柔性傳感器質(zhì)輕、可彎曲、可穿戴、易攜帶、可植入和靈敏度高，得到了廣泛的應(yīng)用[1,2] 新材料特別是納米材料，為柔性傳感器的發(fā)展提供了條件[3]

銀納米線(AgNWs)是一種柔韌性一維金屬材料，具有金屬銀的優(yōu)良導(dǎo)電性能和納米材料的高比表面積、尺寸效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)以及界面效應(yīng) AgNWs具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、耐曲撓度和透光性，可用于制備柔性傳感器的電極[4,5] 聚偏氟乙烯(PVDF)的體積比電阻高達1012 Ω·m，用作柔性傳感器的介質(zhì)材料使其抗紫外線性能和熱穩(wěn)定性都比較高[6] 但是，PVDF過高的塑性限制了它的應(yīng)用 聚氨酯(TPU)具有優(yōu)良的彈性[7]，可提高PVDF的韌性 本文在PVDF溶液中加入TPU制備柔韌性TPU-PVDF薄膜，使AgNWs在TPU-PVDF薄膜中形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)作為電容導(dǎo)電極板，制備三明治型立體結(jié)構(gòu)柔性薄膜電容傳感器(圖1)

圖1



圖1TPU/PVDF柔性傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖

Fig.1Schematic diagram of TPU/PVDF flexible sensor structure

1 實驗方法1.1 銀納米線(AgNWs)的制備

將1.864 g的聚乙烯吡咯烷酮(PVP,平均分子量58000，K29-32)放入50 mL；乙二醇((CH2OH)2，純度高于99%)溶液中，攪拌10 min后將得到的溶液倒入三口燒瓶中 再向燒杯中倒入50 mL的乙二醇 在三口燒杯中的PVP和乙二醇混合溶液中滴加1 mL的3 mmol/L的氯化銅(CuCl2，分析純)溶液并放入磁石 用磁力攪拌器攪拌1 h，攪拌器的油浴溫度為160℃ 然后以80 mL/h的速度滴加硝酸銀(AgNO3，分析純)溶液，繼續(xù)加熱攪拌1.5 h得到灰色油狀的液體 將0.5 g的硝酸銀放入25 mL的乙二醇中，將盛有溶液的燒杯用錫紙包覆并攪拌成均勻的溶液，待用 在通風(fēng)處打開三口燒瓶并靜置，待其溫度降低到室溫后將液體分裝到試管中，以10000 r/min的轉(zhuǎn)速離心分離15 min后倒掉上層液體并加入無水乙醇(C2H5OH，分析純)，再次離心分離 如此重復(fù)離心5~6次得到純凈的AgNWs 將得到的AgNWs分散在無水乙醇中以防止團聚,其濃度為3 mol/L

1.2 柔性薄膜傳感器的制備

將一定質(zhì)量比的聚偏氟乙烯(PVDF，蘇威21216)和聚氨酯(TPU)放入盛有相應(yīng)質(zhì)量比的N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)的燒杯中，將磁子放入燒杯中再將燒杯放在電磁攪拌器上加熱并攪拌溶解3 min 將得到的混合溶液放入真空烘箱中2 h以除去溶液中的氣泡(因為氣泡會降低成膜的質(zhì)量) 將脫泡后的溶液倒入自制的玻璃板流延皿中，其厚度為70 μm，待液體流延完整后放入80℃的烘箱中，2 h后取出并晾至室溫 取下流延板上的薄膜并放入130℃烘箱中退火 2 h后取出，在室溫下降溫 將制備出的柔性薄膜材料裁剪，尺寸為2.5 cm×2.5 cm并做好標(biāo)記，備用

將制備好AgNWs以浸漬的方法涂覆并固化在TPU/PVDF薄膜上下兩面，形成三明治結(jié)構(gòu)，上下兩端形成銀納米線網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 在邊緣處做非金屬化處理，保留樣品的尺寸為2 cm×2 cm 在薄膜兩側(cè)的對角線位置分別引出紫銅片(厚度：20 μm)電極，銅片的尺寸為0.3 cm×1 cm，電極與薄膜的接觸面積為0.3 cm×0.3 cm 最后用導(dǎo)電銀膠固定

TPU與PVDF的質(zhì)量比列于表1，溶質(zhì)與溶劑質(zhì)量比為10%.

