0021] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，凸起靠近狹縫的側(cè)壁與水平方向的夾角為55°～80°，凸起靠近狹縫的側(cè)壁與豎直方向的夾角為10°～35°。當(dāng)凸起具有該傾斜角度時(shí)，凸起向著遠(yuǎn)離狹

縫的外側(cè)傾斜，當(dāng)形成電極時(shí)，可以減少對(duì)電極材料的遮擋，使得電極材料能夠順利的落入狹縫中。

[0022] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，高分子聚合物包括聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚酰亞胺、聚氯乙烯、雙向拉伸聚丙烯中的一種或多種。[0023] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，上述基膜在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥20％，其中，紫外光光源的波長(zhǎng)為355±15nm；或，基膜在綠光光源照射下、且厚度在

200um以下的吸收系數(shù)≥20％，其中，綠光光源的波長(zhǎng)為530±15nm；或，基膜在紅外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥20％，其中，紅外光光源的波長(zhǎng)為1045±20nm。

[0024] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，上述基膜的可見光透過率≤90％。[0025] 在一些實(shí)現(xiàn)方式中，上述基膜在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥50％，優(yōu)選的，基膜在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥80％；或，基膜在綠光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥50％，優(yōu)選的，基膜在綠光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥80％；或，基膜在紅外光光源照射下、且厚度在

200um以下的吸收系數(shù)≥50％，優(yōu)選的，基膜在紅外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥80％。

[0026] 第二方面，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池。該太陽(yáng)能電池的電極利用第一方面或第一方面任一實(shí)現(xiàn)方式描述的掩膜版制作。

[0027] 第二方面提供的太陽(yáng)能電池的有益效果，可以參考第一方面或第一方面任一實(shí)現(xiàn)方式描述的掩膜版的有益效果，在此不再贅言。

附圖說(shuō)明[0028] 此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

[0029] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；[0030] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版上的熱應(yīng)力區(qū)域的局部結(jié)構(gòu)示意圖；[0031] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一狹縫兩側(cè)的凸起的局部結(jié)構(gòu)示意圖；[0032] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二狹縫兩側(cè)的凸起的局部結(jié)構(gòu)示意圖；[0033] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模版在掃描電鏡下的2D結(jié)構(gòu)示意圖；[0034] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模版在掃描電鏡下的3D結(jié)果示意圖；[0035] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一狹縫與第二狹縫在掃描電鏡下交匯處的3D結(jié)構(gòu)示意圖；

[0036] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二狹縫及其兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域在掃描電鏡下的2D結(jié)構(gòu)圖；

[0037] 圖9為本發(fā)明實(shí)施例寬度測(cè)量時(shí)選取的第一狹縫和第二狹縫的位置示意圖；[0038] 圖10為本發(fā)明具體場(chǎng)景實(shí)施例1的高分子膜吸收系數(shù)與波長(zhǎng)的對(duì)應(yīng)關(guān)系示意圖；[0039] 圖11為本發(fā)明實(shí)施例的第一狹縫所制作出來(lái)的匯流電極在掃描電鏡下的微觀結(jié)構(gòu)示意圖；

[0040] 圖12為本發(fā)明實(shí)施例的第二狹縫所制作出來(lái)的集電電極在掃描電鏡下的微觀結(jié)構(gòu)示意圖。

[0041] 圖1～圖12中，10?掩膜版，20?狹縫，21?第一狹縫，22?第二狹縫，23?分隔部，30?熱應(yīng)力區(qū)域，40?凸起，51?匯流電極，52?集電電極。具體實(shí)施方式[0042] 為了便于清楚描述本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，在本發(fā)明的實(shí)施例中，采用了“第一”、“第二”等字樣對(duì)功能和作用基本相同的相同項(xiàng)或相似項(xiàng)進(jìn)行區(qū)分。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解“第一”、“第二”等字樣并不對(duì)數(shù)量和執(zhí)行次序進(jìn)行限定，并且“第一”、“第二”等字樣也并不限定一定不同。

