本發(fā)明公開了一種分析鑄造
多晶硅微觀結(jié)構(gòu)的方法,其包括以下步驟,步驟一、將鑄造多晶硅通過化學(xué)拋光和Secco刻蝕處理;步驟二、在步驟一后用大型金相顯微鏡進(jìn)行觀測和拍照;步驟三、在步驟二后進(jìn)行分析。本發(fā)明的有益效果為:通過化學(xué)拋光和Secco刻蝕的方法,研究了商業(yè)多晶硅和自制多晶硅塊的微觀結(jié)構(gòu),經(jīng)拋光后,清楚地觀察到晶界、亞晶粒、半晶界和小三角等缺陷;經(jīng)Secco刻蝕后,位錯缺陷凸顯出來,主要有密集位錯、集中位錯、位錯排等;經(jīng)拋光和Secco刻蝕后,觀察和發(fā)現(xiàn)了各種形式的位錯缺陷,通過對多晶硅微觀結(jié)構(gòu)的分析,進(jìn)一步了解多晶硅晶體缺陷的形成機(jī)理,也可以為后續(xù)多晶硅鑄錠工藝的制定和優(yōu)化打下一定基礎(chǔ)。
聲明:
“分析鑄造多晶硅微觀結(jié)構(gòu)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)