本發(fā)明公開(kāi)了一種用于鎘離子高靈敏檢測(cè)的光
電化學(xué)適配體傳感器的制備及應(yīng)用。采用水熱法制備ZnO?TiO
2納米
復(fù)合材料,并以此為光電活性基元,將納米Au、適配體S依次修飾于其表面,該適配體3’自由端預(yù)修飾有?NH
2,在偶聯(lián)劑EDC的作用下,將羧基化g?C
3N
4連接在適配體自由端,當(dāng)該傳感界面的適配體因識(shí)別靶標(biāo)物鎘離子而發(fā)生結(jié)構(gòu)變化時(shí),具有半導(dǎo)體特性的g?C
3N
4靠近電極表明,并表現(xiàn)出光電流的增強(qiáng)。隨著鎘離子的濃度逐漸增大,其光電流信號(hào)呈現(xiàn)規(guī)律性的變化,這是實(shí)現(xiàn)鎘離子定量分析的依據(jù)。研究表明該方法制備的光電化學(xué)適配體傳感器具有較高的靈敏度和較低的檢測(cè)限。
聲明:
“用于鎘離子高靈敏檢測(cè)的光電化學(xué)適配體傳感器的制備及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)