[0043] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中，“示例性的”或者“例如”等詞用于表示作例子、例證或說(shuō)明。本發(fā)明中被描述為“示例性的”或者“例如”的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)方案不應(yīng)被解釋為比其他實(shí)施例或設(shè)計(jì)方案更優(yōu)選或更具優(yōu)勢(shì)。確切而言，使用“示例性的”或者“例如”等詞旨在以具體方式呈現(xiàn)相關(guān)概念。[0044] 本發(fā)明中，“至少一個(gè)”是指一個(gè)或者多個(gè)，“多個(gè)”是指兩個(gè)或兩個(gè)以上。“和/或”，描述關(guān)聯(lián)對(duì)象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，A和/或B，可以表示：?jiǎn)为?dú)存在A，同時(shí)存在A和B，單獨(dú)存在B的情況，其中A，B可以是單數(shù)或者復(fù)數(shù)。字符“/”一般表示前后關(guān)聯(lián)對(duì)象是一種“或”的關(guān)系?！耙韵轮辽僖豁?xiàng)(個(gè))”或其類似表達(dá)，是指的這些項(xiàng)中的任意組合，包括單項(xiàng)(個(gè))或復(fù)數(shù)項(xiàng)(個(gè))的任意組合。例如，a，b或c中的至少一項(xiàng)(個(gè))，可以表示：a，b，c，a和b的結(jié)合，a和c的結(jié)合，b和c的結(jié)合，或a、b和c的結(jié)合，其中a，b，c可以是單個(gè)，也可以是多個(gè)。[0045] 太陽(yáng)能電池的制作主要包括電池片制作和電極制作。電極的制作工藝包括絲網(wǎng)印刷工藝、物理沉積工藝。

[0046] 當(dāng)采用物理沉積工藝制作太陽(yáng)能電池電極時(shí)，將具有電極鏤空?qǐng)D案的掩膜版固定在電池片上，然后進(jìn)行沉積工藝可以在電池片上沉積形成設(shè)計(jì)圖案的電極。金屬掩膜版上

具有與電極圖案相匹配的鏤空?qǐng)D案，由于金屬掩膜版多次使用后，鏤空?qǐng)D案處會(huì)不斷的沉

積金屬電極材料，從而導(dǎo)致鏤空?qǐng)D案的尺寸精度下降，甚至?xí)氯?，最終會(huì)導(dǎo)致電極變窄甚至斷線。另外，制作掩模版上的鏤空?qǐng)D案(狹縫)時(shí)，容易出現(xiàn)狹縫陡然變窄、沒有貫通等問題，這些問題也會(huì)導(dǎo)致電極變窄、斷線。

[0047] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版10。圖1示例出掩模版10的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5示例出掩模版10的2D結(jié)構(gòu)圖，圖6示例出掩膜版10的3D結(jié)構(gòu)圖。如圖1、圖5和圖6所示，該掩膜版10包括層疊的基膜及膠層，基膜包括高分子膜；高分子膜的材料為高分子聚合物。掩膜版10上具有多條狹縫20；每條狹縫20貫穿基膜和膠層；每條狹縫20包括連續(xù)的第一段20a、第二段20b和第三段20c，第二20b段位于第一段20a和第三段20c之間，每條狹縫20的第二段的長(zhǎng)度占狹縫20總長(zhǎng)度的75％～85％；每條狹縫20的第二段的寬度誤差小

于或等于10％；寬度誤差，是指狹縫20上任意位置處的寬度與該位置所在段的寬度平均值

之間的差值，占該段的寬度平均值的百分比。

[0048] 應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，狹縫20的長(zhǎng)度方向與狹縫20的延伸方向相同。狹縫20的寬度方向與狹縫20的延伸方向垂直。每條狹縫20的第二段20b的長(zhǎng)度占狹縫20總長(zhǎng)度的75％～85％，是指一條狹縫20的第二段20b的長(zhǎng)度占該條狹縫20總長(zhǎng)度的百分比為75％～

85％。狹縫20的第一段20a的長(zhǎng)度占狹縫20總長(zhǎng)度的百分比，與狹縫20的第三段20c的長(zhǎng)度

占狹縫20總長(zhǎng)度的百分比之和為15％～25％。具體的，第一段20a和第三段20c的長(zhǎng)度可以

根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)情況確定。

[0049] 基于上述掩膜版10可知，掩膜版10上具有多條狹縫20；每條狹縫20貫穿基膜和膠層；每條狹縫20包括連續(xù)的第一段20a、第二段20b和第三段20c，第二段20b位于第一段20a和第三段20c之間，每條狹縫20的第二段20b的長(zhǎng)度占狹縫20總長(zhǎng)度的75％～85％；每條狹

縫20的第二段20b的寬度誤差小于或等于10％。此時(shí)，掩膜版10上的各條狹縫20均為貫通

的，并且狹縫20的第二段20b的寬度誤差較小，也就是狹縫20的主體部分的寬度誤差較小。

制作電極時(shí)，電極材料通過這些狹縫20落在電池片上。當(dāng)每條狹縫20貫通時(shí)，狹縫20的鏤空區(qū)域內(nèi)沒有粘連或搭橋現(xiàn)象，可以避免對(duì)電極材料的阻擋，進(jìn)而可以形成連續(xù)的電極，避免斷柵、孔洞等問題。當(dāng)每條狹縫20的第二段20b的寬度誤差小于或等于10％時(shí)，所制作的每條電極的主體部分的寬度誤差也在10％以下。此時(shí)，每條電極的寬度較為一致，可以減少電極陡然變窄的問題，從而可以減少電極的電阻及應(yīng)力突變，確保每條電極的應(yīng)力及電阻恒

