本發(fā)明涉及紅外氣體探測(cè)器的敏感元件,具體是一種基于黑硅吸收層及多層組合膜結(jié)構(gòu)的紅外探測(cè)器敏感元件。進(jìn)一步提高了熱釋電薄膜型紅外氣體探測(cè)器的檢測(cè)性能。由上至下包括紅外敏感吸收層、上電極、熱釋電薄膜組合層、下電極、熱隔離層、高熱阻抗基底;紅外敏感吸收層為具有錐狀森林形貌結(jié)構(gòu)的黑硅吸收層,熱釋電薄膜組合層為若干層PT薄膜和PZT薄膜交替設(shè)置構(gòu)成的PT/PZT/PT~PT/PZT/PT多層薄膜結(jié)構(gòu);結(jié)構(gòu)及加工工藝合理,具備良好的熱吸收性能和熱響應(yīng)性能,能用于構(gòu)建高性能紅外氣體探測(cè)器,滿足環(huán)境安全、煤礦生產(chǎn)安全、以及?;窔怏w儲(chǔ)運(yùn)、煤氣管道防泄、森林火災(zāi)防護(hù)、工業(yè)安全生產(chǎn)等領(lǐng)域中的監(jiān)測(cè)需要。
聲明:
“基于黑硅吸收層及多層組合膜結(jié)構(gòu)的紅外探測(cè)器敏感元件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)