Table 1

表1

表1TPU與PVDF的質(zhì)量比

Table 1Mass ratio of TPU to PVDF

Numbering	A	B	C
Mass percentage	8%	15%	20%

1.3 傳感器材料的性能表征

用Vltra55熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡觀察樣品的表面和截面 紫外-可見光譜技術(shù)是研究納米材料表面等離子體共振(SPR)的有效手段[8] 用TU-1950雙光束紫外可見光光度儀驗證合成AgNWs過程中沒有生成其他粒子，測量范圍為300~800 nm 用ARL XTRA型X射線衍射儀(XRD)測試樣品的晶體結(jié)構(gòu) 使用溴化鉀將樣品研磨至粉末狀，用Nicolet 5700型傅立葉紅外光譜儀測試其紅外光譜(FTIR)

用CMT6104型電子強力機對樣品進行斷裂伸長及強力測試 使用HS-MPRT-5金屬四探頭電阻率方阻測試儀測試銀納米線電極的導(dǎo)電性

使用HS-MPRT-5金屬四探頭電阻率方阻測試儀測試柔性傳感器的上下兩層電極的電阻率，隨機選取8個采樣點，再換算成方塊電阻 計算公式[9]為

Rs=ρ/t

(1)

式中Rs為方塊電阻(Ω/sq)，ρ為樣品的電阻率(Ω·m)，t為式樣厚度(m)，樣品的厚度為70 μm

使用光電化學(xué)工作站三電極測試系統(tǒng)進行伏安循環(huán)測試(CV) 其中對電極為鉑片，參比電極為甘汞電極，工作電極為測試電極，電解液使用1 mol/L的Na2SO4溶液 電壓范圍為-0.2 V~0.2 V 根據(jù)伏安循環(huán)測試(CV)得到的曲線計算復(fù)合材料的電容[10]

C=∫IdV2×M×?V×Scanrate

(2)

式中I為測試過程中的放電電流；V為放電過程中的測試電壓；M為測試工作電極的質(zhì)量；ΔV為掃描電勢范圍；Scan rate為掃描速度

1.4 電容傳感器對彎曲度響應(yīng)的理論推導(dǎo)

當(dāng)柔性薄膜電容傳感器彎曲時，傳感器內(nèi)電容值隨著彎曲度而變化 如果不考慮非均勻電場引起的邊緣效應(yīng)，兩平行極板組成的電容器的電容量為

C=ε·Ad

(3)

式中ε為極板間介電常數(shù)，A為極板面積，d為極板間距離 如圖2所示的電容器，設(shè)其極板的原長度為2L、寬度為B 一半極板折彎θ度后，因PVDF/TPU薄膜和AgNWs具有柔韌性，設(shè)其延長部分圓弧的內(nèi)半徑為r，外半徑為R，則R-r=d;折彎后增加的截面面積為

圖2



圖2實驗?zāi)M圖

Fig.2Experimental simulation diagram

π?S=π2R2-r2θ180°

(4)

總截面面積為

ππS=2L×d+?S=2L×d+π2R2-r2θ180°=2L×d+π2R-rR+rθ180°

π=2L+π2R+rθ180°×d

(5)

在折彎過程中介質(zhì)體積V不變，

πV=S×B=2L+π2R+rθ180°×d×B

(6)

于是得

ππC=ε·Ad=ε·A·B·2L+π2R+rθ180°V=2ε·A·B·LV+πε·A·B·R+r2V·θ180°

(7)

令πC0=2ε·A·B·LV,K=πε·A·B·R+r2V,C0為電容初始值(θ=0)，K為常數(shù) 則電容值C與θ角之間的關(guān)系為

C=C0+K·θ180°

(8)

傳感器處于水平狀態(tài)時不受壓力，柔性傳感器彎曲時其中的電子感應(yīng)到彎曲壓力而產(chǎn)生壓電響應(yīng) 隨著彎曲角度的增大傳感器所受壓力隨之增大，實驗中選取彎曲角度為0°、30°、60°、90°、120°、150°、180°測試電容值