定。由此可見，本發(fā)明實(shí)施例的掩膜版10的狹縫20的圖案質(zhì)量較好，可以確保電極連續(xù)且電阻、應(yīng)力恒定，提高電極的電流傳輸性能。另外，采用高分子膜作為基膜，并配合膠層形成掩模版10，相較于金屬掩模版，不僅可以方便的固定在電池片上，而且成本較低，可以作為一次性產(chǎn)品使用，從而可以避免多次使用所導(dǎo)致的狹縫20堵塞，精度下降的問題。

[0050] 具體的，每條狹縫20的第二段20b的寬度誤差可以為10％、9％、8.4％、8％、7.5％、7％、6.6％、6％、5.6％、5％、4.8％、4％、3.5％、3％、2.5％、2％、1.4％、1％、0.5％、0％。優(yōu)選的，每條狹縫20的第二段20b的寬度誤差小于或等于8％。此時(shí)，狹縫20的寬度誤差進(jìn)一步減小，從而可以進(jìn)一步提高利用該狹縫20制作的電極的精度。

[0051] 進(jìn)一步的，每條狹縫20整條的寬度誤差小于或等于10％。這里狹縫20整條的寬度誤差，是指狹縫20上任意位置處的寬度與整條狹縫20的寬度平均值的差值，占整條狹縫20

的寬度平均值的百分比。例如，整條狹縫20的寬度誤差可以為10％、9％、8.5％、8％、7.4％、

7％、6.5％、6％、5.5％、5％、4.5％、4％、3.5％、3％、2.5％、2％、1.4％、1％、0.5％、0％等。

此時(shí)，每條狹縫20不僅主體部分(第二段20b)，整條狹縫20的寬度誤差均較小。也就是，狹縫

20所制作的整條電極的寬度較為一致。

[0052] 如圖1所示，上述狹縫20可以為條狀，例如長(zhǎng)方形。具體的，如圖1和圖7所示，上述狹縫20可以包括相交的第一狹縫21和第二狹縫22；第一狹縫21的寬度大于第二狹縫22的寬度。在掩膜版10上，第一狹縫21和第二狹縫22可以有多種分布方式，例如第二狹縫22陣列化分布，第一狹縫21陣列化分布，且第一狹縫21垂直與第一狹縫21相交。在利用掩膜版10制作電極時(shí)，第一狹縫21對(duì)應(yīng)制作出匯流電極，第二狹縫22對(duì)應(yīng)制作出集電電極。

[0053] 具體實(shí)施時(shí)，掩膜版10上的狹縫可以利用激光在掩膜版10上劃線制作而成。[0054] 上述掩膜版10的結(jié)構(gòu)包括基膜和膠層。基膜包括高分子薄膜。高分子膜的材料可以為高分子聚合物。具體的，高分子聚合物包括但不限于：聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚烯烴薄膜(PO)、聚酰亞胺(PI)、聚氯乙烯(PC)、雙向拉伸聚丙烯(BOPP)等中的一種或多種。進(jìn)一步的，膠層的材料包括但不限于：硅膠、亞克力膠、聚氨酯、橡膠、聚異丁烯等中的一種或多種。

[0055] 例如，掩模版10可以包括層疊的PET膜與硅膠層。又例如，掩模版10可以包括層疊的PET膜、PO膜、PI膜、PC膜、BOPP膜、硅膠層、亞克力膠層以及異丁烯層。又例如，掩模版10可以包括層疊的PI膜、硅膠層、亞克力膠層、聚氨酯層、橡膠層和聚異丁烯層。

[0056] 在掩模版10上形成狹縫20的方式可以為激光開槽方式。具體的，在掩模版10上，可以使用脈沖寬度在皮秒或飛秒量級(jí)的超快脈沖激光，還可以使用脈沖寬度在微秒或納秒量級(jí)的短脈沖激光對(duì)掩膜版10進(jìn)行開槽，激光貫穿掩模版10的基膜和膠層，形成狹縫20。

[0057] 在實(shí)際應(yīng)用中，可以預(yù)先在掩模版10上規(guī)劃狹縫20的坐標(biāo)位置，然后利用脈沖寬度在皮秒或飛秒量級(jí)的超快脈沖激光，或者脈沖寬度在微秒或納秒量級(jí)的短脈沖激光在規(guī)

