一種檢測(cè)源極
多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法,采用KT電子掃描顯微鏡對(duì)源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后的表面進(jìn)行檢測(cè),KT電子掃描顯微鏡持續(xù)發(fā)射原生入射電子對(duì)源極多晶硅表面進(jìn)行掃描,源極多晶硅表面的價(jià)電子被激發(fā),形成二次電子,然后KT電子掃描顯微鏡偵測(cè)源極多晶硅表面被激發(fā)出的二次電子并成像,異常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。本發(fā)明能夠簡(jiǎn)單有效地檢測(cè)到源極多晶硅的表面異常,降低了晶片受損的可能性。
聲明:
“檢測(cè)源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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