2 結(jié)果和討論2.1 AgNWs的表面和截面形貌

將AgNWs樣品分散在乙醇中稀釋到3 mol/L，然后將混有樣品的乙醇滴在硅片上并放置于干燥箱中干燥10 min，乙醇完全揮發(fā)后觀察AgNWs的形貌

圖3a、b、d是AgNWs的SEM照片 由圖可以看出，AgNWs表面光滑，粗細(xì)均勻，沒有形成短棒 圖3c是從二維點陣組成的電子衍射圖樣，可見，AgNWs具有典型的面心立方結(jié)構(gòu)，衍射斑點具有規(guī)則的對稱性，表明結(jié)晶度較好 由圖3d可見，AgNWs的截面并非圓形而有棱面，因為在合成銀納米線的過程中銀從硝酸銀中還原成五倍孿晶結(jié)構(gòu) 這種孿晶由{100}和{111}兩個側(cè)面組成，PVP分子與{100}晶面的作用明顯強于{111}晶面，因為PVP分子鏈上的氧、氮原子與{100}晶面發(fā)生強烈的相互作用而被PVP完全包覆 {111}晶面與PVP的相互作用很弱，使{111}晶面裸露在外 根據(jù)能量最低原理，溶液中的銀納米粒子沿著{111}晶面單軸向生長成一維納米棒狀結(jié)構(gòu)，生長成納米銀線

圖3



圖3AgNWs的SEM和TEM照片

Fig.3SEM (a, b, d) and TEM (c) images of AgNWs

2.2 銀納米線的紫外-可見光譜(UV-Vis)和XRD譜

圖4中350 nm處的第一個特征峰是AgNWs四極矩(縱向)共振產(chǎn)生的，390 nm處的第二個特征峰是銀五邊孿晶橫向共振產(chǎn)生的共振峰[11] 這兩個峰都很尖銳，說明制備出的AgNWs均勻純凈 譜中沒有出現(xiàn)拖尾，說明在合成過程中沒有出現(xiàn)大量的銀粒子或銀單質(zhì)，生成的AgNWs尺寸單一，形貌均勻

圖4



圖4銀納米線的紫外光譜圖

Fig.4Ultraviolet spectrum of silver nanowires

如圖5所示，樣品在2θ=38.03°、44.25°、64.40°、77.26°、81.7°出現(xiàn)了比較強烈的衍射峰，分別對應(yīng)銀晶體的{111}、{200}、{220}、{311}、{222}五個晶面，說明AgNWs的截面為五邊形結(jié)構(gòu)[11] 從圖5還可以看出，{111}晶面的衍射峰最強烈，其峰值達到743，遠(yuǎn)大于其他晶面的衍射峰，表明銀晶體沿著{111}晶面進行定向生長，且生長程度遠(yuǎn)大于其他晶面，由此生成了具有較高的長徑比的一維納米結(jié)構(gòu)的線狀物質(zhì)

圖5



圖5銀納米線的XRD譜

Fig.5XRD pattern of silver nanowires

2.3 TPU/PVDF柔性薄膜的形貌

圖6a、c、e是表面SEM照片，圖6b、d、f是截面的SEM照片 可以看出，不同質(zhì)量比的膜差異較大 圖6a、b是質(zhì)量比為8%的SEM圖，可見其平面非常的致密光滑，斷面有很多小氣泡，說明TPU與PVDF的二元共混體系氫鍵較少 TPU的分子量比PVDF的小，TPU內(nèi)的化學(xué)鍵更穩(wěn)定，使溶劑揮發(fā)時各個部分的揮發(fā)速率不同，產(chǎn)生氣泡，相應(yīng)的也使其結(jié)晶度強度等性能降低 同時，當(dāng)添加的TPU量少時溶液粘度較大 隨著TPU量的增加TPU與PVDF分子之間氫鍵增加，減緩了PVDF本身內(nèi)部穩(wěn)定的化學(xué)鍵，使TPU分子的氫鍵遭到破壞，提高了共混體系的均勻性和穩(wěn)定性 在制備過程中，隨著TPU的增加混合液體的粘度下降，流動性增加 這雖然不利于成膜，但是使溶液中DMAc的揮發(fā)更加均勻、復(fù)合膜的結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定 如圖6c、d所示，復(fù)合膜的平面有大小不一的圓點，截面致密，上下層結(jié)構(gòu)差異不明顯

圖6



圖6不同質(zhì)量比TPU/PVDF薄膜的表面和截面SEM照片

Fig.6SEM images of different mass ratio TPU/PVDF films (a, c, e) surface SEM; (b, d, f) cross SEM