劃的狹縫20的坐標(biāo)位置進(jìn)行劃線開槽，形成狹縫20。

[0058] 這里需要說(shuō)明的是，結(jié)合上面的描述，上述掩模版10需要設(shè)計(jì)成在某個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)具備較高的吸收率，以在采用例如激光等光源對(duì)掩模版10進(jìn)行圖案化處理的過程中，掩

模版10可以高效吸收激光等光源的能量，提升能量利用效率和圖案化精度，具體需要按照

使用的光源設(shè)計(jì)。

[0059] 具體的，基膜在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥20％，其中，紫外光光源的波長(zhǎng)為355±15nm?；蛘撸ぴ诰G光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥20％，其中，綠光光源的波長(zhǎng)為530±15nm。或者，基膜在紅外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥20％，其中，紅外光光源的波長(zhǎng)為1045±20nm。[0060] 上述基膜的可見光透過率≤90％。[0061] 進(jìn)一步的，上述基膜在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥50％，優(yōu)選的，基膜在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥80％。或者，基膜在綠光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥50％，優(yōu)選的，基膜在綠光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥80％。或者，基膜在紅外光光源照射下、且厚度在

200um以下的吸收系數(shù)≥50％，優(yōu)選的，基膜在紅外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數(shù)≥80％。

[0062] 結(jié)合上面的描述，例如，針對(duì)紫外光光源，在厚度200um以下的吸收系數(shù)可以為：20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％或其之間的任意范圍。

[0063] 結(jié)合上面的描述，例如，針對(duì)綠光光源，在厚度200um以下的吸收系數(shù)可以為：20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％或其之間的任意范圍。

[0064] 結(jié)合上面的描述，例如，針對(duì)紅外光光源，在厚度200um以下的吸收系數(shù)為：20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％或其之間的任意范圍。

[0065] 結(jié)合上面的描述，例如，針對(duì)基膜的可見光透過率≤90％，可見光透過率可以為：0％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、

75％、80％、85％、90％或其之間的任意范圍。

[0066] 進(jìn)一步的，基膜的厚度可以為1?100um，優(yōu)選的厚度為5?40um，進(jìn)一步優(yōu)選的厚度為10?25um。[0067] 結(jié)合上面的描述，例如，基膜的厚度可以為：1um、5um、10um、15um、20um、25um、30um、35um、40um、45um、50um、55um、60um、65um、70um、75um、80um、85um、90um、95um、100um或其之間的任意范圍。

[0068] 這里需要說(shuō)明的是，基膜針對(duì)上述各種光源的吸收系數(shù)的特征設(shè)置，通?？梢圆捎谜{(diào)整基膜顏色、添加有吸收特性的添加劑等的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，在PET膜中包括但不限于使用各種染料、添加劑、色母或者其它物質(zhì)達(dá)到滿足吸收系數(shù)的要求。比如，在BOPP膜中添加黑色粒子，實(shí)現(xiàn)100％的吸收系數(shù)，又比如，在PO膜中添加灰色粒子，實(shí)現(xiàn)50％的吸收系數(shù)。

[0069] 結(jié)合上面的描述，紫外光光源的波長(zhǎng)為340nm、345nm、350nm、355nm、360nm、365nm、370nm或其之間的任意范圍。這里的紫外光光源可以使用激光光源，比如脈沖寬度在皮秒或飛秒量級(jí)的超快脈沖激光，又比如脈沖寬度在微秒或納秒量級(jí)的短脈沖激光。

[0070] 結(jié)合上面的描述，綠光光源的波長(zhǎng)為515nm、520nm、525nm、530nm、535nm、540nm、545nm或其之間的任意范圍。這里的綠光光源可以使用激光光源，比如脈沖寬度在皮秒或飛秒量級(jí)的超快脈沖激光，又比如脈沖寬度在微秒或納秒量級(jí)的短脈沖激光。

[0071] 結(jié)合上面的描述，紅外光光源的波長(zhǎng)為1025nm、1030nm、1035nm、1040nm、1045nm、1050nm、1055nm、1060nm、1065nm或其之間的任意范圍。這里的紅外光光源可以使用激光光源，比如脈沖寬度在皮秒或飛秒量級(jí)的超快脈沖激光，又比如脈沖寬度在微秒或納秒量級(jí)

的短脈沖激光。

[0072] 具體場(chǎng)景實(shí)施例1：掩模版10由高分子膜(基膜)及粘性膜(膠層)疊層組成。高分子膜使用5um的藍(lán)色PET薄膜材料，藍(lán)色PET薄膜材料的具體參數(shù)為：可見光透過率≤90％，

