本發(fā)明公開了一種基于化學氣相沉積二硫化鎢的光電探測器及其制備方法,屬于二維
半導體材料的生長及其光電探測器的制備技術(shù)領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有技術(shù)制備二硫化鎢實驗條件可重復性不好,薄膜質(zhì)量欠佳等技術(shù)問題。所述的二硫化鎢由化學氣相沉積法制備得到,利用熔融鹽輔助的方法可以有效降低前驅(qū)體三氧化鎢的熔點,從而提高材料制備的可控性。該實驗方法工藝簡單,環(huán)境友好,適合大規(guī)模生產(chǎn)。所述光電探測器由干法轉(zhuǎn)移技術(shù)制備得到,利用干法轉(zhuǎn)移技術(shù)將金電極直接轉(zhuǎn)移到生長有二硫化鎢的襯底上,保護了二硫化鎢的晶體結(jié)構(gòu)。此外,生長的二硫化鎢晶體結(jié)晶質(zhì)量高,利用其制備的光電探測器具有高響應度、高外量子效率、高探測度的特點,表現(xiàn)出優(yōu)異的光電探測性能。
聲明:
“基于化學氣相沉積二硫化鎢的光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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