2.4 TPU/PVDF薄膜的X射線衍射譜

如圖7所示，TPU與PVDF的質(zhì)量比為20%的薄膜，其XRD曲線在2θ=17.86°、18.54°和19.82°處出現(xiàn)三個明顯的峰 其中的兩個衍射峰比較強烈，分別對應(yīng)PVD的α晶型的{110}、{100}和{200}兩個晶面 位于2θ=20.26°處的衍射峰最強烈，對應(yīng)β晶型的{110}晶面 α晶型沒有壓電性能[13]，薄膜的壓電性能由β晶型產(chǎn)生 高溫退火后PVDF由最初的α晶型轉(zhuǎn)變?yōu)棣戮停蔀閴弘姳∧?從圖7還可以看出，隨著TPU質(zhì)量的增加PVDF由α晶型轉(zhuǎn)變?yōu)棣戮偷内厔菝黠@增強，說明TPU能促進PVDF從α晶型向β晶型的轉(zhuǎn)化

圖7



圖7TPU/PVDF薄膜的XRD譜

Fig.7XRD pattern of TPU/PVDF film at different mass ratios

2.5 TPU/PVDF薄膜的FTIR紅外光譜

圖8中的500~1000 cm-1區(qū)間對應(yīng)無定形相的特征吸收；1000~1300 cm-1之間是由C-O-C和-CF2的特征吸收峰重疊形成的；1400吸收帶是-CH2的變角振動引起的；1531 cm-1處為-NH的伸縮振動吸收峰；1730 cm-1處為C=O的伸縮振動特征吸收峰；2900~3000 cm-1之間為-CH2的伸縮振動特征吸收峰；3460 cm-1處為-OH和-NH的伸縮振動混合特征吸收峰；從圖8可以看出，不同質(zhì)量比的TPU/PVDF薄膜其化學(xué)基團沒有明顯的變化，說明TPU與PVDF混合后沒有生成新物質(zhì)

圖8



圖8TPU/PVDF薄膜的紅外譜

Fig.8FITR spectra of TPU/PVDF film at different mass ratios

2.6 TPU/PVDF柔性薄膜的強力和斷裂伸長率

如圖9中的紅線所示，TPU/PVDF薄膜的斷裂強力先減小后增大，質(zhì)量比為15%時斷裂強力最小 其可能的原因，一是少量TPU的加入使聚氨酯分子進入PVDF體系，形成的二元共混體系使強度迅速降低，達到穩(wěn)定狀態(tài)后再增加TPU其斷裂強度還會提高；二是溶液揮發(fā)過程中的高溫使TPU的-OH、-NH2形成的氫鍵遭到破壞、鏈段彎曲、相互作用力減小，而PVDF的C-F等氫鍵也遭到破壞而使二者的共混體系不均勻[14]，結(jié)果是復(fù)合材料的強力降低和斷裂伸長增大 繼續(xù)增加TPU的質(zhì)量，則C-F、C-H等化學(xué)鍵與-NH、-NH2、-OH形成穩(wěn)定的氫鍵

圖9



圖9TPU/PVDF薄膜的強力和斷裂伸長

Fig.9Strength and elongation at break of TPU/PVDF films

如圖9中的黑線所示，TPU的加入明顯提高了樣品的斷裂伸長率，并且隨著TPU與PVDF質(zhì)量比的提高復(fù)合材料的斷裂伸長增加 PVDF是結(jié)晶高聚物，在其拉伸過程中出現(xiàn)“細(xì)頸”，符合結(jié)晶聚合物的拉伸行為 而在拉伸過程中材料中的大分子排列發(fā)生很大的變化，分子在與拉伸方向平行的方向上開始取向，由原來混亂的狀態(tài)變?yōu)樯熘睜顟B(tài)，微晶部分也重排形成一種物理交聯(lián)點 這限制了分子鏈的滑移，使材料發(fā)生一種高彈性的形變，使其斷裂伸長率提高 TPU是高彈性的物質(zhì)，其斷裂伸長高達200%~1000%，因此隨著TPU的增加復(fù)合材料的斷裂伸長增大