355nm紫外光波長(zhǎng)能量吸收系數(shù)≥50％。圖10為本發(fā)明具體場(chǎng)景實(shí)施例1的高分子膜使用藍(lán)

色PET薄膜材料的波長(zhǎng)與吸收系數(shù)的示意圖。如圖10所示，圖中，橫坐標(biāo)為波長(zhǎng)數(shù)值范圍，單位為nm，縱坐標(biāo)為吸收系數(shù)，單位為％。圖中31代表高分子膜使用藍(lán)色PET薄膜材料在不同波長(zhǎng)范圍內(nèi)的吸收系數(shù)。圖中32代表高分子膜使用透明PET薄膜材料在不同波長(zhǎng)范圍內(nèi)的

吸收系數(shù)?？梢姡叻肿幽な褂盟{(lán)色PET薄膜材料在波長(zhǎng)為355nm紫外光波長(zhǎng)的能量吸收系

數(shù)為53％，如圖中33所示。

[0073] 如圖1、圖5～圖7所示，上述每條狹縫20的各處寬度的誤差較小。優(yōu)選的，每條狹縫20的寬度可以處處相等。也就是說(shuō)，每條狹縫20不存在變窄區(qū)。沿著狹縫20的延伸方向，整個(gè)狹縫20各個(gè)位置的寬度始終保持一致。此時(shí)，可以進(jìn)一步確保利用該狹縫20所形成的電

極的寬度處處相等，從而可以提高電極的應(yīng)力均勻性和電阻一致性，提高電極的傳輸性能。

[0074] 在實(shí)際應(yīng)用中，第一狹縫21任意位置處的寬度可以為30μm～400μm，第二狹縫22任意位置處的寬度可以為2μm～60um。此時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，第一狹縫21和第二狹縫22的寬度較小，相應(yīng)的，所形成的匯流電極和集電電極的寬度也較小，可以形成又窄又高的電極，從而可以在保持電阻較小的情況下，減少電極對(duì)太陽(yáng)光的遮擋，提高太陽(yáng)能電池效率。優(yōu)選的，第一狹縫21的寬度可以為60μm～150μm。第二狹縫22的寬度可以為10μm～30um。如圖7所示，自左到右的方向?yàn)榈谝华M縫21的長(zhǎng)度方向，沿著第一狹縫21長(zhǎng)度方向，在任意位置處，垂直該長(zhǎng)度方向(即垂直第一狹縫21的側(cè)壁)測(cè)量第一狹縫21的寬度，該寬度在30μm～400μm范圍內(nèi)。如圖7和圖8所示，自上而下的方向?yàn)榈诙M縫22的長(zhǎng)度方向，沿著第二狹縫22的長(zhǎng)度方向，在第二狹縫22的任意位置處，垂直該長(zhǎng)度方向(即垂直第二狹縫22的側(cè)壁)測(cè)量第二狹縫22的寬度，該寬度在2μm～60um的范圍內(nèi)。例如，如圖8中[1]所示的位置，寬度的測(cè)量線垂直第二狹縫22的長(zhǎng)度方向。并且圖8中[1]所示的位置的寬度19.874μm在2μm～60um的范圍內(nèi)。

[0075] 示例性的，第一狹縫21任意位置處的寬度可以為30μm、40μm、50μm、60μm、80μm、100μm、130μm、150μm、180μm、200μm、240μm、270μm、300μm、350μm、400μm等。第二狹縫22任意位置處的寬度可以為2μm、5μm、8μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、38μm、40μm、44μm、48μm、50μm、55μm、60μm等。

[0076] 具體的，如圖9所示，在掩模版10上選取3個(gè)第一狹縫(對(duì)應(yīng)形成匯流電極)，并測(cè)量每條第一狹縫上第二段任意位置處的17個(gè)點(diǎn)位的寬度。沿長(zhǎng)度方向，第一狹縫A1的17個(gè)點(diǎn)位均勻分布在第一狹縫A1中部的75％長(zhǎng)度范圍內(nèi)。如圖9所示，沿第一狹縫A1的長(zhǎng)度方向，從左到右，17個(gè)點(diǎn)位(圖中未示出)均勻分布在總長(zhǎng)度10％處至總長(zhǎng)度的85％處的范圍內(nèi)。

沿長(zhǎng)度方向，第一狹縫A2的17個(gè)點(diǎn)位均勻分布在第一狹縫A2中部的80％長(zhǎng)度范圍內(nèi)。如圖9所示，沿第一狹縫A2的長(zhǎng)度方向，從左到右，17個(gè)點(diǎn)位(圖中未示出)均勻分布在總長(zhǎng)度10％處至總長(zhǎng)度的90％處的范圍內(nèi)。沿長(zhǎng)度方向，第一狹縫A3的17個(gè)點(diǎn)位均勻分布在第一狹縫

