本發(fā)明提供一種晶體硅片位錯檢測方法,先采用添加有醇類化學(xué)添加劑的堿溶液對切割晶體硅錠得到的晶體硅片進行堿處理,然后再進行化學(xué)拋光和化學(xué)腐蝕。由于所述堿溶液能夠去除堿溶液腐蝕過程中產(chǎn)生的氣泡,降低堿處理后的晶體硅片表面粗糙度,從而能夠代替現(xiàn)有技術(shù)中的機械拋光,得到較好的拋光效果。相對于現(xiàn)有技術(shù)中需要碎片、預(yù)處理等工序才能進行拋光的機械拋光過程,其工藝更加簡單,同時相對于機械拋光需要的時間,本發(fā)明提供的堿處理過程需要的時間更短,提高了位錯檢測效率;且堿處理和化學(xué)拋光過程中無需使用昂貴的機械拋光設(shè)備,在一定程度上降低了位錯檢測成本。
聲明:
“晶體硅片位錯檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)