2.7 傳感器電容極板的方塊電阻

由圖10可見，TPU/PVDF質(zhì)量比為20%的傳感器，其表面的方塊電阻最小，為15.635 mΩ/sq 這表明，這種樣品隔離熱紅外的性能較好 銀納米線形成的均勻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)與TPU/PVDF薄膜的接觸性優(yōu)良，使其導(dǎo)電性提高 這是TPU/PVDF壓電材料的表面形貌所致 添加少量的TPU時溶液的粘度較大，TPU/PVDF薄膜表面以PVDF為主，表面光滑使AgNWs不易附著 TPU量的增加使TPU與PVDF分子之間的氫鍵增加，減緩了PVDF內(nèi)穩(wěn)定的化學(xué)鍵，TPU分子內(nèi)的氫鍵也受到破壞，提高了共混體系的均勻性和穩(wěn)定性 同時，復(fù)合材料表面更加光滑，使AgNWs更難附著在其表面 在制備過程中隨著TPU的增加混合液體的粘度下降，流動性提高 這雖然不利于成膜，但是使溶液中的DMAc均勻揮發(fā)，使復(fù)合膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定 復(fù)合膜的平面產(chǎn)生了大小不一的圓點，截面致密，上下層的結(jié)構(gòu)差異不明顯 因此，AgNWs容易附著在薄膜表面，使更多的AgNWs形成均勻的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使導(dǎo)電性能提高

圖10



圖10TPU/PVDF薄膜的方阻

Fig.10Square resistance of TPU/PVDF film at different mass ratios

2.8 TPU/PVDF柔性傳感器的電化學(xué)性能

TPU與PVDF質(zhì)量比為20%時柔性傳感器的壓電性能最好，為了更準(zhǔn)確地表征其性能進行了更精確的測試，結(jié)果如圖11所示

圖11



圖11掃速為20、50和100 mV·s-1時傳感器的CV曲線

Fig.11CV curve of the sensor when the sweep speed is 20, 50, 100 mV·s-1

從圖11可以看出，隨著掃速從20 mV·s-1增加到100 mV·s-1，TPU/PVDF柔性傳感器的電流響應(yīng)增加，并且材料的循環(huán)伏安(CV)曲線的形狀接近矩形 這表明，制備的電容式傳感器具有良好的充放電特性，表面電極和電解質(zhì)截面的電荷傳遞良好，壓電薄膜具有明顯的雙層電容的儲能機理特征 在電壓反向掃描時響應(yīng)電流瞬間改變，并且電流迅速下降 這表明，制備的材料具有比較好的電容性能 對樣品伏安曲線進行面積積分，再根據(jù)公式(2)計算出此器件的比電容為375 μF/g

與掃描速率為100 mV·s-1時的掃描特性曲線相比，掃描速率為20 mV·s-1時的掃描特性曲線更接近于矩形 其原因是，掃速較低時Na2SO4電解液中電子移動產(chǎn)生的電流在電壓改變的瞬間即發(fā)生變化，而且AgNWs構(gòu)成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)電極有利于離子的運動 添加較少的TPU也有利于材料內(nèi)部電子的運動，避免電壓的突然變化損壞電容器，保證了電化學(xué)穩(wěn)定性

2.9 傳感器的彎曲性能和靈敏度

圖12a表明，彎曲角度為0°(無彎曲)時電容輸出為375 μF，隨著彎曲程度的增大電容輸出增大，彎曲角度增大到180°時電容輸出最大為436 μF

圖12



圖12電容和靈敏度與彎曲角度的關(guān)系

Fig.12Relationship between capacitance and bending angle (a) and relationship between relative capa-citance and bending angle (b)

上述分析表明，電容輸出與彎曲程度有明顯的正相關(guān),對數(shù)據(jù)進行線性擬合得到C=375+60?θ180°，相關(guān)系數(shù)R2=0.996，與前文的理論推導(dǎo)結(jié)果基本相同 傳感器的線性度較好，符合電容傳感器的特點 如圖12b所示，電容與彎曲角度關(guān)系直線的斜率為9.11×10-4±3.32×10-5，顯著不同于零

3 結(jié)論

用多元醇法可制備長徑比高達800、表面光滑、粗細(xì)均勻的AgNWs 用流延法可制備有大量β晶型的TPU/PVDF壓電薄膜 隨著TPU質(zhì)量的增加斷裂強力先迅速降低然后提高，而斷裂伸長率不斷提高 用浸漬法為TPU/PVDF薄膜涂覆電極后組裝的柔性傳感器，TPU與PVDF質(zhì)量比為20%時方塊電阻值最低為15.635 mΩ/sq 傳感器的充放電性能良好，電化學(xué)性能穩(wěn)定 隨著彎曲角度的增加傳感器的輸出電容增大，輸出電容與彎曲角度呈線性關(guān)系

參考文獻

View Option 原文順序文獻年度倒序文中引用次數(shù)倒序被引期刊影響因子

[1]

Zhu J H.