A3中部的85％長(zhǎng)度范圍內(nèi)。如圖9所示，沿第一狹縫A3的長(zhǎng)度方向，從左到右，17個(gè)點(diǎn)位(圖中未示出)均勻分布在總長(zhǎng)度5％處至總長(zhǎng)度的90％處的范圍內(nèi)。

[0077] 如圖9所示，在掩模版上選取5個(gè)第二狹縫(對(duì)應(yīng)形成集電電極)，并測(cè)量每條第二狹縫上第二段的任意位置處的6個(gè)點(diǎn)位的寬度。沿第二狹縫的長(zhǎng)度方向，第二狹縫B1的6個(gè)

點(diǎn)位均勻分布在第二狹縫B1中部的75％長(zhǎng)度范圍內(nèi)。如圖9所示，沿第一狹縫B1的長(zhǎng)度方

向，從左到右，6個(gè)點(diǎn)位(圖中未示出)均勻分布在總長(zhǎng)度10％處至總長(zhǎng)度的85％處的范圍

內(nèi)。沿長(zhǎng)度方向，第二狹縫B2的6個(gè)點(diǎn)位均勻分布在第二狹縫B2中部的78％長(zhǎng)度范圍內(nèi)。如圖9所示，沿第二狹縫B2的長(zhǎng)度方向，從左到右，6個(gè)點(diǎn)位(圖中未示出)均勻分布在總長(zhǎng)度

10％處至總長(zhǎng)度的88％處的范圍內(nèi)。沿長(zhǎng)度方向，第二狹縫B3的6個(gè)點(diǎn)位均勻分布在第二狹縫B3中部的80％長(zhǎng)度范圍內(nèi)。如圖9所示，沿第二狹縫B3的長(zhǎng)度方向，從左到右，6個(gè)點(diǎn)位(圖中未示出)均勻分布在總長(zhǎng)度10％處至總長(zhǎng)度的90％處的范圍內(nèi)。沿長(zhǎng)度方向，第二狹縫B4的6個(gè)點(diǎn)位均勻分布在第二狹縫B4中部的82％長(zhǎng)度范圍內(nèi)。如圖9所示，沿第二狹縫B4的長(zhǎng)

度方向，從左到右，6個(gè)點(diǎn)位(圖中未示出)均勻分布在總長(zhǎng)度10％處至總長(zhǎng)度的92％處的范圍內(nèi)。沿長(zhǎng)度方向，第二狹縫B5的6個(gè)點(diǎn)位均勻分布在第二狹縫B5中部的85％長(zhǎng)度范圍內(nèi)。

如圖9所示，沿第二狹縫B5的長(zhǎng)度方向，從左到右，6個(gè)點(diǎn)位(圖中未示出)均勻分布在總長(zhǎng)度

5％處至總長(zhǎng)度的90％處的范圍內(nèi)。

[0078] 經(jīng)過實(shí)際測(cè)量，各第一狹縫第二段任意位置處的17個(gè)測(cè)試點(diǎn)的寬度測(cè)量結(jié)果見表1；各第二狹縫第二段任意位置處的6個(gè)測(cè)試點(diǎn)的寬度測(cè)量結(jié)果見表2。

[0079] 表1各第一狹縫的寬度情況[0080][0081] 表2各第二狹縫的寬度情況[0082][0083] 根據(jù)表1可知，A1至A3三個(gè)第一狹縫，每個(gè)第一狹縫第二段的寬度誤差均小于或等于10％，最小寬度誤差為1％，最大寬度誤差為10％。

[0084] 根據(jù)表2可知，B1至B5五個(gè)第二狹縫中，每個(gè)第二狹縫第二段的寬度誤差均小于或等于10％，最小寬度誤差為1％，最大寬度誤差為10％。由此可見，每條第一狹縫和第二狹縫第二段的寬度誤差均小于或等于10％。

[0085] 圖11示出第一狹縫A2所制作出來(lái)的匯流電極的微觀結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11所示，利用第一狹縫A2所制作出來(lái)的匯流電極51結(jié)構(gòu)致密且寬度較為一致。圖12示出第二狹縫B5所

制作出來(lái)的集電電極的微觀結(jié)構(gòu)示意圖。如圖12所示，利用第二狹縫B5所制作出來(lái)的集電

電極52結(jié)構(gòu)致密且寬度較為一致。

[0086] 如圖1所示，對(duì)于上述陣列化分布的第二狹縫22，沿著同一軌跡的相鄰第二狹縫22之間具有分隔部23。也就是說(shuō)，同一軌跡上的多個(gè)第二狹縫22不連接。例如，多個(gè)第二狹縫

