本發(fā)明公開一種p?GaN/i?GaN/n?BN中子探測器,該中子探測器由Al2O3襯底層、n?BN層、i?GaN層、p?GaN層組成。其制備方法如下:在一定厚度的Al2O3襯底上,利用金屬有機物化學(xué)氣相沉積技術(shù)先生長n?BN,而后生長未摻雜的i?GaN,最后生長p?GaN,再用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕出n?BN,最后用電子束蒸發(fā)在n?BN和p?GaN層分別蒸鍍歐姆接觸金屬電極,完成中子探測器的制作。本發(fā)明制備工藝簡單、無需單獨制備中子轉(zhuǎn)換層,能量分辨率高、探測效率高且結(jié)構(gòu)簡單,在航空航天探索、核能利用與開發(fā)、放射性同位素的產(chǎn)生應(yīng)用以及一些特殊領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價值。
聲明:
“p GaNi GaN n BN中子探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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