Preparation and performance study of PVDF piezoelectric film and sensor

[D].

Harbin:

Harbin Institute of Technology, 2011

[本文引用: 1]

朱金海.

PVDF壓電薄膜及其傳感器的制備與性能研究

[D].

哈爾濱:

哈爾濱工業(yè)大學(xué), 2011

[本文引用: 1]

[2]

Banea M D, Da Silva L F M, Campilho R D S G.

The effect of adhesive thickness on the mechanical behavior of a structural polyurethane adhesive

[J]. J. Adh., 2015, 91: 331

[本文引用: 1]

[3]

Bae S, Kim S J, Shin D, et al.

Towards industrial applications of graphene electrodes

[J]. Phys. Scr., 2012, 2012: 014024

[本文引用: 1]

[4]

Yu X, Di T T, Shen H Y.

Synthesis of nano-snagcu solder by microemulsion method

[J]. Chin. J. Mater. Res., 2020, 34: 299

[本文引用: 1]

俞鑫, 邸彤彤, 沈杭燕.

微乳法制備參數(shù)對納米錫銀銅焊粉熔點的影響

[J]. 材料研究學(xué)報, 2020, 34: 299

[本文引用: 1]

[5]

Lee T W, Lee S E, Jeong Y G.

Highly effective electromagnetic interference shielding materials based on silver nanowire/cellulose papers

[J]. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2016, 8: 13123

[本文引用: 1]

[6]

Król P.

Synthesis methods, chemical structures and phase structures of linear polyurethanes. Properties and applications of linear polyurethanes in polyurethane elastomers, copolymers and ionomers

[J]. Prog. Mater. Sci., 2007, 52: 915

[本文引用: 1]

[7]

Zhao H L.

Research on PVDF piezoelectric film sensor and its application in PCBA modal analysis

[D].

Zhenjiang:

Jiangsu University, 2009

[本文引用: 1]

趙洪利.

PVDF 壓電薄膜傳感器的研究及其在 PCBA 模態(tài)分析中的應(yīng)用

[D].

鎮(zhèn)江:

江蘇大學(xué), 2009

[本文引用: 1]

[8]

Tang N, Peng Y, Jia Z L, et al.

Pyp vacuum distilled simulation of the on using polypropylene hydrophobic micro micropys

[J]. J. Appl. Polym. Sci., 2015, 132: 41632

[本文引用: 1]

[9]

Piana F, Pionteck J.

Exploitation of the hard/soft segments ratio in thermoplastic polyurethane (TPU) for the tuning of electrical and mechanical properties of expanded graphite (EG) based composites

[J]. SN Appl. Sci., 2019, 1: 878

[本文引用: 1]

[10]

He X J, Yao K.

Crystallization mechanism and piezoelectric properties of solution-derived ferroelectric poly(vinylidene fluoride) thin films

[J]. Appl. Phys. Lett., 2006, 89: 112909

[本文引用: 1]

[11]

Meng X W, Mao Y Y, Yang Y W, et al.

Synthesis of ultra-long silver nanowires by SNS-directed method and their characterization

[J]. Precious Met., 2017, 38: 19

[本文引用: 2]

[12]

Chen D P, Qiao X L, Qiu X L, et al.

Convenient synthesis of silver nanowires with adjustable diameters via a solvothermal method

[J]. J. Colloid Interface Sci., 2010, 344: 286

[13]

Li H X, Wu T, Xie M H, et al.

Enhancing the tactile and near-infrared sensing capabilities of electrospun PVDF nanofibers with the use of gold nanocages

[J]. J. Mater. Chem. C. Mater., 2018, 6: 10263

[本文引用: 1]

[14]

Yang X F, Wang Y S, Qing X L.

A flexible capacitive sensor based on the electrospun PVDF nanofiber membrane with carbon nanotubes

[J]. Sens. Actuators A, 2019, 299: 111579

[本文引用: 1]

PVDF壓電薄膜及其傳感器的制備與性能研究

1

2011