22呈m行n列分布，第二狹縫22的延伸方向與行方向相同。每一行的n個(gè)第二狹縫22，相鄰第二狹縫22之間不連接，具有分隔部23。分隔部23的設(shè)置可以縮小第二狹縫22的長(zhǎng)度。制作電極完成后，可以方便的從每個(gè)狹縫20的端部撕掉掩膜版10，降低去除掩膜版10的難度。

[0087] 上述分隔部23的長(zhǎng)度大于或等于200μm。該分隔部23的長(zhǎng)度，是指沿著分隔部23所在的軌跡方向，也就是沿著第二狹縫22的延伸方向，分隔部23的尺寸。當(dāng)分隔部23具有該長(zhǎng)度時(shí)，在便于撕掉掩膜版10的基礎(chǔ)上，還可以確保相鄰的狹縫20的穩(wěn)定性，避免狹縫20變形。示例性的，分隔部23的長(zhǎng)度可以等于200μm、300μm、400μm、600μm、800μm、1000μm、1400μm、1600μm、2000μm、2300μm、2500μm、2800μm、3000μm、3500μm、3800μm、4000μm等。優(yōu)選地，分隔部23的長(zhǎng)度為400μm～2000μm。例如，分隔部23的長(zhǎng)度可以為400μm、500μm、700μm、900μm、

1000μm、1500μm、1700μm、1900μm、2000μm等。

[0088] 如圖2、圖6和圖8所示，沿著狹縫20延伸方向，掩膜版10上、狹縫20的兩側(cè)均具有熱應(yīng)力區(qū)域30。在掩膜版10上，激光劃線形成狹縫20的過程中，激光所攜帶的熱能會(huì)作用于激光運(yùn)行軌跡兩側(cè)(狹縫20兩側(cè))的掩膜版10。激光的熱能使得掩膜版10上、狹縫20兩側(cè)的區(qū)域材料及密度等發(fā)生變化，熱應(yīng)力增大，從而形成熱應(yīng)力區(qū)域30。熱應(yīng)力區(qū)域30的材料發(fā)生變化，材料密度增大，但是沒有破壞狹縫20形狀及精度，此時(shí)，狹縫20兩側(cè)激光熱量形成的熱應(yīng)力區(qū)域30內(nèi)，被激光熱量灼燒后，掩膜版10材料密度、強(qiáng)度提高，有利于固定狹縫20形狀，避免狹縫20變形，從而可以提高狹縫20的穩(wěn)定性和制作電極的精度。

[0089] 上述熱應(yīng)力區(qū)域30的范圍，受激光能量以及作用時(shí)間的影響。當(dāng)狹縫20為第一狹縫21時(shí)，在第一狹縫21任意位置處，第一狹縫21和第一狹縫21兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度

之和，與第一狹縫21的寬度之比為(1.03～3.25):1。應(yīng)理解，此處的寬度的方向垂直于第一狹縫21的延伸方向。第一狹縫21和第一狹縫21兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度之和，是指一個(gè)

狹縫20與其兩側(cè)的兩個(gè)熱應(yīng)力區(qū)域30三者的寬度之和。此時(shí)，第一狹縫21兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)

域30材料密度、強(qiáng)度發(fā)生改變，當(dāng)?shù)谝华M縫21及其兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度比在該范圍

時(shí)，可以避免熱應(yīng)力區(qū)域30范圍過大，導(dǎo)致的掩膜版10整體變形，確保掩膜版10質(zhì)量。示例性的，在第一狹縫21某位置處，第一狹縫21和第一狹縫21兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度之和，與第一狹縫21的寬度之比可以為1.03:1、1.1:1、1.5:1、1.9:1、2:1、2.5:1、2.8:1、3:1、3.1:

1、3.2:1、3.25:1等。當(dāng)狹縫20為第二狹縫22時(shí)，在第二狹縫22任意位置處，第二狹縫22與第二狹縫22兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度之和，與第二狹縫22的寬度之比為(1.2～5.5):1。此

處，寬度的方向垂直第二狹縫22的延伸方向。此時(shí)，第二狹縫22兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域30的材料密度、強(qiáng)度發(fā)生較大變化，當(dāng)?shù)诙M縫22及其兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度比在該范圍時(shí)，可以避免熱應(yīng)力區(qū)域30范圍過大，導(dǎo)致的掩膜版10整體變形，確保掩膜版10質(zhì)量。示例性的，在第二狹縫22某位置處，第二狹縫22與第二狹縫22兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度之和，與第

