本發(fā)明公開了一種微型面發(fā)射光電
芯片陣列光電性能巨量檢測(cè)系統(tǒng)及其方法,該系統(tǒng)包括轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)裝置、轉(zhuǎn)移頭、襯底放置臺(tái)、檢測(cè)電路基板、芯片放置臺(tái)、光學(xué)探測(cè)器,襯底放置臺(tái)、檢測(cè)電路基板、芯片放置臺(tái)依次排列于所述轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)裝置的同一側(cè),轉(zhuǎn)移頭固定安裝于轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)裝置上,光學(xué)探測(cè)器位于檢測(cè)電路基板的正下方。該方法包括以下步驟:S1放置芯片陣列;S2負(fù)壓吸附芯片;S3芯片檢測(cè)就位;S4光電性能檢測(cè);S5芯片轉(zhuǎn)移釋放;S6循環(huán)拾取及檢測(cè)。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)微型面發(fā)射光電芯片組在巨量轉(zhuǎn)移過程中同時(shí)實(shí)現(xiàn)光電性能的巨量同步檢測(cè),檢測(cè)效率高,適用于微型面發(fā)射光電芯片,如微型LED芯片或小型LED芯片的光電性能巨量檢測(cè)。
聲明:
“一種微型面發(fā)射光電芯片陣列光電性能巨量檢測(cè)系統(tǒng)及其方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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