二狹縫22的寬度之比為1.2:1、1.5:1、1.8:1、2:1、2.5:1、2.8:1、3:1、3.6:1、4:1、4.5:1、

4.8:1、5:1、5.2:1、5.5:1等。

[0090] 上述熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度可以為6μm～75μm。該寬度是指單個(gè)熱應(yīng)力區(qū)域30垂直其延伸方向的尺寸。例如，熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度可以為6μm、8μm、10μm、20μm、25μm、30μm、36μm、40μm、44μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、71μm、73μm、75μm等。此時(shí)，熱應(yīng)力區(qū)域30的寬度較小，既可以起到固定狹縫20形狀的作用，又可以避免掩膜版10的形變。

[0091] 如圖3、圖4和圖8所示，上述熱應(yīng)力區(qū)域30靠近狹縫20的位置具有凸起40，凸起40的延伸方向與狹縫20的延伸方向相同。該凸起40，是指熱應(yīng)力區(qū)域30靠近狹縫20的部分區(qū)

域，在激光的作用下，掩膜版10材料擠壓、堆積，形成的突出掩膜版10表面的凸起40。該凸起

40類似于山脈位于熱應(yīng)力區(qū)域30，并沿著狹縫20的方向延伸。該凸起40可以進(jìn)一步起到固

定狹縫20形狀，減少狹縫20形狀、尺寸變形的作用，從而可以提高狹縫20的精度和穩(wěn)定性，提高掩膜版10制作的電極的精度。

[0092] 如圖3、圖4和圖6所示，上述凸起40的高度為0.2μm～12μm；凸起40的寬度為2μm～30μm。此處，凸起40的寬度方向垂直凸起40的延伸方向，凸起40的高度方向垂直掩膜版10所在平面。此時(shí)，凸起40的高度和寬度適中，固定狹縫20形狀的同時(shí)，可以避免掩膜版10變形。

示例性的，凸起40的高度可以為0.2μm、0.8μm、1μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、

11μm、12μm等。凸起40的寬度可以為2μm、5μm、10μm、12μm、14μm、15μm、18μm、20μm、22μm、24μm、25μm、27μm、29μm、30μm等。

[0093] 如圖3、圖4和圖6所示，凸起40靠近狹縫20的側(cè)壁與水平方向A的夾角為55°～80°，凸起40靠近狹縫20的側(cè)壁與豎直方向B的夾角為10°～35°。是指掩模版10平鋪貼合在電池片上時(shí)，掩模版10與電池片接觸的平面為水平面。上述水平方向A與該水平面平行，上述豎直方向B垂直該水平面。當(dāng)凸起40具有該傾斜角度時(shí)，凸起40向著遠(yuǎn)離狹縫20的外側(cè)傾斜，當(dāng)形成電極時(shí)，可以減少對(duì)電極材料的遮擋，使得電極材料能夠順利的落入狹縫20中。示例性的，凸起40靠近狹縫20的側(cè)壁與水平方向A的夾角可以為55°、57°、60°、63°、65°、68°、

70°、72°、73°、75°、77°、79°、80°等。

[0094] 如圖8所示，經(jīng)過實(shí)測(cè)，掩模版10的第二狹縫22的寬度[1]可以為19.874μm。此時(shí)，該第二狹縫22的兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域30及第二狹縫22的寬度之和[3]可以為51.447μm，該第二狹縫22的兩側(cè)的兩個(gè)凸起40之間的最短距離[2]為38.341μm。

[0095] 本發(fā)明實(shí)施例還提供一種太陽(yáng)能電池。該太陽(yáng)能電池的電極利用上述的掩膜版10制作。該太陽(yáng)能電池的有益效果，可以參考上述掩膜版10的有益效果，在此不再贅述。

[0096] 盡管在此結(jié)合各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，然而，在實(shí)施所要求保護(hù)的本發(fā)明過程中，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過查看附圖、公開內(nèi)容、以及所附權(quán)利要求書，可理解并實(shí)現(xiàn)公開實(shí)施例的其他變化。在權(quán)利要求中，“包括”(comprising)一詞不排除其他組成部分或步驟，“一”或“一個(gè)”不排除多個(gè)的情況。相互不同的從屬權(quán)利要求中記載了某些措施，但這并不表示這些措施不能組合起來(lái)產(chǎn)生良好的效果。

[0097] 盡管結(jié)合具體特征及其實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，顯而易見的，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)其進(jìn)行各種修改和組合。相應(yīng)地，本說(shuō)明書和附圖僅僅是所附權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的示例性說(shuō)明，且視為已覆蓋本發(fā)明范圍內(nèi)的任意和所有修

改、變化、組合或等同物。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其

等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。